一种可变耦合度的宽带射频电桥制造技术

本发明专利技术公开了一种可变耦合度的宽带射频电桥，包括激励信号输入端口，激励信号输入端口与C1相连接，C1与绕组a2‑b2相连接，还包括绕组a1‑b1，绕组a2‑b2和a1‑b1组成双绞线绕制在磁环上，磁环上还绕制有绕组a3‑b3，a1‑b1与a3‑b3相连接并接地，绕组a2‑b2与a3‑b3相连接并连接至C3，C3分别与R2和C4相连接，C4分别与L3和R3的阳极连接，L3连接至控制电流2，R3的阴极端接地；绕组a1‑b1分别与C2、L1、PIN二极管R1的阳极连接，L1连接至控制电流1，C2通过测试接口连接待测射频器件，PIN二极管R1的阴极分别连接至R2、C5、L2，L2接地，C5连接至耦合信号输出端口；本发明专利技术提供一种可变耦合度的宽带射频电桥，可以根据测量要求自行调整接收机的动态范围。

A wide-band radio frequency bridge with variable coupling

The invention discloses a broadband RF bridge a variable coupling, including the excitation signal input port, signal input port connected with the C1, C1 and A2 winding B2 is connected, also includes winding A1 B1, A2 B2 and A1 winding B1 twisted pair wire wound over the magnetic ring and magnetic ring on the winding winding A3 B3, A1 B1 and A3 B3 connected and grounded, A2 B2 and A3 winding B3 is connected and connected to the C3, C3 are respectively connected with R2 and C4, C4 and L3 respectively the anode and R3 connection, L3 connection to control the current 2. R3 cathode grounding; winding A1 B1 respectively with C2, L1, PIN diode R1 anode connection, L1 connected to the control current of 1 C2, through the test interface to connect RF devices to be tested, PIN cathode diode R1 is connected to R2, C5, L2, L2, C5 connected to the coupling grounding. The signal output port; the invention provides a The wideband radio frequency bridge with variable coupling degree can adjust the dynamic range of the receiver by itself according to the requirement of measurement.

【技术实现步骤摘要】
一种可变耦合度的宽带射频电桥
本专利技术属于测试仪器
，具体涉及一种可变耦合度的宽带射频电桥。
技术介绍
在现代射频通信系统中，矢量网络分析仪得到了广泛的应用，可以用来测量射频器件特性，测量无线信道特性等。矢量网络分析仪的几个主要指标有：1)测量频段高低；2)动态范围大小；3)测量速度快慢等。矢量网络分析仪包括源、接收机和测试装置。测试装置主要有定向电桥或者定向耦合器及转换开关。定向耦合器及定向电桥是一种信号分离器件，能够把传输线上的反射信号从传输信号中分离出来。定向耦合器一般用于频率高端，在频率低端一般采用定向电桥。定向电桥分为两种：一种为采用同轴巴伦传输线方式，图1所示为US4962359专利中采用的同轴线方法的定向电桥；另外一种采用双绞线磁环传输线方式，图2所示为专利CN106571509B基于磁环的传输线变压器定向电桥。定向电桥能够在很宽的频率范围内保持耦合度及隔离度指标，包括低频频段。通过合理设计，目前已有的定向电桥其频率范围可以覆盖到接近10GHz。在10GHz以下一般采用定向电桥，定向电桥的基本原理：以图2为例，射频信号通过P1端口加载到传输线变压器上面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变耦合度的宽带射频电桥，其特征在于，包括激励信号输入端口P1，所述激励信号输入端口P1与电容C1的一端相连接，所述电容C1的另一端与绕组a2‑b2的a2端相连接，还包括绕组a1‑b1，所述绕组a2‑b2和绕组a1‑b1组成双绞线绕制在磁环上，所述磁环上还绕制有绕组a3‑b3，所述双绞线与所述绕组a3‑b3绕制在所述磁环上的区域不重叠，且互不接触；所述绕组a1‑b1的a1端与所述绕组a3‑b3的a3端相连接并接地，所述绕组a2‑b2的b2端与所述绕组a3‑b3的b3端相连接并连接至电容C3的一端，所述电容C3的另一端分别与电阻R2的一端和电容C4的一端相连接，所述电容C4的另一端分别与扼流...

【技术特征摘要】
1.一种可变耦合度的宽带射频电桥，其特征在于，包括激励信号输入端口P1，所述激励信号输入端口P1与电容C1的一端相连接，所述电容C1的另一端与绕组a2-b2的a2端相连接，还包括绕组a1-b1，所述绕组a2-b2和绕组a1-b1组成双绞线绕制在磁环上，所述磁环上还绕制有绕组a3-b3，所述双绞线与所述绕组a3-b3绕制在所述磁环上的区域不重叠，且互不接触；所述绕组a1-b1的a1端与所述绕组a3-b3的a3端相连接并接地，所述绕组a2-b2的b2端与所述绕组a3-b3的b3端相连接并连接至电容C3的一端，所述电容C3的另一端分别与电阻R2的一端和电容C4的一端相连接，所述电容C4的另一端分别与扼流线圈L3的一端和PIN二极管R3的阳极连接，所述扼流线圈L3的另一端连接至控制电流2，所述PIN二极管R3的阴极端接地；所述绕组a1-b1的b1端分别与电容C2的一端、扼流线圈L1的一端、PIN二极管R1的阳极连接，所述扼流线圈L1的另一端连接至控制电流1，所述电容C2的另一端通过测试接口P3连接待测射频器件的一端，所述待测射频器件的另一端接地，所述PIN二极管R1的阴极分别连接至电阻R2的另一端、电容C5的一端、扼流线圈L2的一端，所述扼流线圈L2的另一端接地，所述电容C5的另一端连接至耦合信号输出端口P2。2.如权利要求1所述的可变耦合度的宽带射频电桥，其特征在于，所述射频电桥耦合度C调节范围为-20dB...

【专利技术属性】
技术研发人员：马延军，王倩，辛梦娜，朱代先，代新冠，刘凌志，
申请(专利权)人：西安科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61