触控结构及其制备方法和触控基板技术

本发明专利技术公开了一种触控结构及其制备方法和触控基板，该触控结构包括触控电极本体和静电释放结构；触控电极本体用于进行触控识别；静电释放结构与电极本体连接用于释放静电。本发明专利技术的技术方案通过将触控电极本体与静电释放结构连接，当触控结构中产生静电荷时，静电荷将会在静电释放结构处聚集，而不在触控电极本体上聚集；当静电荷能量过高时，静电荷可在静电释放结构处进行释放，从而可避免静电荷在触控电极本体处释放造成触控电极本体击穿、熔断等不良的问题，进而实现了对触控电极本体进行保护。

Touch control structure and its preparation method and touch base plate

The invention discloses a touch control structure, a preparation method and a touch control substrate. The touch control structure comprises a touch control electrode body and an electrostatic release structure, and the touch control electrode body is used for touch identification, and the electrostatic release structure is connected with the electrode body to release static electricity. The technical scheme of the invention by the touch electrode body and electrostatic discharge structure is connected, when the static charge control structure when the electrostatic charge will be released in the structure of electrostatic agglomeration, gathered in the touch electrode body; when the static charge is too high, the static charge can be released in the static electricity release structure, thus can avoid static charge release in the body at the touch electrode caused by touch electrode breakdown, fuse and other adverse problems, so as to realize the protection of the touch electrode.

【技术实现步骤摘要】
触控结构及其制备方法和触控基板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种触控结构及其制备方法和触控基板。
技术介绍
电容式触控技术凭借其较低的成本和优异的用户体验已成为触控技术的主流。在现有的电容式触控基板中，触控电极上容易存在静电荷，且随着静电荷的累积，在触控电极上一些薄弱位置，例如互电容式触控电极中的桥线处、自电容式触控电极与其对应信号走线的连接处，极其容易发生静电释放并产生较大电流，使得该薄弱位置出现击穿、熔断等不良，从而导致触控电极损坏，影响产品的功能。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种一种触控基板及其制备方法和触控装置。为实现上述目的，本专利技术提供了一种触控结构，包括：触控电极本体和静电释放结构；所述触控电极本体用于进行触控识别；所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。可选地，所述触控电极本体包括：交叉设置的第一互容触控电极和第二互容触控电极；所述第一触控电极包括：沿第一方向设置的多个第一电极，相邻的所述第一电极通过第一导电结构连接；所述第二触控电极包括：沿第二方向设置的多个第二电极，相邻的所述第二电极通过第二导电结构连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控结构，其特征在于，包括：触控电极本体和静电释放结构；所述触控电极本体用于进行触控识别；所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。

【技术特征摘要】
1.一种触控结构，其特征在于，包括：触控电极本体和静电释放结构；所述触控电极本体用于进行触控识别；所述静电释放结构与所述电极本体连接，用于释放静电。2.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控电极本体包括：交叉设置的第一互容触控电极和第二互容触控电极；所述第一触控电极包括：沿第一方向设置的多个第一电极，相邻的所述第一电极通过第一导电结构连接；所述第二触控电极包括：沿第二方向设置的多个第二电极，相邻的所述第二电极通过第二导电结构连接，所述第二导电结构与所述第一导电结构绝缘；所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接；和/或，所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接。3.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，当所述静电释放结构与所述第一导电结构电连接时，至少部分所述第一电极上存在第一镂空区域，所述静电释放结构位于所述第一镂空区域内且与对应的所述第一电极连接；当所述静电释放结构与所述第二导电结构电连接时，至少部分所述第二电极上存在第二镂空区域，所述静电释放结构位于所述第二镂空区域内且与对应的所述第二电极连接。4.根据权利要求2所述的触控结构，其特征在于，所述静电释放结构的材料与所述第二导电结构的材料相同。5.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述触控电极本体包括：自容触控电极，所述自容触控电极上设置有第三镂空区域，所述静电释放结构位于所述第三镂空区域内且与所述自容触控电极连接。6.根据权利要求1所述的触控结构，其特征在于，所述静电释放结构包括：平行设置的多条第一导线和平行设置的多条第二导线，所述第一导线和所述第二导线同层设置，多条所述第一导线与多条所述第二导线相交呈网格状。7.根据权利要求6所述的触控结构，其特征在于，对于任意一条所述第一导线的一个端部，该端部与一条所述第二导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端；对于任意一条所述第二导线的一个端部，该端部与一条所述第一导线的一个端部在所述静电释放结构的边缘区域汇聚以形成一个放电尖端。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔恺，邹国寿，宁培桓，朱石林，曾维泉，万彬，王婷婷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11