一种金属有机化学气相沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种金属有机化学气相沉积装置，它涉及半导体外延生长设备技术领域；所述箱体的内底部安装有支撑轴，所述支撑轴的内上端安装有低速电机，所述低速电机的转轴上连接有安装板，所述安装板的上侧设置有衬底，所述安装板的两端均安装有风叶，所述箱体内部的上端安装有气体喷淋机构，所述气体喷淋机构上分别安装有进气管一与进气管二，所述进气管一与进气管二上均安装有控制阀门，所述箱体的左端安装有观察窗，所述排气管穿接在箱体的左侧；本实用新型专利技术便于实现快速混合与沉积，且气体混合均匀，操作简便，效率高，节省时间。

A metal organic chemical vapor deposition device

The utility model discloses a metal organic chemical vapor deposition device, which relates to the technical field of semiconductor epitaxial growth equipment; in the bottom of the box body is provided with a supporting shaft, the upper end of the supporting shaft is installed on the low-speed motor, the rotating shaft speed of the motor is connected with the mounting plate, the mounting plate is arranged on the upper side of the substrate, both ends of the mounting plate are provided with a fan blade, and the upper end of the box body is equipped with a gas spraying mechanism, a air inlet pipe and the intake pipe two are respectively arranged on the gas spraying mechanism, the air inlet pipe and an air inlet pipe two are arranged on the control valve. The box is installed at the left end of the observation window, the exhaust pipe is connected in the left side of the box body; the utility model has the advantages of fast mixing and deposition, and the mixed gas, simple operation, high efficiency, save time.

【技术实现步骤摘要】
一种金属有机化学气相沉积装置
：本技术涉及一种金属有机化学气相沉积装置，属于半导体外延生长设备

技术介绍
：金属有机化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)通常以III族金属有机源和V族氢化物源作为反应气体，用氢气、氮气或氩气作为载气，以热分解反应方式在基片上进行气相外延生长，从而生长各种III-V族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，如氮化镓GaN、砷化镓GaAs、磷化铟InP等。现有的金属有机化学气相沉积装置在进气时不能实现气体实现混合均匀，导致不能实现有效的沉积反应，产品不良率高。
技术实现思路
：针对上述问题，本技术要解决的技术问题是提供一种金属有机化学气相沉积装置。本技术的一种金属有机化学气相沉积装置，它包含箱体、支撑轴、安装板、低速电机、风叶、衬底、气体喷淋机构、进气管一、进气管二、控制阀门、观察窗、排气管；所述箱体的内底部安装有支撑轴，所述支撑轴的内上端安装有低速电机，所述低速电机的转轴上连接有安装板，所述安装板的上侧设置有衬底，所述安装板的两端均安装有风叶，所述箱体内部的上端安装有气体喷淋机构，所述气体喷淋机构上分别安装有进气管一与进气管二，所述进气管一与进气管二上均安装有控制阀门，所述箱体的左端安装有观察窗，所述排气管穿接在箱体的左侧。作为优选，所述排气管上设置有密封垫。作为优选，所述气体喷淋机构上设置有气体分配槽与混合槽。与现有技术相比，本技术的有益效果为：便于实现快速混合与沉积，且气体混合均匀，操作简便，效率高，节省时间。附图说明：为了易于说明，本技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本技术的结构示意图。图中：1-箱体；2-支撑轴；3-安装板；4-低速电机；5-风叶；6-衬底；7-气体喷淋机构；8-进气管一；9-进气管二；10-控制阀门；11-观察窗；12-排气管。具体实施方式：为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本技术。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念。如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含箱体1、支撑轴2、安装板3、低速电机4、风叶5、衬底6、气体喷淋机构7、进气管一8、进气管二9、控制阀门10、观察窗11、排气管12；所述箱体1的内底部安装有支撑轴2，所述支撑轴2的内上端安装有低速电机4，所述低速电机4的转轴上连接有安装板3，所述安装板3的上侧设置有衬底6，所述安装板3的两端均安装有风叶5，所述箱体1内部的上端安装有气体喷淋机构7，所述气体喷淋机构7上分别安装有进气管一8与进气管二9，所述进气管一8与进气管二9上均安装有控制阀门10，所述箱体1的左端安装有观察窗11，所述排气管12穿接在箱体1的左侧。进一步的，所述排气管12上设置有密封垫。进一步的，所述气体喷淋机构7上设置有气体分配槽与混合槽。本具体实施方式的工作原理为：在使用时，通过低速电机4带动安装板3进行旋转，在旋转时，风叶5能形成风流，通过进气管一8与进气管二9实现进气，通过控制阀门10控制进气量，同时气体通过气体喷淋机构7实现分流与气体的进入，当需要气体较多时，其通过排气管12实现排出，同时通过观察窗11实现查看沉积情况，主要是采用旋转式沉积，使得沉积速度快，且节省时间，效率高。本技术使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制，各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中，常规的型号，加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式，在此不再详述。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属有机化学气相沉积装置，其特征在于：它包含箱体、支撑轴、安装板、低速电机、风叶、衬底、气体喷淋机构、进气管一、进气管二、控制阀门、观察窗、排气管；所述箱体的内底部安装有支撑轴，所述支撑轴的内上端安装有低速电机，所述低速电机的转轴上连接有安装板，所述安装板的上侧设置有衬底，所述安装板的两端均安装有风叶，所述箱体内部的上端安装有气体喷淋机构，所述气体喷淋机构上分别安装有进气管一与进气管二，所述进气管一与进气管二上均安装有控制阀门，所述箱体的左端安装有观察窗，所述排气管穿接在箱体的左侧。

【技术特征摘要】
1.一种金属有机化学气相沉积装置，其特征在于：它包含箱体、支撑轴、安装板、低速电机、风叶、衬底、气体喷淋机构、进气管一、进气管二、控制阀门、观察窗、排气管；所述箱体的内底部安装有支撑轴，所述支撑轴的内上端安装有低速电机，所述低速电机的转轴上连接有安装板，所述安装板的上侧设置有衬底，所述安装板的两端均安装有风叶，所述箱体内部的上端安装有气体喷淋机构...

【专利技术属性】
技术研发人员：于明珂，徐洪权，王晓红，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：新型
国别省市：黑龙江,23