显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于半导体层上；以及导电层，通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层具有凹槽，所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层。

Display device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法本申请要求于2016年7月21日提交到韩国知识产权局(“KIPO”)的第10-2016-0092562号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法，更具体地，涉及可以有效地减少(例如，防止)在半导体层的脱氢工艺中对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。
技术介绍
发光二极管(“LED”)显示装置包括像素，每个像素包括LED和用于驱动LED的像素电路。像素电路包括多个开关元件。为了改善开关元件的阈值电压，执行半导体层的脱氢。然而，由于脱氢期间的热处理工艺，信号线会被损坏。将理解的是，技术部分的背景旨在为理解技术提供有用的背景，如在此所公开的，技术背景部分可以包括在此处所公开的主题的相应的有效提交日期之前的不是被相关领域的技术人员已知或领会的事物的部分的想法、概念或认知。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例的方面涉及能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。根据本专利技术构思的示例性实施例，显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于半导体层上；以及导电层，通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层由凹槽限定，所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层；凹槽的尺寸大于接触孔的尺寸。凹槽具有围绕导电层的环形。显示装置还可以包括位于绝缘层上的另一个绝缘层。所述另一个绝缘层的位于凹槽中的部分可以具有环形。绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于半导体层上，第一绝缘层由虚设孔限定，所述虚设孔围绕位于接触孔中的导电层并且与凹槽叠置；以及第二绝缘层，位于虚设孔中并且位于第一绝缘层上。虚设孔可以具有围绕位于接触孔中的导电层的环形。第二绝缘层的位于虚设孔中的部分可以具有环形。所述至少一个开关元件可以包括：栅电极，位于绝缘层与基底之间；以及源电极或漏电极，位于绝缘层上，源电极或漏电极连接到导电层。源电极或漏电极可以与导电层是一体的。显示装置还可以包括：共电极，位于像素电极上；以及显示元件，位于共电极与像素电极之间。显示元件可以包括有机发光元件或液晶。显示装置还可以包括：第一电容器，通过第一电容器的一个端子连接到绝缘层上的初始化线；第二电容器，连接在像素电极与数据线之间；以及发光元件，连接在像素电极与共电极之间。所述至少一个开关元件可以包括：第一开关元件，包括连接到栅极线的栅电极，第一开关元件连接在初始化线与像素电极之间；第二开关元件，包括连接到第一电容器的另一个端子的栅电极，第二开关元件连接在驱动电源线与像素电极之间；以及第三开关元件，包括连接到扫描线的栅电极，第三开关元件连接在第一电容器的另一个端子与像素电极之间。根据本专利技术构思的示例性实施例，显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；以及绝缘层，位于半导体层上，绝缘层由与半导体层叠置的凹槽限定。凹槽具有闭环形状，绝缘层包括：第一绝缘层，位于半导体层上，第一绝缘层由与凹槽叠置的虚设孔限定；以及第二绝缘层，位于虚设孔中并且位于第一绝缘层上，第二绝缘层由具有比虚设孔的尺寸小的尺寸的凹槽限定。所述至少一个开关元件可以包括：栅电极，位于绝缘层与基底之间；以及源电极或漏电极，位于绝缘层上，源电极或漏电极通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。根据本专利技术构思的示例性实施例，制造显示装置的方法包括下述步骤：在基底上形成半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅电极以与半导体层叠置；在栅电极和栅极绝缘层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中限定虚设孔，所述虚设孔暴露半导体层；通过虚设孔释放半导体层的氢；以及在虚设孔中并在第一绝缘层上形成第二绝缘层。所述方法还可以包括：在第二绝缘层中限定接触孔，接触孔暴露半导体层；以及在第二绝缘层上形成源电极或漏电极，源电极或漏电极通过接触孔连接到半导体层。所述方法还可以包括：形成连接到源电极或漏电极的像素电极、连接到像素电极的发光元件以及连接到发光元件的共电极。通过虚设孔释放半导体层的氢的步骤可以包括对由虚设孔限定的基底进行热处理。前述内容仅是说明性的，而不旨在以任何方式进行限制。除了上面描述的说明性的方面、实施例和特征之外，进一步的方面、实施例和特征通过参照附图和下面的详细描述将变得明显。附图说明从以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解专利技术构思的本公开的以上与其它特征和方面，在附图中：图1是示出了显示装置的示例性实施例的像素的等效电路图；图2是示出了显示装置的示例性实施例的平面图，显示装置包括具有与图1的像素电路对应的结构的像素；图3A、图3B、图3C、图3D、图3E和图3F是分别示出图2的主要构造的视图；图4是沿图2的线I-I'截取的剖视图；图5是沿图2的线II-II'截取的剖视图；图6是沿图2的线III-III'截取的剖视图；图7A是示出了图4的第一虚设孔和第一虚设孔附近的示例的放大图；图7B是示出了图4的第一虚设孔和第一虚设孔附近的另一示例的放大图；图8是沿图2的线IV-IV'截取的剖视图；图9A是示出了图8的第三虚设孔和第三虚设孔附近的示例的放大图；图9B是示出了图8的第三虚设孔和第三虚设孔附近的另一示例的放大图；以及图10A、图10B、图10C、图10D、图10E、图10F、图10G、图10H、图10I、图10J、图10K、图11A、图11B、图11C、图11D、图11E、图11F、图11G、图11H、图11I、图11J、图11K、图12A、图12B、图12C、图12D、图12E、图12F、图12G和图12H是示出了制造显示装置的示例性实施例的工艺的剖视图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更加全面地描述示例性实施例。虽然专利技术构思可以以各种方式被修改并且具有若干实施例，但是在附图中示出了示例性实施例，并且将在说明书中主要描述示例性实施例。然而，本专利技术构思的范围不限于示例性实施例，并且应被理解为包括包含在专利技术构思的精神和范围内的所有变化、等同物和替代物。在附图中，为了清楚和易于描述，以放大的方式示出了多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称作“在”另一个层、区域或板“上”时，该层、区域或板可以直接在另一个层、区域或板上，或者可以在它们之间存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称作“直接在”另一个层、区域或板“上”时，在它们之间可以不存在中间层、中间区域或中间板。此外，当层、区域或板被称作“在”另一个层、区域或板“下方”时，该层、区域或板可以直接在另一个层、区域或板下方，或者在它们之间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称作“直接在”另一个层、区域或板“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、中间区域或中间板。为了便于描述，这里可以使用“在……下方”、“在……之下”、“少于”、“在……上方”和“上面的”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语也旨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，所述显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于所述基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于所述基底上，所述半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于所述半导体层上；以及导电层，通过所述绝缘层的接触孔连接到所述半导体层，其中，所述绝缘层具有凹槽，所述凹槽与所述半导体层叠置并且围绕位于所述接触孔中的所述导电层；所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸。

【技术特征摘要】
2016.07.21 KR 10-2016-00925621.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于所述基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于所述基底上，所述半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于所述半导体层上；以及导电层，通过所述绝缘层的接触孔连接到所述半导体层，其中，所述绝缘层具有凹槽，所述凹槽与所述半导体层叠置并且围绕位于所述接触孔中的所述导电层；所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹槽具有围绕所述导电层的环形。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括：第一绝缘层，位于所述半导体层上，所述第一绝缘层具有围绕所述导电层并且与所述凹槽叠置的虚设孔；第二绝缘层，位于所述虚设孔中并且位于所述第一绝缘层上。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个开关元件包括：栅电极，位于所述绝缘层与所述基底之间；以及源电极或漏电极，位于所述绝缘层上，所述源电极或所述漏电极连接到所述导电层。5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：共电极，位于所述像素电极上；以及显示元件，位于所述共电极与所述像素电极之间。6.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于所述基底上；像素电极，连接到所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成殷，金正贤，金珍泽，安基完，尹柱善，崔炚永，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR