一种散热膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种散热膜及其制备方法，采用石墨烯薄膜‑第一纳米金属层‑第二纳米金属层的散热膜，利用石墨烯薄膜实现快速散热，利用第一纳米金属层的较高的空气隙占比，实现第一纳米金属层内的短程扩散和快速传输，能够使热量均匀进入第二纳米金属层中；第二纳米金属层具有较低空气隙占比，从从而实现对热量的快速传导，从而使热量从石墨烯薄膜快速有效的传输和发散出去。

A heat dissipation film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种散热膜及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种散热膜及其制备方法。
技术介绍
随着智能手机的发展，芯片的主频越来越高，功率越来越大，这样会产生大量的热量，如热量不能够及时到处，会造成频率的降低，同时热源部位热感强烈。手机发热不仅影响舒适感，还会影响手机的性能。手机过度发热还会烧坏硬件，更有可能在充电的时候引起火灾。手机运行时，电池输出电流，通过各个部件时都会产生热量，所以手机发热是正常的，机器运行产生的热量主要通过背部到处，手机运行时背部没有热度才是不正常的。一般来说手机运行时的正常温度是30～50度，超过50度不仅持握的舒适感会降低，而且手机的性能也会受到影响。手机过热的原因主要有三个方面：部件电阻过大；导热不充分，散热不合理，导致热量在手机内部聚集，使某一部位过热；长时间运行软件过多，功率增加。现有的手机散热方法，包括：金属背板导热、石墨散热片导热、导热凝胶散热、热管散热等，然而，这些方法都是被动散热，散热效果一般。因此，研究对终端设备的有效散热是具有重要意义的。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在提供一种散热膜及其制备方法，从而实现散热膜的均匀散热和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热膜，其特征在于，包括：石墨烯薄膜、位于石墨烯薄膜底部的第一纳米金属层和位于第一纳米金属层底部的第二纳米金属层；其中，第一纳米金属层的空气隙占比大于第二纳米金属层的空气隙占比。

【技术特征摘要】
1.一种散热膜，其特征在于，包括：石墨烯薄膜、位于石墨烯薄膜底部的第一纳米金属层和位于第一纳米金属层底部的第二纳米金属层；其中，第一纳米金属层的空气隙占比大于第二纳米金属层的空气隙占比。2.根据权利要求1所述的散热膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜的上表面具有静电荷。3.根据权利要求1所述的散热膜，其特征在于，第一纳米金属层由一维纳米晶粒组成，一维纳米晶粒与石墨烯薄膜的碳原子相键合。4.根据权利要求3所述的散热膜，其特征在于，一维纳米晶粒的曲向与石墨烯薄膜垂直。5.根据权利要求1所述的散热膜，其特征在于，第二纳米金属层的厚度大于第一纳米金属层的厚度。6.根据权利要求1所述的散热膜，其特征在于，所述第二纳米金属层的晶粒尺寸大于第一纳米金属层的晶粒尺寸。7.根据权利要求1所述的散热膜，其特征在于，所述第二纳米金属层的晶粒之间相互接触且不存在空隙，且晶粒之间的界面相互融合。8.一种散热膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一石墨烯薄膜，并将所述石墨烯薄膜转移至一半导体衬底的平坦表面上；步骤02：对石墨烯薄膜进行平坦化处理；步骤03：在石墨烯薄膜上生长第一纳米金属层；步骤04：在第一纳米金属层上沉积第二纳米金属层；步骤05：将带有第一纳米金属层和第二纳米金属层的石墨烯薄膜与半导体衬底剥离开来。9.根据权利要求8所述的散热膜的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪际军，
申请(专利权)人：全普光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31