光电转换装置制造方法及图纸

在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

Photoelectric conversion device

In the photoelectric conversion device (1), the first amorphous semiconductor part (102N) and the second amorphous semiconductor part (102P) are alternately arranged on one side of the semiconductor substrate (101). In the first amorphous semiconductor part (102N) and the second amorphous semiconductor part (102P), there are at least one first amorphous semiconductor layer (1020n) and the second amorphous semiconductor layer (1020p). On the first amorphous semiconductor layer (1020n), there are several first electrodes (103n) spaced apart. On a second amorphous semiconductor layer (1020p), there are more than second electrodes (103p) spaced apart.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换装置
本专利技术涉及光电转换装置。
技术介绍
日本特开2010－283406号公报中，公开了背面电极型太阳光电池。该背面电极型太阳光电池在单晶硅基板的背面形成有非晶硅层，在其之上，使用金属掩模交替地形成n型非晶质半导体层和p型非晶质半导体层。然后，使用金属掩模在n型非晶质半导体层和p型非晶质半导体层上分别形成电极。
技术实现思路
在日本特开2010－283406号公报中，在形成p型非晶质半导体层、n型非晶质半导体层以及电极时，硅基板的厚度越薄，由于p型非晶质半导体层、n型非晶质半导体层以及电极的应力，硅基板越翘曲、弯曲。尤其是电极与p型非晶质半导体层及n型非晶质半导体层相比应力大，因此由电极的应力造成的影响大。本专利技术的目的在于，提供即使在使用厚度薄的半导体基板的情况下，也能够减轻电极的应力，抑制半导体基板的翘曲、弯曲的光电转换装置。本专利技术所涉及的光电转换装置包括：半导体基板；第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一个面侧，形成有至少一个第一非晶质半导体层，所述第一非晶质半导体层具有第一导电类型；第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一个面侧，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成，形成有至少一个第二非晶质半导体层，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；多个第一电极，其相间隔地配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及多个第二电极，其相间隔地配置于所述第二非晶质半导体部之上，在一个所述第一非晶质半导体层之上，配置有多个所述第一电极，在一个所述第二非晶质半导体层之上，配置有多个所述第二电极。根据本专利技术，即使在使用厚度薄的半导体基板的情况下，也能够减轻电极的应力，抑制半导体基板的翘曲、弯曲。附图说明图1是表示第一实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。图2是示出图1所示的光电转换装置的A－A截面的示意图。图3A是例示出p型非晶质半导体层的截面构造的示意图。图3B是例示出p型非晶质半导体层的其他截面构造的示意图。图3C是例示出p型非晶质半导体层的其他截面构造的示意图。图3D(a)是表示测量从i型非晶质半导体层与硅基板表面的界面到非晶质半导体层表面的膜厚的结果的示意图。图3D(b)是表示重新描绘图3D(a)所示的膜厚的结果的示意图。图4是表示第一实施方式中的配线片的平面的示意图。图5A(a)是示出测量对p型电极间的距离d1为300μm和500μm的光电转换装置照射激光而得到的电流的结果的图。图5A(b)是成为图5A(a)的测量对象的光电转换装置的截面图。图5B是示出测量对距离d1为200μm～700μm之间的光电转换装置照射激光而得到的电流的结果的图。图6A是说明图1所示的光电转换装置的制造工序的图，是在硅基板形成了纹理的状态的截面图。图6B是示出在图6A所示的硅基板的受光面形成了抗反射膜的状态的截面图。图6C是在图6B所示的硅基板的背面形成了i型非晶质半导体层与p型非晶质半导体层的状态的截面图。图6D是在图6C所示的硅基板的背面形成了n型非晶质半导体层的状态的截面图。图6E是在图6D所示的p型非晶质半导体层及n型非晶质半导体层上形成了电极的状态的截面图。图7是表示在图6C的工序中形成p型非晶质半导体层时使用的金属掩模的平面的示意图。图8是表示在图6D的工序中形成n型非晶质半导体层时使用的金属掩模的平面的示意图。图9是表示在图6E的工序中形成电极时使用的金属掩模的平面的示意图。图10A是例示出使用金属掩模形成的电极的端部的形状的示意图。图10B是例示出使用金属掩模形成的电极的端部的形状的示意图。图10C是例示出使用金属掩模形成的电极的端部的形状的示意图。图11是示出在硅基板上能以已定的位置精度配置金属掩模的金属掩模的纵横比和磁场的关系的图。图12A是表示第二实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。图12B是示出图12A所示的光电转换装置的C－C截面的示意图。图13A是表示在形成图12A所示的光电转换装置的p型非晶质半导体层时使用的金属掩模的平面的示意图。图13B是表示在形成图12A所示的光电转换装置的n型非晶质半导体层时使用的金属掩模的平面的示意图。图14A是表示第三实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。图14B是示出图14A所示的光电转换装置的D－D截面的示意图。图15是表示在形成图14A所示的光电转换装置的电极时使用的金属掩模的平面的示意图。图16A是表示第四实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。图16B是示出图16A所示的光电转换装置的E－E截面的示意图。图17(a)是表示在形成图16A所示的光电转换装置的p型非晶质半导体层时使用的金属掩模的平面的示意图。图17(b)是示出图17(a)所示的金属掩模的F－F截面的示意图。图18A是表示第五实施方式所涉及的光电转换装置的平面的示意图。图18B是示出图18A所示的光电转换装置的G－G截面的示意图。图19是在硅基板的背面形成了i型非晶质半导体层的状态的截面图。图20是在图19所示的i型非晶质半导体层上形成了p型非晶质半导体层的状态的截面图。图21是示出第六实施方式所涉及的光电转换模组的构成的概略图。图22A是示出具备第六实施方式的光电转换装置的太阳光发电系统的构成的概略图。图22B是示出图22A所示的太阳光发电系统的其他构成例的概略图。图23是示出图22A所示的光电转换模组阵列的构成的概略图。图24A是示出具备第七实施方式的光电转换装置的太阳光发电系统的构成的概略图。图24B是示出图24A所示的太阳光发电系统的其他构成例的概略图。具体实施方式本专利技术的一实施方式所涉及的光电转换装置包括：半导体基板；第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一个面侧，形成有至少一个第一非晶质半导体层，所述第一非晶质半导体层具有第一导电类型；第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一个面侧，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成，形成有至少一个第二非晶质半导体层，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；多个第一电极，其相间隔地配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及多个第二电极，其相间隔地配置于所述第二非晶质半导体部之上，在一个所述第一非晶质半导体层之上，配置有多个所述第一电极，在一个所述第二非晶质半导体层之上，配置有多个所述第二电极(第一构成)。根据第一构成，在基板的一个面侧，在面内方向相邻地形成第一非晶质半导体部和第二非晶质半导体部，第一非晶质半导体部和第二非晶质半导体部分别形成至少一个第一非晶质半导体层和第二非晶质半导体层。在第一非晶质半导体部上，相间隔地配置有多个第一电极，在第二非晶质半导体部上，相间隔地配置有多个第二电极。在一个第一非晶质半导体层之上，配置有多个第一电极，在一个第二非晶质半导体层之上，配置有多个第二电极。因此，在一个第一非晶质半导体层和一个第二非晶质半导体层，形成第一电极和第一电极之间、第二电极和第二电极之间的电极间区域。由于电极间区域，第一电极和第二电极的自重所导致的应力、这些电极的内部应力变小，因此，能够抑制电极的应力所导致的半导体基板的翘曲、弯曲。第二构成所涉及的光电转换装置也可设为：在第一构成中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换装置，其特征在于，包括：半导体基板；第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一个面侧，形成有至少一个第一非晶质半导体层，所述第一非晶质半导体层具有第一导电类型；第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一个面侧，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成，形成有至少一个第二非晶质半导体层，其中，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；多个第一电极，其相间隔地配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及多个第二电极，其相间隔地配置于所述第二非晶质半导体部之上，在一个所述第一非晶质半导体层之上，配置有多个所述第一电极，在一个所述第二非晶质半导体层之上，配置有多个所述第二电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.25 JP 2015-1277461.一种光电转换装置，其特征在于，包括：半导体基板；第一非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的一个面侧，形成有至少一个第一非晶质半导体层，所述第一非晶质半导体层具有第一导电类型；第二非晶质半导体部，其形成于所述半导体基板的所述一个面侧，且在所述半导体基板的面内方向与所述第一非晶质半导体部相邻地形成，形成有至少一个第二非晶质半导体层，其中，所述第二非晶质半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；多个第一电极，其相间隔地配置于所述第一非晶质半导体部之上；以及多个第二电极，其相间隔地配置于所述第二非晶质半导体部之上，在一个所述第一非晶质半导体层之上，配置有多个所述第一电极，在一个所述第二非晶质半导体层之上，配置有多个所述第二电极。2.如权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述第一非晶质半导体部形成有相间隔地配置的多个第一非晶质半导体层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田真臣，东贤一，神川刚，酒井敏彦，国吉督章，辻埜和也，邹柳民，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP