A pixel structure of a display device, a display device including a pixel structure, and a method for making a pixel structure are provided. The pixel structure of the display device includes an electrode line, at least one ultra small light emitting diode and a connecting electrode. The electrode line includes a second electrode which is separated from the first electrode on the base of the substrate and is at the same level as the first electrode. At least one super small light emitting diode is located on the base of the matrix and has a smaller length than the distance between the first electrode and the second electrode. The connecting electrode includes the first contact electrode connecting the first electrode to the super small light-emitting diode and the second contact electrode connecting the second electrode to the super small light-emitting diode.
【技术实现步骤摘要】
像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法于2016年7月11日提交并且名称为“PixelStructure,DisplayApparatusIncludingthePixelStructure,andMethodofManufacturingthePixelStructure(像素结构、包括该像素结构的显示设备以及制造该像素结构的方法)”的第10-2016-0087384号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
在此描述的一个或更多个实施例涉及一种像素结构、一种包括像素结构的显示设备以及一种用于制造像素结构的方法。
技术介绍
发光二极管(LED)具有高的光转换效率、极低的功耗、半永久寿命,并且是生态友好器件。因此,LED用于交通灯、移动电话、车辆的前灯、户外电子显示器、背光单元、室内照明和其它应用。当用于显示器时,LED连接到电极以接收电源。在建立该连接方面,已经尝试布置并且减少由电极所占用的空间。一种尝试涉及在电极上直接生长LED。另一种尝试涉及在独立地且单独地生长LED之后将LED安置到电极上。在后一种情况下,如果LED是一般的发光元件,那么可以通过将3D发光元件安置在竖直位置中来使三维(3D)的发光元件连接到电极。然而,当LED是具有纳米尺寸或微尺寸的超小型发光元件时,该连接会是困难的。
技术实现思路
一个或更多个实施例包括像素结构、包括该像素结构的显示设备以及制造该像素结构的方法,该像素结构被构造为防止在排列超小型发光二极管的工艺中对超小型发光二极管的损坏,并且增大朝向超小型发光二极管的前面发射的光的效率。一个或更多个实施例包括像素结构、包括该像素结构的 ...
【技术保护点】
一种显示设备的像素结构,所述像素结构包括:电极线,包括在基体基底上与第一电极分离并且与所述第一电极位于同一水平处的第二电极;至少一个超小型发光二极管,位于所述基体基底上,并且具有比所述第一电极与所述第二电极之间的距离小的长度;以及连接电极,包括将所述第一电极连接到所述超小型发光二极管的第一接触电极和将所述第二电极连接到所述超小型发光二极管的第二接触电极。
【技术特征摘要】
2016.07.11 KR 10-2016-00873841.一种显示设备的像素结构,所述像素结构包括:电极线,包括在基体基底上与第一电极分离并且与所述第一电极位于同一水平处的第二电极;至少一个超小型发光二极管,位于所述基体基底上,并且具有比所述第一电极与所述第二电极之间的距离小的长度;以及连接电极,包括将所述第一电极连接到所述超小型发光二极管的第一接触电极和将所述第二电极连接到所述超小型发光二极管的第二接触电极。2.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,其中,所述第一接触电极和所述第二接触电极是透明电极。3.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的面对所述超小型发光二极管的表面是反射表面,所述反射表面反射将从所述超小型发光二极管发射的光。4.根据权利要求3所述的显示设备的像素结构,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每个具有比所述超小型发光二极管的厚度大的厚度。5.根据权利要求3所述的显示设备的像素结构,其中,所述反射表面的相对于所述基体基底的角小于90度。6.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,其中,所述超小型发光二极管包括:第一电极层和第二电极层,位于所述超小型发光二极管的各个端部上;第一半导体层和第二半导体层,位于所述第一电极层与所述第二电极层之间;以及第一活性层,位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间,其中,所述第一电极层和所述第二电极层是透明电极。7.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,其中,所述第一电极和所述第二电极中的每个包括在第一方向上延伸的主电极和在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述主电极延伸的指状电极。8.根据权利要求7所述的显示设备的像素结构,其中,所述指状电极的面对所述超小型发光二极管表面是反射光的反射表面。9.根据权利要求8所述的显示设备的像素结构,其中,所述指状电极经由所述第一接触电极和所述第二接触电极中的至少一个电连接到所述超小型发光二极管。10.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,所述像素结构还包括在所述第一电极和所述第二电极的外侧上的坝结构,其中,所述坝结构具有比所述第一电极和所述第二电极中的每个的厚度大的厚度。11.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构,所述像素结构还包括:驱动晶体管,电连接到所述第一电极;以及电源线,电连接到所述第二电极。12.一种显示设备的像素结构,所述像素结构包括:引导结构,位于基体基底上,并且具有中心区和从所述中心区以放射状形式延伸的多个引导区;多个...
【专利技术属性】
技术研发人员:金大贤,任铉德,赵显敏,姜钟赫,洪性珍,李周悦,曹治乌,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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