显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:17163850 阅读:38 留言:0更新日期:2018-02-01 21:39
提供了一种能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法,所述显示装置包括:基底;至少一个开关元件,位于基底上;像素电极,连接到所述至少一个开关元件;半导体层,位于基底上,半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区;绝缘层,位于半导体层上;以及导电层,通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层具有凹槽,所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层。

Display device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法本申请要求于2016年7月21日提交到韩国知识产权局(“KIPO”)的第10-2016-0092562号韩国专利申请的优先权和所有权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法,更具体地,涉及可以有效地减少(例如,防止)在半导体层的脱氢工艺中对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。
技术介绍
发光二极管(“LED”)显示装置包括像素,每个像素包括LED和用于驱动LED的像素电路。像素电路包括多个开关元件。为了改善开关元件的阈值电压,执行半导体层的脱氢。然而,由于脱氢期间的热处理工艺,信号线会被损坏。将理解的是,技术部分的背景旨在为理解技术提供有用的背景,如在此所公开的,技术背景部分可以包括在此处所公开的主题的相应的有效提交日期之前的不是被相关领域的技术人员已知或领会的事物的部分的想法、概念或认知。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例的方面涉及能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法。根据本专利技术构思的示例性实施例,显示装置包括:基底;至少一个开关元件,位本文档来自技高网...
显示装置及其制造方法

【技术保护点】
一种显示装置,所述显示装置包括:基底;至少一个开关元件,位于所述基底上;像素电极,连接到所述至少一个开关元件;半导体层,位于所述基底上,所述半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区;绝缘层,位于所述半导体层上;以及导电层,通过所述绝缘层的接触孔连接到所述半导体层,其中,所述绝缘层具有凹槽,所述凹槽与所述半导体层叠置并且围绕位于所述接触孔中的所述导电层;所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸。

【技术特征摘要】
2016.07.21 KR 10-2016-00925621.一种显示装置,所述显示装置包括:基底;至少一个开关元件,位于所述基底上;像素电极,连接到所述至少一个开关元件;半导体层,位于所述基底上,所述半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区;绝缘层,位于所述半导体层上;以及导电层,通过所述绝缘层的接触孔连接到所述半导体层,其中,所述绝缘层具有凹槽,所述凹槽与所述半导体层叠置并且围绕位于所述接触孔中的所述导电层;所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凹槽具有围绕所述导电层的环形。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绝缘层包括:第一绝缘层,位于所述半导体层上,所述第一绝缘层具有围绕所述导电层并且与所述凹槽叠置的虚设孔;第二绝缘层,位于所述虚设孔中并且位于所述第一绝缘层上。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个开关元件包括:栅电极,位于所述绝缘层与所述基底之间;以及源电极或漏电极,位于所述绝缘层上,所述源电极或所述漏电极连接到所述导电层。5.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:共电极,位于所述像素电极上;以及显示元件,位于所述共电极与所述像素电极之间。6.一种显示装置,所述显示装置包括:基底;至少一个开关元件,位于所述基底上;像素电极,连接到所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员:李成殷金正贤金珍泽安基完尹柱善崔炚永
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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