具有抑制电位变化的开关元件的半导体装置制造方法及图纸

半导体装置设置有彼此并联连接的多个开关元件和并联连接到多个上述开关元件的多个回流元件。用作多个上述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个上述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接。上述开关元件和与在最低电位一侧并联连接的上述回流元件构成为使得从连接至上述发射电极的发射极端子到上述回流元件的距离变成不大于从上述发射极端子到上述开关元件的距离。

A semiconductor device with a switching element with a change of potential

A semiconductor device is provided with a plurality of switch elements connected in parallel to each other and a plurality of reflux elements connected in parallel to a plurality of switch elements. The emitter electrode as a reference potential of the plurality of switch elements and is used as an anode electrode reference potential of a plurality of the backflow element in the same plate-shaped member made of a conductive material is connected electrically. The switch elements and the reflux elements connected in parallel with the lowest potential side are made to make the distance from the emitter terminals connected to the above transmitting electrodes to the reflux elements no more than the distance from the emitter terminals to the above switching elements.

【技术实现步骤摘要】
具有抑制电位变化的开关元件的半导体装置
本公开涉及一种多个开关元件并联连接的半导体装置。
技术介绍
已知有具有并联连接的多个开关元件的半导体装置。在例如JP-A2003-110064中公开有半导体装置的实例。该半导体装置设置有包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关元件。近来，为了响应对高输出半导体装置的要求，已使用如下结构，其中，多个开关元件彼此并联连接，并且作为回流元件的二极管被反向地并联连接到上述开关元件。在上述结构中，在回流元件的恢复期间，恢复电流从集电极端子流向发射极端子。此时，电流流向开关元件的发射极线，由此产生电位差、即发射极电位差。发射极电位差由发射极线的电感L与切换期间的电流的变化率di/dt的乘积表示。当例如上述JP-A2003-110064中公开的多个开关元件彼此并联连接时，已使用诸如汇流条之类的外部配线来形成发射极线。当使用外部配线时，发射极电位差可能变高。其原因包括如下几点：外部配线自身变长且电感L大；通电量根据多个开关元件的个体不同而不同；以及电流的时间变化率di/dt大。另外，若发射极电位差变大，且发射极线的电位即栅极电位的基准电位大幅波动，则开关元件的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：多个开关元件，多个所述开关元件彼此并联连接；以及多个回流元件，多个所述回流元件并联连接到多个所述开关元件，其特征在于，多个所述开关元件和多个所述回流元件中的至少每两个构成一个被树脂密封的半导体模块，用作多个所述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个所述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接，在被树脂密封的所述半导体模块中的位于最低电位一侧的、并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成为使得从连接至所述发射电极的所述发射极端子到所述回流元件的距离变成不大于从所述发射极端子到所述开关元件的距离。

【技术特征摘要】
2016.08.05 JP 2016-1548651.一种半导体装置，包括：多个开关元件，多个所述开关元件彼此并联连接；以及多个回流元件，多个所述回流元件并联连接到多个所述开关元件，其特征在于，多个所述开关元件和多个所述回流元件中的至少每两个构成一个被树脂密封的半导体模块，用作多个所述开关元件的基准电位的发射电极和用作多个所述回流元件的基准电位的阳极电极通过由导电材料制成的同一板状构件电连接，在被树脂密封的所述半导体模块中的位于最低电位一侧的、并联连接的所述开关元件和所述回流元件构成为使得从连接至所述发射电极的所述发射极端子到所述回流元件的距离变成不大于从所述发射极端子到所述开关元件的距离。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个所述开关元件中的至少两个开关元件布置成沿着所述板状构件的板面彼此相邻。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，彼此相邻的至少两个所述开关元件布置成使得各个元件中心位于同一虚拟直线上。4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，多个所述开关元件各自的栅电极穿过连接线而被电连接到控制部，其中，所述连接线夹装在多个所述开关元件与所述板状构件之间，所述控制部对多个所述开关元件的切换动作进行控制。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在多个所述开关元件与所述板状构件之间夹装有导电的间隔件，所述间隔件电连接到多个所述开关元件和所述板状构件，并构成为形成用于从多个所述开关元件各自的所述栅电极引...

【专利技术属性】
技术研发人员：山平优，松冈哲矢，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP