显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置。该显示装置包括：基板；和在所述基板上排列的多个像素，所述多个像素各自包含发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一晶体管包含第一半导体层，所述第二晶体管包含第二半导体层，所述第一绝缘层遍及多个像素地配置在第一半导体层与第二半导体层之间，第二绝缘层配置在第一绝缘层与第二半导体层之间，第一半导体层隔着第一绝缘层配置在第二半导体层的基板侧，所述第一绝缘层包含氧化硅层，所述第二绝缘层包含氧化铝层。

display device

The present invention provides a display device. The display device includes a substrate; and arranged on the substrate and a plurality of pixels of the plurality of pixels each including a light-emitting element, a first transistor, a second transistor, a first insulating layer and the second insulating layer, the first transistor includes a first semiconductor layer of the second transistor includes a second semiconductor layer, the first the insulating layer has multiple pixel configuration between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer, second dielectric layer disposed between the first insulating layer and a second semiconductor layer, a first semiconductor layer via a first insulating layer is arranged in the second substrate side of the semiconductor layer, the first insulating layer comprising a silicon oxide layer, the insulating layer contains second alumina layer.

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及显示装置。特别涉及使用硅类半导体及氧化物半导体的显示装置。
技术介绍
因为液晶显示装置所使用的低温多晶硅(LTPS：LowTemperturePoly-Silicon)具有较高的载流子迁移率，所以成为广泛用于当前的中小型显示装置的技术。在有机EL显示装置中，也以LTPS技术为基础，来推进阵列工序的开发。但是，在准分子激光退火工序中，难以形成充分均匀的LTPS层。由LTPS的不均引起的薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)的特性的不均成为有机EL显示装置的亮度不均等的原因。因此，为了降低电力消耗和应对晶体管特性不均，研究出了一种不仅使用由驱动能力高的多晶硅制作的晶体管，而且还同时使用如下晶体管的技术，该晶体管使用可期待其特性不均小的透明非晶氧化物半导体等。例如，专利文献1公开了如下薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：形成于基板上的透明非晶氧化物半导体层；形成于上述透明非晶氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；形成于上述栅极绝缘膜上的栅极电极；和以不与上述栅极电极重叠的方式分别形成于上述透明非晶氧化物半导体层上的源极电极和漏极电极，上述栅极绝缘膜与上述栅极电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括：基板；和在所述基板上排列的多个像素，所述多个像素各自包含发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一晶体管包含第一半导体层，所述第二晶体管包含第二半导体层，所述第一绝缘层遍及所述多个像素地配置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层与所述第二半导体层之间，所述第一半导体层隔着所述第一绝缘层配置在所述第二半导体层的所述基板侧，所述第一绝缘层包含氧化硅层，所述第二绝缘层包含氧化铝层。

【技术特征摘要】
2016.07.15 JP 2016-1403771.一种显示装置，其特征在于，包括：基板；和在所述基板上排列的多个像素，所述多个像素各自包含发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一晶体管包含第一半导体层，所述第二晶体管包含第二半导体层，所述第一绝缘层遍及所述多个像素地配置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层与所述第二半导体层之间，所述第一半导体层隔着所述第一绝缘层配置在所述第二半导体层的所述基板侧，所述第一绝缘层包含氧化硅层，所述第二绝缘层包含氧化铝层。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第一半导体层为多晶硅层，所述第二半导体层为氧化物半导体层。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第一晶体管为驱动晶体管，所述第二晶体管为选择晶体管。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第二晶体管具有顶栅结构。5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第二绝缘层与所述第二半导体层接触地配置。6.如权利要求1所述的显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓田浩平，丸山哲，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP