The present invention provides an organic structure and manufacturing process of optoelectronic devices, which is the organic layer and the two electrode layer in the same range after deposition with scanning laser breakdown on the second electrode layer and the second electrode layer is formed after partial breakdown, and electrically connected with the contact electrode layer. The invention can effectively reduce the organic optoelectronic devices using metal mask times, greatly reduce the time required for the alignment process and reduce the operating time caused by replacing the metal mask, is electrically connected with the laser scanning area and breakdown formed with a narrow border (border), will enable the organic optoelectronic devices has the function of large area.
【技术实现步骤摘要】
有机光电元件结构与制程方法
本专利技术涉及一种有机光电元件结构与制程方法。
技术介绍
有机光电元件的发展在近年来逐渐受到相关学界与业界的重视,常见的有机光电元件如有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池(OPV)、有机薄膜电晶体(OTFT)等。其中,有机发光二极管(OLED)是在两个电极之间夹有适当的有机化合物层,施加电压后电子与电洞会于有机化合物层中再结合而发光。有机发光二极管因其自发光、高照度、低重量、超薄外形、低功耗、宽视角、高对比度、制造简单、快速反应时间而应用于平板显示器及照明产业。在现有技术中,在有机发光二极管的制程中有机层及电极层需使用不同图形的金属遮罩并分别沉积,方能使电极层与预留的接触电极层直接接触,形成良好的电性导通。然而,使用不同的金属遮罩将使制作成本较高,同时制程中每一次的金属遮罩更换,都需经过再一次的对准定位的时间,且必要的预留对位公差将会使得有机发光二极管的发光面积减少,因此如何能够有效简化有机发光二极管的制程并同时兼顾机发光二极管发光特性,进一步达成减少制程工时及生产成本,为各方所研究的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供一种有机光电元件结构与制程方法,解决现有技术中存在的上述技术问题。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种有机光电元件制程方法,其特征是步骤如下:在一基板上的一侧沉积一第一电极层,在该基板的另一侧沉积一接触电极层;凭借一金属遮罩于该第一电极层及该接触电极层上,依序沉积一有机层、一第二电极层;以激光对该接触电极层处进行扫描击穿将部分该第二电极层、该有机层及该接触电极层去除;以及该第二电极层在激 ...
【技术保护点】
一种有机光电元件制程方法,其特征是步骤如下:在一基板上的一侧沉积一第一电极层,在该基板的另一侧沉积一接触电极层;凭借一金属遮罩于该第一电极层及该接触电极层上,依序沉积一有机层、一第二电极层;以激光对该接触电极层处进行扫描击穿将部分该第二电极层、该有机层及该接触电极层去除;以及该第二电极层在激光扫描处与该接触电极层形成电性连接。
【技术特征摘要】
2017.03.21 TW 1061092531.一种有机光电元件制程方法,其特征是步骤如下:在一基板上的一侧沉积一第一电极层,在该基板的另一侧沉积一接触电极层;凭借一金属遮罩于该第一电极层及该接触电极层上,依序沉积一有机层、一第二电极层;以激光对该接触电极层处进行扫描击穿将部分该第二电极层、该有机层及该接触电极层去除;以及该第二电极层在激光扫描处与该接触电极层形成电性连接。2.根据权利要求1所述的有机光电元件制程方法,其特征在于:该第一电极层及该接触电极层之间设有一间隔空间。3.根据权利要求2所述的有机光电元件制程方法,其特征在于:部分该有机层设于该第一电极层及该接触电极层之间的该间隔空间内。4.根据权利要求1所述的有机光电元件制程方法,其特征在于:该有机层与该第二电极层的沉积范围相同。5.根据权利要求1所述的有机光电元件制程方法,其特征在于:该接触电极层为金属层、金属氧化物层、或金属层与金属氧化物层的堆叠。6.根据权利要求1所述的有机光电元件制程方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄胜扬,赵清烟,张正澔,颜丰文,
申请(专利权)人:机光科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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