The present invention provides direct cooling laser gain module a tilt aberration self compensation, which comprises a heat dissipation channel, adapter, gain lath and encapsulation shell; through the channel and the adapter entity part of staggered form; the cooling flow is divided into A, B two groups; A group and B group the cooling flow to the cooling flow in the opposite direction in the channel adapter connected through; between the slab gain fixed on the two run through channel adapter; package covering the slab gain, and is fixedly connected with the adapter. The scheme uses two sets of cooling channel, the flow direction of cooling liquid between the slats of arbitrary instead, automatic compensation to aberration from the flow direction of cooling liquid, increase the output power of thin laser direct liquid cooling.
【技术实现步骤摘要】
一种倾斜像差自补偿的直接液冷薄片激光器的增益模块
本专利技术涉及的是激光器领域,尤其是一种倾斜像差自补偿的直接液冷薄片激光器的增益模块。
技术介绍
高能固体激光在先进工业制造、高功率物理科学研究、能源、新概念武器等领域具有广阔的应用前景。同时实现高功率、高光束质量的激光输出一直以来是国内外固体激光研究领域的重点。随着激光器输出功率的提升,废热成为了制约高能激光器发展的重要因素。严重的热效应一方面会降低激光的输出功率,另一方面还会降低激光的光束质量甚至可能引起增益介质的损坏。在解决热效应的过程中,出现了多种构型的激光器。包括反射式薄片激光器,主振荡放大式板条激光器,热容激光器和直接液冷薄片激光器。热容激光器由于激光工作过程中没有进行冷却,可以有效减小由于冷却不均匀性引入的温度梯度,减小激光波前畸变。但是为了避免对激光工作物质造成损坏,其运行时间较短,难于实际应用。反射式薄片激光器单片介质增益有限,储能难于提升。反射式提取增大系统体积和复杂性,难于实现定标放大。基于主振荡功率放大的板条激光器,激光头体积庞大,光路复杂,全系统内具有超过300片反射镜,鲁棒性和可靠性距实际应用还有相当大的差距。近年来,直接液冷薄片激光器逐渐成为了研究热点。在直接液冷薄片激光器中,大量增益薄片以一定的角度串接于腔内,冷却液直接流经薄片之间的缝隙进行冷却。其具有冷却效率高,效果好,结构紧凑,易于实现高功率输出等优点。在谐振腔内通过简单增加薄片数量即可以实现激光输出功率的提升。但是由于液体在增益介质之间流动带走增益介质热量的同时会产生温升,即在流动方向上液体温度单调递增。并且沿着液体流 ...
【技术保护点】
一种倾斜像差自补偿的直接液冷薄片激光器的增益模块,其特征是:包括有散热流道、转接器、增益板条以及封装外壳;所述转接器由贯穿流道和实体部分交错构成;所述散热流道分为A、B两组;所述A组散热流道和B组散热流道以相反的方向交错连接在转接器的贯穿流道上;所述增益板条固定在转接器内的两个贯穿流道之间;所述封装外壳覆盖在增益板条外,且与转接器固定连接。
【技术特征摘要】
1.一种倾斜像差自补偿的直接液冷薄片激光器的增益模块,其特征是:包括有散热流道、转接器、增益板条以及封装外壳;所述转接器由贯穿流道和实体部分交错构成;所述散热流道分为A、B两组;所述A组散热流道和B组散热流道以相反的方向交错连接在转接器的贯穿流道上;所述增益板条固定在转接器内的两个贯穿流道之间;所述封装外壳覆盖在增益板条外,且与转接器固定连接。2.根据权利要求1所述的一种倾斜像差自补偿的直接液冷薄片激光器的增益模块,其特征是:所述增益板条两端设置有楔角;所述转接器内设置有凹槽;所述增益板条的楔角插入凹槽内固定。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:张凯,阮旭,尚建力,安向超,易家玉,涂波,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院应用电子学研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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