高导电性铜膜的制备制造技术

铜前体组合物包含：与第一铜前体化合物配位的亚胺或第一环胺的第一铜配合物；和，与第二铜前体化合物配位的伯胺或第二环胺的第二铜配合物。铜前体组合物包含与铜前体化合物配位的亚胺的铜配合物。所述铜前体组合物在与仅包含伯胺铜配合物的对比组合物相比更低的温度下、在其他方面相同的条件下是可热降解的，以产生具有约200μΩ·cm以下的电阻率的金属铜膜。包含铜前体组合物和溶剂的油墨可以被沉积在基底上并经烧结以产生金属铜膜。具有在其上的膜的基底可用于电子装置。

Preparation of high conductivity copper film

The copper precursor composition comprises the first copper complex of the imine or the first cyclic amine coordinated with the first copper precursor compound, and the second copper complex of the primary amine or the second cyclic amine coordinated with the second copper precursor compound. Copper precursor composition contains copper complexes of imines that coordinate with copper precursor compounds. The copper precursor composition is thermally degradable under the same temperature compared to the contrast compound containing only the primary amine copper complex, and in other respects, so as to produce a metal copper film with a resistivity of about 200 ohm below cm. The ink containing copper precursor composition and solvent can be deposited on the substrate and sintered to produce a metal copper film. The basement with the membrane on it can be used in the electronic device.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高导电性铜膜的制备相关申请的交叉引用本申请要求于2015年6月11日提交的美国临时专利申请USSN62/174,426的权益，其全部内容并入本文作为参考。
本申请涉及用于在基底上制备高导电性铜膜的方法和组合物，尤其用于柔性电路。
技术介绍
低成本电子器件的制造依赖于在廉价塑料基底上使用加法印刷(additiveprinting)技术印刷导电性电路的能力。配制经由低成本印刷技术(例如喷墨印刷、丝网印书、柔版印刷或凹版印刷)而发挥作用且同时提供所需的电学性能和机械性能的导电油墨在可印刷电子器件中仍是挑战，因为较小的尺寸和高密度将实现新的应用。尽管片状(flake-based)银导电性油墨满足诸多的当今需求并且银纳米颗粒油墨由于它们优异的电学性质而具有前景，但是对于基于铜的有成本效益的油墨仍存在少数选择(尽管它们关于电迁移是优越的)，这困扰着银电路并且随着实施更高密度的设计而将变得越来越重要。已经表明无水甲酸铜(II)(Cu(OOCH)2)的热分解发生在200℃附近，在使用甲酸亚铜(I)作为中间体的逐步阳离子还原反应中产生Cu0、H2和CO2。铜配位化合物是引人瞩目的油墨材料，因为它们是廉本文档来自技高网...

【技术保护点】
铜前体组合物，包含：第一铜配合物，其包含与第一铜前体化合物配位的亚胺或第一环胺；和第二铜配合物，其包含与第二铜前体化合物配位的伯胺或第二环胺，所述铜前体组合物在与仅包含所述第二铜配合物的对比组合物相比更低的温度下、在其他方面相同的条件下是可热降解的，以产生具有约200μΩ·cm以下的电阻率的金属铜膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.11 US 62/174,4261.铜前体组合物，包含：第一铜配合物，其包含与第一铜前体化合物配位的亚胺或第一环胺；和第二铜配合物，其包含与第二铜前体化合物配位的伯胺或第二环胺，所述铜前体组合物在与仅包含所述第二铜配合物的对比组合物相比更低的温度下、在其他方面相同的条件下是可热降解的，以产生具有约200μΩ·cm以下的电阻率的金属铜膜。2.如权利要求1所述的组合物，其中所述第一铜配合物包含两种亚胺或两种环胺。3.如权利要求1或2所述的组合物，其中所述第一铜配合物包含环胺，并且所述环胺包含6-员环。4.如权利要求3所述的组合物，其中所述6-员环是吡啶或哌啶。5.如权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中所述环胺被一个或多个C1-8烷基取代。6.如权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中所述第一铜前体化合物包含铜(II)离子和一个或多个与所述铜(II)离子配位的羧酸根阴离子。7.如权利要求6所述的组合物，其中所述一个或多个羧酸根阳离子是两个甲酸根。8.如权利要求1至7中任一项所述的组合物，其中所述第二铜配合物包含两种伯胺。9.如权利要求1至8中任一项所述的组合物，其中所述伯胺具有式R-NH2，其中R是C6-C12的未取代的烷基。10.如权利要求1至9中任一项所述的组合物，其中所述伯胺是辛胺或乙基己胺。11.如权利要求1至10中任一项所述的组合物，其中所述第二铜前体化合物包含铜(II)离子和一个或多个与所述铜(II)离子配位的羧酸根阴离子。12.如权利要求11所述的组合物，其中所述一个或多个羧酸根阳离子是两个甲酸根。13.如权利要求1至12中任一项所述的组合物，其中基于所述第一铜配合物和所述第二铜配合物的总重量，所述第一铜配合物以约20-75％(w/w)的量存在于所述组合物中。14.铜配合物，包含与铜前体化合物配位的...

【专利技术属性】
技术研发人员：香塔尔·帕奎特，托马斯·拉塞尔，帕特里克·R·L·马勒方特，
申请(专利权)人：加拿大国家研究委员会，
类型：发明
国别省市：加拿大,CA