一种片式共模差模磁集成滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种片式共模差模磁集成滤波器，包括对称设置的左、右磁轭，左、右磁轭之间并排连接有第一磁柱、第二磁柱和第三磁柱，第二磁柱与第一、第三磁柱之间间距相等，第一磁柱上绕有第一绕组，第三磁柱上绕有第二绕组，第一、第二绕组材料相同且绕线匝数相同，第二磁柱上不绕线，第一、第二绕组各自两个线端分别与对应方向磁轭上设置的电连接端子连接，背部磁芯连接在左、右磁轭顶面并盖住左、右磁轭及三组磁柱。本发明专利技术实现共模滤波器与差模滤波器的磁集成，可适用于不断小型轻量化的便携式设备的高密度化安装，实现了磁芯大部分共用、线圈全部共用，有利于控制产品高度，便于片式安装，有利于磁场屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
一种片式共模差模磁集成滤波器
本专利技术涉及电路滤波器领域，具体是一种片式共模差模磁集成滤波器。
技术介绍
电路中通常需要一个单相共模滤波器和一个差模滤波器，分别用以抑制共模干扰和差模干扰。现有的单相共模滤波器，通常有四个接线端子，能抑制共模干扰，但对差模干扰无抑制作用；现有差模滤波器，通常只有两个接线端子，能抑制差模干扰，但对共模干扰无抑制作用。而在电路中分开设置单相共模滤波器和差模滤波器不利于不断小型轻量化的便携式设备的高密度化安装，存在体积大、重量重、损耗大、成本高等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种片式共模差模磁集成滤波器，以解决现有技术电路中分开设置单相共模滤波器和差模滤波器不利于电子设备轻量化要求和高密度化安装要求的问题。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：一种片式共模差模磁集成滤波器，其特征在于：包括对称设置的左、右磁轭，左、右磁轭结构相同并分别采用高磁导率软磁材料制成，左、右磁轭之间并排连接有第一磁柱、第二磁柱和第三磁柱，三组磁柱分别为沿左右水平方向直线延伸的直柱，其中第一磁柱与第三磁柱相互对称，第二磁柱位于第一、第三磁柱之间，且第二磁柱与第一、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式共模差模磁集成滤波器，其特征在于：包括对称设置的左、右磁轭，左、右磁轭结构相同并分别采用高磁导率软磁材料制成，左、右磁轭之间并排连接有第一磁柱、第二磁柱和第三磁柱，三组磁柱分别为沿左右水平方向直线延伸的直柱，其中第一磁柱与第三磁柱相互对称，第二磁柱位于第一、第三磁柱之间，且第二磁柱与第一、第三磁柱之间间距相等，第一磁柱、第三磁柱结构相同并分别采用高磁导率软磁材料制成，第二磁柱采用开有气隙的高磁导率软磁材料或未开气隙的低磁导率软磁材料制成，第一磁柱上绕有第一绕组，第三磁柱上绕有第二绕组，第一、第二绕组材料相同且绕线匝数相同，第二磁柱上不绕线，第一、第二绕组各自两个线端分别与对应方向磁轭上...

【技术特征摘要】
1.一种片式共模差模磁集成滤波器，其特征在于：包括对称设置的左、右磁轭，左、右磁轭结构相同并分别采用高磁导率软磁材料制成，左、右磁轭之间并排连接有第一磁柱、第二磁柱和第三磁柱，三组磁柱分别为沿左右水平方向直线延伸的直柱，其中第一磁柱与第三磁柱相互对称，第二磁柱位于第一、第三磁柱之间，且第二磁柱与第一、第三磁柱之间间距相等，第一磁柱、第三磁柱结构相同并分别采用高磁导率软磁材料制成，第二磁柱采用开有气隙的高磁导率软磁材料或未开气隙的低磁导率软磁材料制成，第一磁柱上绕有第一绕组，第三磁柱上绕有第二绕组，第一、第二绕组材料相同且绕线匝数相同，第二磁柱上不绕线，第一、第二绕组各自两个线端分别与对应方向磁轭上设置的电连接端子连接，还包括背部磁芯，背部磁芯采用高磁导率软磁材料制成，背部磁芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘先松，胡锋，胡军，孟祥雨，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34