【技术实现步骤摘要】
成像器件本分案申请是申请日为2013年7月19日、申请号为201310306078.1、专利技术名称为“固态成像器件以及制造方法”的分案申请。
本技术涉及固态成像器件以及制造方法,更具体地,涉及固态成像器件以及例如在诸如包括所谓列并行型AD转换单元的图像传感器的固态成像器件中,没有副作用地改善相邻列中构成AD转换器的比较器之间的串扰特性的制造方法,该列并行型AD转换单元含有在行方向排列的多个AD转换器。
技术介绍
捕获图像的固态成像器件的示例包括CCD(电荷耦合器件)图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。近年来,由于小型化等的要求,CMOS图像传感器正引人注意。CMOS图像传感器包括AD转换单元,其AD(模拟到数字)转换由执行光电转换的像素输出的模拟电信号。作为CMOS图像传感器的AD转换单元,根据高速处理等的要求,采用了列并行型AD转换单元(下文也称为列并行AD转换单元),其能够并行地对诸如排列在一个行输出上的所有多个像素的两个或更多像素输出的电信号执行AD转换(日本专利No.4470700)。例如,通过在行方向并排排列其数目等于像素的列数的多个ADC(AD转换器)配置列并行AD转换单元,每个列中的ADC执行由该列中的像素输出的电信号的AD转换。构成列并行AD转换单元的ADC的示例包括所谓的参考信号比较型ADC,该参考信号比较型ADC包括比较器和计数器,通过将预定参考信号与电信号相比较对像素输出的电信号执行AD转换。该参考信号比较型ADC的示例包括单斜率ADC。在单斜率ADC中,通过将其电平以恒定斜率变化的参考信号(诸如斜坡信号)与像素 ...
【技术保护点】
一种成像器件,包括:第一基板,其包括以列和行排列的多个像素,所述多个像素包括输出像素信号的像素;以及第二基板,其接合到所述第一基板,所述第二基板包括第一比较器,所述第一比较器包括第一差分晶体管和第二差分晶体管,其中所述第一差分晶体管包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述像素信号,所述第二差分晶体管包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极被配置为接收参考信号,并且所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管沿着第一列区域内的第一列方向排列。
【技术特征摘要】
2012.07.20 JP JP2012-1619981.一种成像器件,包括:第一基板,其包括以列和行排列的多个像素,所述多个像素包括输出像素信号的像素;以及第二基板,其接合到所述第一基板,所述第二基板包括第一比较器,所述第一比较器包括第一差分晶体管和第二差分晶体管,其中所述第一差分晶体管包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述像素信号,所述第二差分晶体管包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极被配置为接收参考信号,并且所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管沿着第一列区域内的第一列方向排列。2.如权利要求1所述的成像器件,其中所述像素设置在所述第一列区域内。3.如权利要求1所述的成像器件,其中所述第一晶体管的源极耦合到所述第二晶体管的源极,并且所述第一晶体管的漏极耦合到所述第二晶体管的漏极。4.如权利要求3所述的成像器件,其中所述第三晶体管的源极耦合到所述第四晶体管的源极,并且所述第三晶体管的漏极耦合到所述第四晶体管的漏极。5.如权利要求1所述的成像器件,还包括耦合到所述第一比较器的第一计数器。6.如权利要求1所述的成像器件,其中所述第二基板包括控制所述多个像素中的至少一个像素的控制电路。7.如权利要求1所述的成像器件,其中所述第二基板包括第二比较器,所述第二比较器包括第三差分晶体管和第四差分晶体管。8.如权利要求7所述的成像器件,其中所述第三差分晶体管包括第五晶体管和第六晶体管,并且所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极被配置为接收由多个像素中的至少一个像素输出的像素信号。9.如权利要求8所述的成像器件,其中所述第四差分晶体管包括第七晶体管和第八晶体管,并且所述第七晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极被配置为接收参考信号。10.如权利要求9所述的成像器件,其中所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管和所述第八晶体管沿着第二列区域内的所述第一列方向排列。11.如权利要求10所述的成像器件,其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的排列模式不同于所述第五晶体管、所述第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管的排列模式。12.一种成像器件,包括:第一基板,其包括以列和行排列的多个像素,其中所述多个像素中的至少一个像素输出像素信号;第二基板,其接合到所述第一基板,所述第二基板包括处理电路;以及第一比较器,其包括第一差分晶体管和第二差分晶体管,其中所述第一差分晶体管包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极被配置为接收由所述至少一个像素中的像素输出的像素信号,所述第二差分晶体管包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极被配置为接收参考信号,并且所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管沿着列方向排列。13.如权利要求12所述的成像器件,其中所述第一比较器设置在所述第二基板处。14.如权利要求12所述的成像器件,其中所述第一晶体管的源极耦合到所述第二晶体管的源极,并且所述第一晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员:植野洋介,情野奈津子,高宫健一,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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