【技术实现步骤摘要】
一种一维自旋交叉分子磁性材料及其制备方法
本专利技术属于分子基自旋交叉磁性材料的合成
,具体涉及一种基于吡啶酰胺配体的二价铁一维自旋交叉配位聚合物磁性材料及其制备方法。
技术介绍
近十几年来,分子基磁性材料得到了迅速发展。作为高度有序的分子体系,它具有结构多样性,易于用化学方法对分子进行修饰和剪裁而改变其磁性;磁性能的多样性,可以将磁性和其他如机械、光、电等特性相结合;可以用常温或低温的方法进行合成;易于加工成形,可以制成许多传统磁体难以实现的器件;低密度等特点,正是这些特点使它成了分钟材料领域科研工作者研究的焦点。目前,分子基磁性材料的研究热点主要集中在设计和合成纳米分子磁体(包括单分子和单链磁体)、高相变温度(Tc)磁材料、自旋交叉材料和光-磁、电-磁、磁-电、手性-磁、微孔-磁等多功能复合材料。随着微电子的迅速发展,分子水平的电子器件材料的研究越来越受到人们的关注。(A.Cornia,;M.Mannini,P.Sainctavit,R.Sessoli,Chem.Soc.Rev.2011,40,3076;Spin-crossovermaterials(E ...
【技术保护点】
一种基于吡啶酰胺配体的二价铁一维自旋交叉配位聚合物磁性材料,其特征在于,所述材料的分子式为C51H56FeN14O9Se2; 化学式为:[FeL2(SeCN)2]n·4nDMF·nCH3OH所述磁性材料的晶体结构为:晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a = 25.1307(14) Å,b = 14.3256(8) Å , c = 17.0759(11) Å, α= 90°,β=118.119(8)°,γ= 90°,所述磁性材料的结构见图1。
【技术特征摘要】
1.一种基于吡啶酰胺配体的二价铁一维自旋交叉配位聚合物磁性材料,其特征在于,所述材料的分子式为C51H56FeN14O9Se2;化学式为:[FeL2(SeCN)2]n·4nDMF·nCH3OH所述磁性材料的晶体结构为:晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a=25.1307(14)Å,b=14.3256(8)Å,c=17.0759(11)Å,α=90°,β=118.119(8)°,γ=90°,所述磁性材料的结构见图1。2.如权利要求1所述的一种基于吡啶酰胺配体的二价铁一维自旋交叉配位聚合物磁性材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(S1)材料制备是在常温常压下进行的,将配体L的DMF溶液置于双臂H型管的一侧,水合高氯酸亚铁的甲醇溶液置于另一侧,再将用硒...
【专利技术属性】
技术研发人员:张道鹏,薛冲冲,石景文,
申请(专利权)人:山东理工大学,
类型:发明
国别省市:山东,37
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