像素界定层及其制备方法和应用技术

本发明专利技术一种像素界定层及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；S3、获取光照掩板，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50‑200μm；S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100‑300mj/cm

Pixel definition layer and its preparation method and Application

The invention relates to a pixel defining layer and a preparation method and application thereof, which comprises the following steps: S1, get the substrate, the substrate has a pixel electrode S2 graphic; on the substrate, depositing a layer of negative photoresist film; S3, get the light mask, the interval is arranged between the light mask plate and the negative photoresist film, the interval is 50 200 m; S4, using the light mask on the negative photoresist film exposure, exposure dose of 100 300mj/cm

【技术实现步骤摘要】
像素界定层及其制备方法和应用
本专利技术涉及发光器件
，特别是涉及一种像素界定层及其制备方法和应用。
技术介绍
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，成为了目前显示领域发展的两个主要方向。目前，不论是OLED还是QLED，用作显示面板的发光像素单元时，都需要在像素单元制作像素界定层(bank)，定义发光区以及沉积各功能薄膜。对于蒸镀工艺或者湿法工艺制作OLED或QLED，像素bank一般要求具有小角度tape角，有利于后期膜层的沉积。像素bank一般采用光阻材料制备，负性光阻材料由于其成本相对于正性光阻材料要低，从降低成本的角度考虑，一般会采用负性光阻来制作像素bank，然而采用负性光阻制作像素bank时，容易形成倒角，如图1所示，因为负性光阻曝光时，由于上层薄膜接受的曝光量相对要大于下层薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；S3、获取光照掩板，所述光照掩板设有遮蔽区域和光照区域，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50‑200μm；S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100‑300mj/cm

【技术特征摘要】
1.一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；S3、获取光照掩板，所述光照掩板设有遮蔽区域和光照区域，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50-200μm；S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100-300mj/cm2；S5、对曝光后的所述负性光阻薄膜进行显影操作，去除未曝光的所述负性光阻薄膜，形成所述像素界定层。2.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间的间隔为80-120μm。3.根据权利要求1所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述负性光阻薄膜还进行了低温预烘，温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44