一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法及实验装置制造方法及图纸

技术编号:17095662 阅读:92 留言:0更新日期:2018-01-21 06:34
本发明专利技术公开了一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法及实验装置,其特点是:所述实验装置包括,阻抗分析仪、中阮共鸣箱、第一压电传感器、第二压电传感器、第三压电传感器、第四压电传感器、电脑及其软件处理系统,本发明专利技术的测试实验装置及评价方法,不需演奏者弹中阮,直接用阻抗分析仪对中阮共鸣箱在低音区、中音区、高音一区、高音二区进行扫频,测试出所述中阮共鸣箱在扫描频率范围内的阻抗频谱图,再根据中阮共鸣箱的阻抗频谱图来判断中阮共鸣箱的优劣。本发明专利技术结构简单,设计合理,克服传统方法对评价中阮音色中的人为因素,客观的评价出中阮共鸣箱音色的好坏,为中阮制造厂商提供了一种全新的中阮评价方法。

【技术实现步骤摘要】
一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法及实验装置
本专利技术涉及阻抗技术和中阮生产
,尤其涉及一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法及实验装置。
技术介绍
首先中阮共鸣箱是中阮的关键部件之一,共鸣箱是中阮的发音放大器,他是关系到中阮的音量、音色的重要部件。中阮共鸣箱的好坏直接关系到中阮的品质。中阮由共鸣箱、琴杆、琴头三大部分组成,属四弦琴类;琴杆指板上按十二平均律排列有24个音品。在中阮的振动中,来自琴弦的振动能量通过弦马传递到共鸣箱上,通过共鸣箱来传递声波。这里既有弦的振动也有板的振动和空气振动,各有其固有频率,形成整个乐器的频率响应特征。中阮共鸣箱是中阮的重要部分,这通过弓的推拉运动,擦弦后振动,通过共鸣箱把声音放大。共鸣箱的质地和形状对音量和音质有直接影响,中阮共鸣箱一般用紫檀木或红木制作,形状为圆桶形。中阮在合奏中主要担任低音、中音和高音和旋乐段,其音质圆润、明亮、浑厚,优美动听,是民族乐队、戏曲乐队、民族交响乐团中的重要成员之一,也是一件精美的独奏乐器。一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价实验装置是一种评价中阮共鸣箱好坏的实验装置。一般来说,评价一台中阮的性本文档来自技高网...
一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法及实验装置

【技术保护点】
一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法,所述方法使用的实验装置包括,阻抗分析仪(1)、中阮共鸣箱(2)、第一压电传感器(3)、第二压电传感器(4)、第三压电传感器(5)、第四压电传感器(6)、电脑及其软件处理系统(8),所述第一压电传感器(3)包括第一基座(9)、第一压电陶瓷片(13),所述第二压电传感器(4)包括第二基座(10)、第二压电陶瓷片(14),所述第三压电传感器(5)包括第三基座(11)、第三压电陶瓷片(15),所述第四压电传感器(6)包括第四基座(12)、第四压电陶瓷片(16);其特征在于:所述第一压电陶瓷片(13)的负极面通过导电银胶粘贴在第一基座(9)上,所述第二压电陶瓷...

【技术特征摘要】
1.一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法,所述方法使用的实验装置包括,阻抗分析仪(1)、中阮共鸣箱(2)、第一压电传感器(3)、第二压电传感器(4)、第三压电传感器(5)、第四压电传感器(6)、电脑及其软件处理系统(8),所述第一压电传感器(3)包括第一基座(9)、第一压电陶瓷片(13),所述第二压电传感器(4)包括第二基座(10)、第二压电陶瓷片(14),所述第三压电传感器(5)包括第三基座(11)、第三压电陶瓷片(15),所述第四压电传感器(6)包括第四基座(12)、第四压电陶瓷片(16);其特征在于:所述第一压电陶瓷片(13)的负极面通过导电银胶粘贴在第一基座(9)上,所述第二压电陶瓷片(14)的负极面通过导电银胶粘贴在第二基座(10)上,所述第三压电陶瓷片(15)的负极面通过导电银胶粘贴在第三基座(11)上,所述第四压电陶瓷片(16)的负极面通过导电银胶粘贴在第四基座(12)上;在中阮共鸣箱(2)背面的低音区上选取第一关键部位(20),在中阮共鸣箱(2)背面的中音区上选取第二关键部位(21),在中阮共鸣箱(2)背面的高音一区上选取第三关键部位(22),在中阮共鸣箱(2)背面的高音二区上选取第四关键部位(23),将所述第一压电传感器(3),第二压电传感器(4),第三压电传感器(5),第四压电传感器(6)分别通过改性低熔点高硬度石蜡粘贴在第一关键部位(20)、第二关键部位(21)、第三关键部位(22)、第四关键部位(23)上;所述第一基座(9)与中阮共鸣箱(2)的第一关键部位(20)接触部分的曲率相同;第二基座(10)与中阮共鸣箱(2)的第二关键部位(21)接触部分的曲率相同;第三基座(11)与中阮共鸣箱(2)的第三关键部位(22)接触部分的曲率相同;第四基座(12)与中阮共鸣箱(2)的第四关键部位(23)接触部分的曲率相同;所述第一压电陶瓷片(13)、第二压电陶瓷片(14)、第三压电陶瓷片(15)、第四压电陶瓷片(16)为圆形压电陶瓷片。2.根据权利要求1所述一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法,其特征在于:所述中阮共鸣箱的声学评实验步骤包括,1)所述阻抗分析仪(1)先与第一压电传感器(3)电性连接,在196Hz-246.9Hz范围内,通过阻抗分析仪(1)的扫频,测出中阮共鸣箱(2)与测试频率对应的阻抗值,同时将扫频数据保存到电脑及其软件处理系统(8)中进行数据图像处理;2)所述阻抗分析仪(1)先断开与第一压电传感器(3)电性连接,再将阻抗分析仪(1)与第二压电传感器(4)电性连接,在246.9Hz-493.9Hz范围内,通过阻抗分析仪(1)的扫频,测出中阮共鸣箱(2)与测试频率对应的阻抗值,同时将扫频数据保存到电脑及其软件处理系统(8)中进行数据图像处理;3)将所述阻抗分析仪(1)与第二压电传感器(4)的电性连接断开,将阻抗分析仪(1)与第三压电传感器(5)电性连接,在493.9Hz-987.8Hz范围内,通过阻抗分析仪(1)的扫频,测出中阮共鸣箱(2)与测试频率对应的阻抗值,同时将扫频数据保存到电脑及其软件处理系统(8)中进行数据图像处理;4)将所述阻抗分析仪(1)与第三压电传感器(5)的电性连接断开,将阻抗分析仪(1)与第四压电传感器(6)电性连接,在987.8Hz-2349.3Hz范围内,通过阻抗分析仪(1)的扫频,测出中阮共鸣箱(2)与测试频率对应的阻抗值,同时将扫频数据保存到电脑及其软件处理系统(8)中进行数据图像处理。3.根据权利要求1所述一种基于阻抗技术的中阮共鸣箱的声学评价方法,其特征在于:所述中提琴共鸣箱(2)的声学阻抗评价方法包括,1)在中阮的低音区:其频率范围为196Hz-246.9HzHz,观察第一压电传感器(3)测出的阻抗频谱图;规定:在扫频范围内,阻抗增加值大于500Ω,且稳定,中阮共鸣箱(2)的低音区为优品;在扫频范围内,阻抗增加值大于400Ω、小于500Ω,且稳定,中阮共鸣箱(2)的低音区为良品;在扫频范围内,阻抗增加值小于400Ω或阻抗增加值不稳定,中阮共鸣箱(2)的低音区为劣品;2)在中阮的中音区,其频率范围为:246.9Hz-493.9Hz,观察第二压电传感器(4)的阻抗频谱图,规定:在扫频范围内,阻抗增加值大于500Ω,且稳定,中阮共鸣箱(2)的中音区为优品;在扫频范围内,阻抗增加值大于400Ω、小于500Ω,且稳...

【专利技术属性】
技术研发人员:张军张泽宇汤红梅李宪华黎俊楠赵义袁翔陆俊峰王古超张继明
申请(专利权)人:安徽理工大学
类型:发明
国别省市:安徽,34

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