一种无机氧化物量子点发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种无机氧化物量子点发光二极管及其制备方法。该无极氧化物量子点发光二极管包括相邻设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极，其中空穴传输层和电子传输层均由无机半导体材料组成，对于所述空穴传输层的无机半导体材料可以通过调控退火温度控制其中的氧离子空位数量，少量的氧离子空位有类似于N型掺杂的效果，可以大幅度提高空穴的注入和传输。本发明专利技术使得量子点发光二极管能够长期稳定工作，改善了器件中空穴和电子的注入和传输速率，尤其是空穴的注入效率，平衡了电子和空穴的数量，提高了量子点发光二极管的外量子效率。

A kind of inorganic oxide quantum dot light emitting diode

The invention provides an inorganic oxide quantum dot light emitting diode and a preparation method. The electrodeless light emitting diode includes oxide quantum dots arranged adjacent to the anode and hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer and cathode, the hole transport layer and electron transport layer are made of inorganic semiconductor materials, the number of oxygen vacancies the hole transport layer of inorganic semiconductor materials can be controlled by the the regulation of the annealing temperature, the amount of oxygen ion vacancy is similar to the N type doping effect, can greatly improve the hole injection and transport. The invention enables the quantum dot light-emitting diode to work stably for a long time, improving the injection and transmission rate of holes and electrons in the device, especially the injection efficiency of the hole, balancing the number of electrons and holes, and improving the external quantum efficiency of the quantum dot light-emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
一种无机氧化物量子点发光二极管
本专利技术涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种无机氧化物量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
PEDOT:PSS常被用作电致发光器件或者有机太阳能电池的的空穴注入层，其拥有优良的导电性，能以水溶液的形式进行旋涂、印刷或者喷墨形成导电薄膜。但是PEDOT:PSS的水溶液PH一般在1左右，容易对常用的ITO透明电极表面造成腐蚀，而且PEDOT:PSS薄膜的吸湿性，会严重影响器件的工作寿命。一些过渡金属氧化物是很好的P型半导体，可以在器件中作为空穴注入层替代PEDOT:PSS。一般来说，这些无机半导体金属氧化物都具有良好的稳定性，可以稳定器件在空气中长期工作，而较低的价带能使这些无机半导体金属氧化物与量子点发生能级匹配，从而提高空穴从阳极到量子点发光层的注入效率。但是由于电子和空穴传输层的载流子传输效率不同，量子点发光二极管中的电子数量往往是空穴的数量的2~3个数量级，从而导致电子在量子点发光层中堆积，过多的电子将造成量子点充电及非辐射复合的发生。因此仍需要提高空穴的注入平衡电子数量。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种无机氧化物量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，包括相邻设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极，其中空穴注入层和电子传输层均由无机半导体金属氧化物组成。

【技术特征摘要】
1.一种无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，包括相邻设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极，其中空穴注入层和电子传输层均由无机半导体金属氧化物组成。2.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为氧化锌或二氧化钛。3.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层为Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族的红色或绿色或蓝色的核壳量子点，厚度为20~50nm。4.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层选自PVK、TPD、poly-TPD、TFB、CBP、TCTA、NPB中的一种或者多种。5.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料为氧化钼或氧化钒，材料必须存在少量的氧离子空位，形成类似于P型掺杂的效果。6.根据权利要求1所述无机氧化物量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的无机半导体金属氧化物材料中的氧离子空位数量可以通过退火温度调控。7.氧化钼或氧化钒无机半导体金属氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张芹，顾小兵，蒋杰，金肖，张青松，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西,36