The first manufacturing method of the hydroxyl substituted aromatic compounds of the invention includes the following procedure (contact process): the hydroxyl substituted aromatic compounds are contacted with organic solvents and / or water in the atmosphere with oxygen concentration below 20 volume%. In addition, the invention of hydroxyl substituted aromatic compounds of second manufacturing method includes the following procedures: containing organic solvent and mixed with water without any hydroxyl substituted solution of aromatic compounds (alpha), contact with acidic aqueous solutions of hydroxy substituted aromatic compounds in metal component extraction.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】羟基取代芳香族化合物的制造方法
本专利技术涉及羟基取代芳香族化合物(例如二羟基萘)的制造方法。
技术介绍
羟基取代芳香族化合物、例如二羟基萘作为用作半导体用的密封材料、涂布剂、抗蚀剂用材料、半导体下层膜形成材料的化合物或树脂的原料是有用的(例如参照专利文献1～2)。另外，作为羟基取代芳香族化合物、例如二羟基萘的纯化方法，已知有特定的方法(例如参照专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/024778号专利文献2：国际公开第2013/024779号专利文献3：中国专利申请公开第103467249号
技术实现思路
专利技术要解决的问题对于以往公开的羟基取代芳香族化合物、例如二羟基萘的纯化方法，存在纯度的提高存在限度、或有纯度和收率的波动的问题，寻求羟基取代芳香族化合物、例如二羟基萘的纯化方法的改善。另外，
技术介绍
中记载的上述用途中，特别是金属含量成为使得成品率提高的重要的性能评价项目。即，以羟基取代芳香族化合物、例如二羟基萘为原料而得到的化合物或树脂中包含大量金属的情况下，金属残留于半导体中，使半导体的电特性降低，因此，要求降低作为杂质的金属的含量...
【技术保护点】
一种羟基取代芳香族化合物的制造方法，其包括如下工序即接触工序：使羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中与有机溶剂和/或水接触。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.27 JP 2015-107410;2015.05.27 JP 2015-107411.一种羟基取代芳香族化合物的制造方法，其包括如下工序即接触工序：使羟基取代芳香族化合物在氧浓度低于20体积％的气氛中与有机溶剂和/或水接触。2.根据权利要求1所述的羟基取代芳香族化合物的制造方法，其中，所述羟基取代芳香族化合物为下述式(A0)和/或(B0)所示的羟基取代芳香族化合物，所述式(A0)中，n0为0～9的整数，m0为0～2的整数，p0为0～9的整数，Ra各自独立地为氢原子、羟基、卤素基团、碳数1～40的直链状、支链状或者环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基和它们的组合构成的组，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键或者酯键，所述式(B0)中，n1为0～9的整数，p1为0～9的整数，Rb各自独立地为氢原子、羟基、卤素基团、碳数1～40的直链状、支链状或者环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～40的芳基、或碳数2～40的烯基和它们的组合构成的组，该烷基、该芳基或该烯基任选包含醚键、酮键或者酯键。3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述式(A0)所示的羟基取代芳香族化合物为下述式(A)所示的化合物，所述式(B0)所示的羟基取代芳香族化合物为下述式(B)所示的化合物，所述式(A)中，n0为0～9的整数，m0为0～2的整数，p0为0～9的整数，R0各自独立地为碳数1～30的直链状、支链状或者环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～15的芳基、或碳数2～15的烯基，所述式(B)中，n1为0～9的整数，p1为0～9的整数，R1各自独立地为碳数1～30的直链状、支链状或者环状的烷基、任选具有取代基的碳数6～15的芳基、或碳数2～15的烯基。4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述式(A)所示的羟基取代芳香族化合物为选自由下述式(A-1)所示的化合物、下述式(A-2)所示的化合物、下述式(A-3)所示的化合物、和下述式(A-4)所示的化合物组成的组中的1种以上，所述式(B)所示的羟基取代芳香族化合物为下述式(B-1)所示的化合物，所述式(A-1)～(A-4)中，n0为0～9的整数，所述式(B-1)中，n1为0～9的整数。5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述式(A)所示的羟基取代芳香族化合物为下述式(1)所示的化合物，6.根据权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其包括如下工序：使所述羟基取代芳香族化合物溶解于有机溶剂。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，使所述羟基取代芳香族化合物溶解于有机溶剂后，包括使该羟基取代芳香族化合物的溶液与活性炭接触的工序。8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，使所述羟基取代芳香族化合物溶解于有机溶剂后，包括使该羟基取代芳香族化合物析晶的工序。9.根据权利要求1～8中任一项所述的制造方法，其中，所述有机溶剂为选自由甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮、丙二醇单甲醚、甲苯、2-庚酮、环己酮、环戊酮、甲基异丁基酮、丙二醇单甲醚乙酸酯和乙酸乙酯组成的组中的1种以上。10.一种羟基取代芳香族化合物的制造方法，其包括如...
【专利技术属性】
技术研发人员：内山直哉，堀内淳矢，牧野嶋高史，越后雅敏，大越笃，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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