便于加工制作的珐琅首饰结构制造技术

本实用新型专利技术涉及领域，具体涉及了一种便于加工制作的珐琅首饰结构，包括胚底，胚底大致为片状，且胚底的边缘设有凸起的挡边，挡边的内壁沿胚底周长方向设有第一限位槽；胚底的表面上设有多个支撑柱，且多个支撑柱的根部沿其周长方向均设有第二限位槽，支撑柱和挡边位于胚底的同一表面上。本实用新型专利技术的便于加工制作的珐琅首饰结构，在胚底的挡边内壁和胚底支撑柱根部均设有限位槽，使得在烧制珐琅时，限位槽会阻止釉面向上攀升，且能保证工件各个部位的釉面边缘齐平。

Fabrication of Enamel Jewelry

The utility model relates to the field, in particular to an easy to manufacture the Enamel Jewelry structure, including embryo embryo bottom, bottom approximately flake, and the embryo bottom edge is provided with a flange convex edge along the circumference of the retaining wall, the bottom is provided with a first embryo direction limiting groove; a plurality of support pillar bottom surface of the embryo on, and a plurality of support columns along the circumference direction of the roots are provided with second limiting grooves, the columns and wall is located on the same surface of the bottom of the embryo. The Enamel Jewelry structure which is convenient for processing and manufacture is provided with a limited slot on the inner side of the edge of the embryo bottom and the root of the supporting base of the embryo base, so that when the enamel is fired, the limiting groove prevents the glaze from rising up, and ensures that the glazing edges of each part of the workpiece are flush.

【技术实现步骤摘要】
便于加工制作的珐琅首饰结构
本技术涉及珠宝首饰加工领域，特别是涉及一种便于加工制作的珐琅首饰结构。
技术介绍
传统的首饰结构在烧制珐琅的时候，经常会出现釉面沿着工件的侧壁向上攀升的情况，而且不同的部位攀升高度参差不齐，明显影响外观效果。当攀升的釉层要打磨去除时，操作难度大，费时费工。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种便于加工制作的珐琅首饰结构，在胚底的挡边内壁设有第一限位槽，在胚底表面上的支撑柱根部设有第二限位槽，使得在烧制珐琅工序中，釉面会因限位槽的阻挡而停止向上攀升，且各个部位的釉面边缘高度均一致。为了解决上述问题，本技术提供了一种便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，包括胚底，所述胚底大致为片状，且所述胚底的边缘设有凸起的挡边，所述挡边的内壁沿所述胚底周长方向设有第一限位槽；所述胚底的表面上设有多个支撑柱，且多个所述支撑柱的根部沿其周长方向均设有第二限位槽，所述支撑柱和挡边位于所述胚底的同一表面上。作为优选的，多个所述支撑柱均为回转体结构，且所述支撑柱均设有定位孔。作为优选的，还包括嵌件，所述嵌件可拆卸的连接于所述支撑柱上。作为优选的，所述嵌件的底部设有多个定位杆，所述定位杆的数量与所述支撑柱数量相同，且一一对应地插入所述定位孔内。作为优选的，所述定位孔为穿过所述胚底的通孔，所述定位孔的轴线与所述支撑柱的轴线重合。作为优选的，所述定位孔的深度大于或等于所述定位杆的长度。作为优选的，所述定位杆的末端设有倒角。作为优选的，所述定位杆和定位孔采用激光焊接加固连接。作为优选的，所述第一限位槽和第二限位槽的深度均为0.2～0.3mm。本技术的便于加工制作的珐琅首饰结构，胚底大致为片状，在胚底的挡边内壁设有第一限位槽，在胚底表面的支撑柱根部设有第二限位槽，该结构有利于阻止珐琅烧制时釉面向上攀升，且能保证工件各部位釉面边缘齐平。附图说明图1是本技术实施例的便于加工制作的珐琅首饰结构的嵌件与胚底装配的剖面示意图；图2是本技术实施例的便于加工制作的珐琅首饰结构的定位孔的剖面示意图。其中，1、胚底；2、嵌件；21、定位杆；211、倒角；3、挡边；31、第一限位槽；311、第一侧壁；312、第二侧壁；4、支撑柱；41、第二限位槽；411、第三侧壁；412、第四侧壁；42、定位孔；A、填釉料区。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。结合图2所示，示意性地显示了本技术实施例的便于加工制作的珐琅首饰结构，包括胚底1，胚底1大致为片状，且胚底1的边缘设有一圈凸起于胚底1表面的挡边3，挡边3的内侧壁沿胚底1的周长方向设有第一限位槽31，防止在烧制珐琅的时候釉面沿挡边3内侧壁向上攀升；胚底1的表面上还设有多个支撑柱4，支撑柱4和挡边3位于胚底1的同一表面上，且各个支撑柱4的根部沿其周长方向均设有第二限位槽41，防止在烧制珐琅的时候釉面沿支撑柱4侧壁向上攀升；其中区域A中用于填充釉料，且胚底1的厚度是区域A的厚度的2～3倍。第一限位槽31和第二限位槽41均用于限制烧制珐琅时釉面向上攀升，保证了在珐琅烧制完成后，釉面的边缘齐平，解决了传统首饰的珐琅烧制后出现的釉面边缘参差不齐的问题。优选的，各个支撑柱4均为回转体结构，而且各个支撑柱4均设有定位孔42；另外，第一限位槽31和第二限位槽41的深度均优选为0.2～0.3mm。结合图1和图2所示，该便于加工制作的珐琅首饰结构还包括嵌件2，嵌件2可拆卸的连接于支撑柱4上，嵌件2上可镶嵌宝石。因为镶嵌宝石需要对宝石和被镶嵌部位进行敲打，可能会对已烧制好的珐琅部位造成损伤，所以先在嵌件2上进行镶嵌宝石的操作，然后再将嵌件2固定在胚底1的支撑柱4上，这样能保证在镶嵌宝石的时候，不破坏到已烧制好的珐琅部位。为了将嵌件2牢靠的固定在胚底1上，嵌件2的底部设有多个定位杆21，定位杆21的数量和支撑柱4的数量相同，且各个定位杆21一一对应地插入定位孔42内。同时，定位孔42优选为穿过胚底1的通孔，定位孔42的轴线和支撑柱4的轴线重合；定位孔42的深度要大于或等于定位杆21的长度，以免定位杆21的长度过长，从胚底1的通孔中穿出，影响美观。此外，定位杆21的末端设有倒角211，方便在嵌件2安装到胚底1上时，倒角211能对定位杆21和定位孔42的装配起到导向作用；当嵌件2和胚底1装配好后，使用激光焊接将定位孔42和定位杆21焊接加固。综上所述，本技术实施例在挡边3的内侧壁设置的第一限位槽31，以及在支撑柱4根部设置的第二限位槽41能够阻止在珐琅烧制时釉面向上攀升，保证工件各部位釉面边缘齐平。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，包括胚底，所述胚底大致为片状，且所述胚底的边缘设有凸起的挡边，所述挡边的内壁沿所述胚底周长方向设有第一限位槽；所述胚底的表面上设有多个支撑柱，且多个所述支撑柱的根部沿其周长方向均设有第二限位槽，所述支撑柱和挡边位于所述胚底的同一表面上。

【技术特征摘要】
1.一种便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，包括胚底，所述胚底大致为片状，且所述胚底的边缘设有凸起的挡边，所述挡边的内壁沿所述胚底周长方向设有第一限位槽；所述胚底的表面上设有多个支撑柱，且多个所述支撑柱的根部沿其周长方向均设有第二限位槽，所述支撑柱和挡边位于所述胚底的同一表面上。2.根据权利要求1所述的便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，多个所述支撑柱均为回转体结构，且所述支撑柱均设有定位孔。3.根据权利要求2所述的便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，还包括嵌件，所述嵌件可拆卸的连接于所述支撑柱上。4.根据权利要求3所述的便于加工制作的珐琅首饰结构，其特征在于，所述嵌件的底部设有多个定位杆，所述定位...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁军平，陈德东，陈绍兴，黄宇亨，马春宇，
申请(专利权)人：广州番禺职业技术学院，
类型：新型
国别省市：广东,44