AMOLED像素驱动电路及其驱动方法技术

本发明专利技术提供了一种AMOLED像素驱动电路及其驱动方法，其采用6T1C结构的像素驱动电路并搭配有特定的驱动时序，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，同时通过N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的搭配，减少薄膜晶体管和扫描控制信号的数量，从而简化像素驱动电路结构，增大有效发光面积。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及其驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及其驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。随着驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，流过有机发光二极管的电流变化很大，导致有机发光二极管的发光很不稳定、亮度很不均匀，极大地影响画面的显示效果。要解决上述问题需对每一个像素加补偿电路，补偿意味着必须对每一个像素中的驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿，使流过有机发光二级管的电流变得与阈值电压无关如图1所示，一种7T2C结构的AMOLED像素驱动电路，包括7个薄膜晶体管和2个电容，分别为：第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、第五薄膜晶体管T50、第六薄膜晶体管T60、第七薄膜晶体管T70、第一电容C10、及第二电容C20，该像素驱动电路需要4个扫描控制信号控制，分别为第一扫描控制信号S10、第二扫描控制信号S20、第三扫描控制信号S30、及第四扫描控制信号S40；该电路的工作时序图如图2所示，该电路的工作过程包括：第一阶段10、第二阶段20、及第三阶段30，其中第二阶段20，所述第二扫描控制信号S20先提供高电位后提供低电位，此时当所述第二扫描控制信号S20提供低电位时，由于第一电容C1的作用，会导致第一电容C1和第二电容C2的连接点处的电位不稳定，并且该像素驱动电路需要7个薄膜晶体管和2个电容，结构复杂，像素的有效发光面积较低，扫描控制信号数量较多，使得时序控制器也较复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，简化像素驱动电路结构，增大有效发光面积。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极接入第二扫描控制信号，源极电性连接数据信号，漏极电性连接第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第一扫描控制信号，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接有机发光二极管的阳极；所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极接入参考电压，漏极电性连接第二节点；所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，漏极接入电源高电压，源极电性连接第三节点；所述电容的一端电性连接第二节点，另一端电性连接第三节点；所述有机发光二极管的阴极接入电源低电压；所述第五薄膜晶体管为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中的一种，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中不同于第五薄膜晶体管的另一种。所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、以及第三扫描控制信号相组合，先后对应于一数据电压存储阶段、一阈值电压补偿阶段、及显示发光阶段，并控制所述有机发光二极管在一数据电压存储阶段及一阈值电压补偿阶段不发光。在所述数据电压存储阶段，所述第一扫描控制信号提供第一电位，所述第二扫描控制信号提供第一电位，第三扫描控制信号提供不同于第一电位的第二电位，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第五薄膜晶体管打开，所述第二薄膜晶体管及第四薄膜晶体管关闭；在阈值电压补偿阶段，所述第一扫描控制信号提供第二电位，所述第二扫描控制信号先提供第一电位后提供第二电位，第三扫描控制信号提供第二电位，所述第五薄膜晶体管打开，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管关闭，所述第一薄膜晶体管先打开后关闭；在显示发光阶段，所述第一扫描控制信号提供第二电位，所述第二扫描控制信号提供第二电位，第三扫描控制信号提供第一电位，所述第二薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管打开，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第五薄膜晶体管关闭。所述第五薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。所述第一电位为高电位，所述第二电位为低电位。所述第五薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。所述第一电位为低电位，所述第二电位为高电位。所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、与第三扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。本专利技术还提供一种AMOLED像素驱动方法，应用于上述AMOLED像素驱动电路，包括如下步骤：步骤S001、进入数据电压存储阶段；所述第一扫描控制信号提供第一电位，所述第二扫描控制信号提供第一电位，第三扫描控制信号提供不同于第一电位的第二电位，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第五薄膜晶体管打开，所述第二薄膜晶体管及第四薄膜晶体管关闭，数据信号写入第一节点，参考电压写入第二节点和第三节点；步骤S002、进入阈值电压补偿阶段；所述第一扫描控制信号提供第二电位，所述第二扫描控制信号先提供第一电位后提供第二电位，第三扫描控制信号提供第二电位，所述第五薄膜晶体管打开，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、及第四薄膜晶体管关闭，所述第一薄膜晶体管先打开后关闭；在所述第二扫描控制信号为第一电位时，第三节点通过第六薄膜晶体管放电，使得第三阶节点的电位变为Vdata-Vth，电其中，Vdata为数据信号的电压，Vth为第六薄膜晶体管的阈值电压；在所述第二扫描控制信号为第二电位时，第一节点的电压变为零，第二节点的电压维持在参考电压，第三节点的电压维持本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第一节点(A)，漏极电性连接第二节点(B)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接第二节点(B)，漏极电性连接第三节点(C)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接有机发光二极管(D)的阳极；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接第二节点(B)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接第一节点(A)，漏极接入电源高电压(OVDD)，源极电性连接第三节点(C)；所述电容(C1)的一端电性连接第二节点(B)，另一端电性连接第三节点(C)；所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；所述第五薄膜晶体管(T5)为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中的一种，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T6)均为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中不同于第五薄膜晶体管(T5)的另一种。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第一节点(A)，漏极电性连接第二节点(B)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接第二节点(B)，漏极电性连接第三节点(C)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接有机发光二极管(D)的阳极；所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(S3)，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接第二节点(B)；所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接第一节点(A)，漏极接入电源高电压(OVDD)，源极电性连接第三节点(C)；所述电容(C1)的一端电性连接第二节点(B)，另一端电性连接第三节点(C)；所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；所述第五薄膜晶体管(T5)为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中的一种，所述第一、第二、第三、第四及第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T6)均为N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管中不同于第五薄膜晶体管(T5)的另一种。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、以及第三扫描控制信号(S3)相组合，先后对应于一数据电压存储阶段(1)、一阈值电压补偿阶段(2)、及一显示发光阶段(3)，并控制所述有机发光二极管(D)在一数据电压存储阶段(1)及一阈值电压补偿阶段(2)不发光。3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在所述数据电压存储阶段(1)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第一电位，所述第二扫描控制信号(S2)提供第一电位，第三扫描控制信号(S3)提供不同于第一电位的第二电位，所述第一薄膜晶体管(T1)、第三薄膜晶体管(T3)、及第五薄膜晶体管(T5)打开，所述第二薄膜晶体管(T2)及第四薄膜晶体管(T4)关闭；在所述阈值电压补偿阶段(2)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第二电位，所述第二扫描控制信号(S2)先提供第一电位后提供第二电位，第三扫描控制信号(S3)提供第二电位，所述第五薄膜晶体管(T5)打开，所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)关闭，所述第一薄膜晶体管(T1)先打开后关闭；在所述显示发光阶段(3)，所述第一扫描控制信号(S1)提供第二电位，所述第二扫描控制信号(S2)提供第二电位，第三扫描控制信号(S3)提供第一电位，所述第二薄膜晶体管(T2)、及第四薄膜晶体管(T4)打开，所述第一薄膜晶体管(T1)、第三薄膜晶体管(T3)、及第五薄膜晶体管(T5)关闭。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珊，温亦谦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44