蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法技术

本发明专利技术涉及一种蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。

Etching liquid composition and a metal pattern manufacturing method using the composition

The invention relates to an etching liquid composition and a method for making use of a metal pattern of the composition. The etchant composition contains: hydrogen peroxide; fluorinated compounds; triazole compounds; carboxyl amine compounds; phosphate compounds; C1 C5 substituted or unsubstituted alkyl propylene glycol or replaced by C1 or C5 alkyl unsubstituted butylene glycol and water.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法
本专利技术涉及一种蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法。
技术介绍
通常，薄膜晶体管显示板(ThinFirmTransistor；TFT)在液晶显示装置或有机电致发光(ElectroLuminescence；EL)显示装置等中被用作独立驱动各个像素的电路基板。薄膜晶体管显示板形成有用于传递扫描信号的扫描信号布线或栅极布线、以及用于传递图像信号的图像信号线或数据布线，并由连接于栅极布线及数据布线的薄膜晶体管、以及连接于薄膜晶体管的像素电极等构成。在制造这样的薄膜晶体管显示板时，在基板上层叠栅极布线及数据布线用金属层，其后续执行用于蚀刻这些金属层的过程。近来，为了实现伴随显示面板的大面积化而至的图像稳定化，栅极布线由导电率特性优良的Ti/Cu构成，以利于具备迅捷的响应速度。在形成栅极布线之后，为了使层叠于上部的层不具有缺陷，栅极布线的末端需要呈现出徐缓形态的锥角。而且，为了改善工艺中的效率并节省工艺成本，要求蚀刻液组合物的特性能够维持较长的时间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种既具备优良的发热稳定性又能够长期反复使用的蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案的制造方法。根据一方面，提供一种蚀刻液组合物，其包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。根据另一方面，提供一种金属图案的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成金属膜；在所述金属膜上形成光致抗蚀图案；以及将所述光致抗蚀图案用作掩膜而使如上所述的蚀刻液组合物接触到所述金属膜，从而将金属膜蚀刻。对于所述蚀刻液组合物而言，即使处理枚数累积也不会发生发热反应，因此表现出优良的发热稳定性。并且，对于所述蚀刻液组合物而言，即使处理枚数累积或者在制造后存放预定日数，也可以维持新液的特性，因此所述蚀刻液组合物可被长期反复使用。进而，可利用所述蚀刻液组合物而制造金属图案，从而节省工艺成本。附图说明图1至图3为用于说明根据本专利技术的一实施例的金属图案的形成方法的剖面图。图4a是表示铜浓度为0ppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物的蚀刻轮廓的SEM照片。图4b是表示铜浓度为7000ppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物的蚀刻轮廓的SEM照片。图5a是表示铜浓度为0ppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物被存放7天之后的蚀刻轮廓的SEM照片。图5b是表示铜浓度为0ppm的条件下的制造例2的蚀刻液组合物被存放14天之后的蚀刻轮廓的SEM照片。符号说明110：基板122：钛合金膜124：铜膜130：光致抗蚀图案ML：金属膜MP：金属图案具体实施方式本专利技术可被加以多样的变形，并可具有多种实施例，特定实施例被示例性地图示于附图中，并在下文中进行详细的说明。本专利技术的效果及特征、以及用于实现目的的方法只要参考与附图相结合的后述的实施例就可明确理解。然而，本专利技术并不局限于以下公开的实施例，其可以由多样的形态实现。本说明书中，“包括”或“具有”等术语仅表示说明书中记载的特征或构成要素的存在性，并非意图预先排除一个以上的其他特征或构成要素的可附加性。本说明书中，当提到一个膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上方或上面时，不仅包括紧邻着位于其他部分的上方的情形，而且还包括在中间夹设有其他膜、区域、构成要素等的情形。附图中，为了便于说明而可能放大或缩小示出构成要素的大小。例如，附图中示出的各个构成要素的大小及厚度被任意图示以便于说明，本专利技术并不局限于图示的情形。以下，对基于本专利技术的实现例的蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法进行详细说明。根据本专利技术的一实现例的蚀刻液组合物包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇、或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。根据一实现例，所述蚀刻液组合物可将金属膜蚀刻。所述金属膜可包括：铜系金属膜、钼系金属膜、钛系金属膜或者其任意的组合。所述蚀刻液组合物中的过氧化氢可作为接触到所述金属膜而对蚀刻直接给予影响的主氧化剂而发挥作用。所述过氧化氢可以以足以蚀刻所述金属膜的程度而被使用。例如，所述过氧化氢的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，被包含15重量％至25重量％。具体而言，可在18重量％至23重量％的范围内，然而并不局限于此。如果包含的所述过氧化氢达不到上述范围，则对所述金属膜的蚀刻力不足，从而可能无法实现充足的蚀刻，而如果含量超过上述范围，则随着铜离子的增加而使发热稳定性显著地降低。在所述蚀刻液组合物中，含氟化合物作为对所述金属膜的蚀刻速度产生影响的辅助氧化剂而发挥作用。所述含氟化合物表示可在水中解离而释放F-离子的化合物。例如，所述氟化合物可包括：HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3、HBF4或者其任意的组合。作为另一例，所述氟化合物可包括NH4FHF。所述含氟化合物可以以足以调节所述金属膜的蚀刻速度的程度而被使用。例如，所述含氟化合物的含量可如下：以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含氟化合物的含量在0.01重量％至5重量％范围内。具体而言，可在0.1重量％至3重量％的范围内，然而并不局限于此。如果所述含氟化合物的含量小于上述范围，则导致蚀刻速度变慢，而如果含量超过上述范围，则随着蚀刻速度的全面加快，将会出现边蚀(Undercut)现象或下部层的损坏现象。所述蚀刻液组合物中，唑系化合物通过调节所述金属膜的蚀刻速度，并减少图案的CD损失，从而起到提高工艺效益的作用。所述唑系化合物只要是本
中可用的化合物即可，并不特别受限。例如，所述唑系化合物可包括：吡咯(pyrrole)系化合物、吡唑(pyrazol)系化合物、咪唑(imidazole)系化合物、三唑(triazole)系化合物、四唑(tetrazole)系化合物、五唑(pentazole)系化合物、恶唑(oxazole)系化合物、异恶唑(isoxazole)系化合物、噻唑(thiazole)系化合物、异噻唑(isothiazole)系化合物或者其任意的组合。然而，并不局限于此。所述唑系化合物表示被取代或未被取代的唑类化合物。被取代的唑类化合物表示被选自如下基团中的取代基所取代的唑类化合物：重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、亚肼基(hydrazono)、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、1价非芳香族缩合多环基团(monovalentnon-aromaticcondensedpolycyclicgroup)、1价非芳香族杂缩合多环基团(monovalentnon-aromaticcondensedheteropolycyclicgroup)。在一实现例中，所述唑系化合物可包括四唑(tetrazole)系化合物。例如，所述唑系化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液组合物，包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。

【技术特征摘要】
2016.07.26 KR 10-2016-00948231.一种蚀刻液组合物，包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1-C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1-C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述过氧化氢的含量范围为15重量％至25重量％。3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含氟化合物包括：HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3、HBF4或者其任意的组合。4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含氟化合物的含量范围为0.01重量％至5重量％。5.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括：吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、恶唑系化合物、异恶唑系化合物、噻唑系化合物、异噻唑系化合物或者其任意的组合。6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述唑系化合物包括被烷基或氨基所取代的四唑。7.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述唑系化合物的含量范围为0.1重量％至5重量％。8.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述含羧基胺系化合物包括：丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、肌氨酸、乙二胺四乙酸或者其任意的组合。9.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述含羧基胺系化合物的含量范围为0.5重量％至5重量％。10.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，所述磷酸系化合物包括：H3PO2、H3PO3、H3PO4或者其任意的组合。11.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，以所述蚀刻液组合物100重量％为基准，所述磷酸系化合物的含量范围为0.3重量％至5重量％。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑钟铉，朴弘植，梁熙星，鞠仁说，权玟廷，金相泰，朴英哲，尹暎晋，李钟文，林大成，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR