当前位置: 首页 > 专利查询>成都大学专利>正文

一种带双层屏蔽层的电控柜制造技术

技术编号:17253112 阅读:29 留言:0更新日期:2018-02-11 12:32
本实用新型专利技术涉及电控柜,具体涉及一种带双层屏蔽层的分层抗电磁相互干扰的电控柜,包括空心柜体,空心柜体内设有金属屏蔽层,空心柜体内壁上设有进线电抗器和接地铜排,空心柜体内部设有第一隔板,第一隔板上固定有承重块,承重块上固定有第二隔板,第一隔板与第二隔板内均设有金属屏蔽层;本实用新型专利技术所提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的电控柜内部的电气设备在工作时会产生相互电磁干扰的缺陷。

A double layer shielding cabinet

The utility model relates to a cabinet, in particular relates to a double layered shielding layer with anti electromagnetic interference of the electric control cabinet, comprising a hollow hollow cabinet, the cabinet body is provided with a metal shielding layer is arranged on the inner wall of the hollow body, line reactors and grounding bus bar, a hollow cabinet is provided with a first partition and the first clapboard are fixed on the bearing block. There are second baffle fixed bearing block, the first partition board and the second clapboard are arranged in the metal shielding layer; defect of technical scheme of the utility model can effectively overcome the problems of the prior art electrical cabinet internal electrical equipment at work can cause mutual electromagnetic interference.

【技术实现步骤摘要】
一种带双层屏蔽层的电控柜
本技术涉及电控柜,具体涉及一种带双层屏蔽层抗电磁相互干扰的电控柜。
技术介绍
随着大功率电气行业的不断发展,电控柜的整体尺寸越来越向着小型化的方向发展,从而使得很多电气设备的功率回路和控制回路被安装在一个密闭的柜体内。而功率回路工作时所产生的强大磁场会严重干扰控制回路的正常工作,这些干扰轻则导致电气系统报故停机,重则导致控制出错,从而损坏电气设备,造成重大的设备损坏。此外,现有的电控柜内部空间设计不够合理,导致许多电气设备在工作时互相离得很近,而电气设备工作时所产生的磁场也会造成相互干扰。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺点,本技术提供了一种分层抗电磁相互干扰的电控柜,能够有效克服现有技术所存在的电控柜内部的电气设备在工作时会产生相互电磁干扰的缺陷。(二)技术方案为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:一种分层抗电磁相互干扰的电控柜,包括空心柜体,所述空心柜体内设有金属屏蔽层,所述空心柜体内壁上设有进线电抗器和接地铜排,所述空心柜体内部设有第一隔板,所述第一隔板上固定有承重块,所述承重块上固定有第二隔板,所述第一隔板与第二隔板内均本文档来自技高网...
一种带双层屏蔽层的电控柜

【技术保护点】
一种带双层屏蔽层的电控柜,其特征在于:包括空心柜体(1),所述空心柜体(1)内设有金属屏蔽层(2),所述空心柜体(1)内壁上设有进线电抗器(3)和接地铜排(4),所述空心柜体(1)内部设有第一隔板(5),所述第一隔板(5)上固定有承重块(6),所述承重块(6)上固定有第二隔板(7),所述第一隔板(5)与第二隔板(7)内均设有金属屏蔽层(2)。

【技术特征摘要】
1.一种带双层屏蔽层的电控柜,其特征在于:包括空心柜体(1),所述空心柜体(1)内设有金属屏蔽层(2),所述空心柜体(1)内壁上设有进线电抗器(3)和接地铜排(4),所述空心柜体(1)内部设有第一隔板(5),所述第一隔板(5)上固定有承重块(6),所述承重块(6)上固定有第二隔板(7),所述第一隔板(5)与第二隔板(7)内均设有金属屏蔽层(2)。2.根据权利要求1所述的一种带双...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵静韦楠苏宪银
申请(专利权)人:成都大学
类型:新型
国别省市:四川,51

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1