一种二维自旋交叉分子磁性材料及其制备方法技术
A two-dimensional spin cross molecular magnetic material and its preparation method
A two valent iron cross with V type spin bidentate pyridine amide ligands polymers based on magnetic materials, by [FeL2 (SCN) 2] (L 5 1,3 two methyl benzene methyl (double 4 pyridyl) amide) neutral network, crystal water molecules and two methanol molecules of crystallization form. The invention has the advantages that the two-dimensional coordination polymer by light or temperature changes to achieve high and low spin transition radiation, is a typical temperature and light dual control of spin crossover molecular magnetic materials, have potential applications in molecular magnetic materials and magnetic thermal switch.
【技术实现步骤摘要】
一种二维自旋交叉分子磁性材料及其制备方法
本专利技术属于分子磁性材料中自旋交叉磁性材料的合成
，具体涉及一种基于V-型双齿吡啶酰胺配体的二价铁二维自旋交叉配位聚合物磁性材料及其制备方法。
技术介绍
在过去的二三十年中，分子基磁性材料得到了非常迅速地发展。通常，分子基材磁性料被定义为，通过分子或带电分子组合出主要具有分子框架结构的有用磁性物质。不同与传统的磁性材料，分子基磁性材料具有体积小、相对密度轻、结构多样化、易于复合加工成型等优点,有可能作为制作航天器、微波吸收隐身、电磁屏蔽和信息存储的材料。作为一种新型的软材料,分子基磁性材料已经引起了越来越多的来自化学家、物理学家、材料学家以及生物学家的重视。1993年，分子磁学家Kahn发现了第一个具有跨越室温的滞后回线的热滞自旋转换分子基材料。该自旋转换过程伴随着高自旋无色到低自旋有色的变化，正是由于体系在室温时磁矩和颜色都有双稳态，才开启了自旋转换体系用作信息存储材料的研究。近年来，人们对分子磁性材料中的自旋交叉材料的兴趣与日俱增，主要是因为如果这类自旋交叉分子磁性材料中的自旋转换是可逆的，并伴随着一些滞后现象...
【技术保护点】
一种二维自旋交叉分子磁性材料，所述材料的分子式C42H40FeN10O8S2；化学式为：[FeL2(SCN)2]n·2nH2O·nCH3OH，所述磁性材料的晶体结构为：晶体属于单斜晶系，空间群为P2(1)/n，晶胞参数为a = 8.3685(5) Å，b = 17.9701(10) Å ， c = 14.8291(11) Å, α＝ 90°，β＝103.411(7)°，γ＝ 90°；所述磁性材料的结构见图1。
【技术特征摘要】
1.一种二维自旋交叉分子磁性材料，所述材料的分子式C42H40FeN10O8S2；化学式为：[FeL2(SCN)2]n·2nH2O·nCH3OH，所述磁性材料的晶体结构为：晶体属于单斜晶系，空间群为P2(1)/n，晶胞参数为a=8.3685(5)Å，b=17.9701(10)Å，c=14.8291(11)Å,α＝90°，β＝103.411(7)°，γ＝90°；所述磁性材料的结构见图1。2.如权利要求1所述的一种二维自旋交叉分子磁性材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将硫氰酸亚铁的甲醇溶液，逐滴加入到配体L的DMF溶液中，混合溶液室温下搅拌几分钟后，过滤掉不溶性物质；S2、将滤液置于医用敞口小玻璃瓶中，然后将小玻璃瓶竖直立于装有乙醚的锥形瓶中，用磨口玻璃塞将锥形瓶封闭...
【专利技术属性】
技术研发人员：张道鹏，石景文，兰文龙，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：山东,37
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