一种多孔陶瓷材料表面封孔方法技术

本发明专利技术涉及一种封孔方法，特别涉及一种多孔陶瓷材料表面封孔方法。所述的方法包括如下步骤：步骤一，对多孔陶瓷材料进行干燥处理；步骤二，将多孔陶瓷材料进行抽真空处理；步骤三，通过蒸发镀膜、溅射镀膜或离子镀膜的方式进行表面封孔。本发明专利技术通过使用真空镀膜工艺对多孔陶瓷天线罩表面进行封孔，以减少多孔陶瓷材料的吸湿性，同时也对陶瓷材料具有增强作用，具有较大的实际应用价值。

A surface sealing method for porous ceramic materials

The invention relates to a hole sealing method, in particular to a porous ceramic material surface sealing method. The method comprises the following steps: step one, drying the porous ceramic material; step two, vacuumizing porous ceramic materials; and step three, sealing the surface by means of evaporation coating, sputtering coating or ion plating. The vacuum sealing process is applied to seal the surface of the porous ceramic radome, so as to reduce the moisture absorption of the porous ceramic material and enhance the ceramic material, which has great practical application value.

【技术实现步骤摘要】
一种多孔陶瓷材料表面封孔方法
本专利技术涉及一种封孔方法，特别涉及一种多孔陶瓷材料表面封孔方法。
技术介绍
Si3N4陶瓷的电学、热学和机械性能都非常优良,在氧化气氛中可使用到1400℃,在中性或还原气氛中可使用到1800℃，它具有一般陶瓷材料的坚硬、耐热、耐磨、耐腐蚀的优点,又具备了高的抗热震性、耐高温蠕变性、化学稳定性、自润滑好等特性,在用作天线罩材料时，为了降低其介电常数和密度，一般制成多孔材料，并且空隙率达到50％左右。由于多孔氮化硅陶瓷的高空隙率，使得多孔氮化硅极易吸潮，影响其介电性能。为此需要对其进行表面封孔处理。若使用封孔涂层封孔的方式进行多孔碳化硅材料的封孔，则涂层材料渗入多孔氮化硅内部，增加其密度和介电常数，无法发挥多孔氮化硅的材料性能。
技术实现思路
本专利技术的目的：提供一种多孔陶瓷材料表面封孔方法。本专利技术的技术方案：一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤一，对多孔陶瓷材料进行干燥处理；步骤二，将多孔陶瓷材料进行抽真空处理；步骤三，通过蒸发镀膜、溅射镀膜或离子镀膜的方式进行表面封孔。优选地，对多孔陶瓷材料进行抽真空处理后，向真空环境内充入氧气或氮气。优选地，对多孔陶瓷材料进行抽真空处理后，向真空环境内充入氩气作为保护气体。优选地，表面封孔所使用的材料包括：二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪、三氧化二铝、五氧化二钽、五氧化二铌、三氧化钨、三氧化二钪、三氧化二铟、氮化铝、氮化硅、碳化硅或氧化镁；优选地，一次表面封孔处理，包括多次步骤一、二和三的循环过程。本专利技术的有益效果：本专利技术通过使用真空镀膜工艺对多孔陶瓷天线罩表面进行封孔，以减少多孔陶瓷材料的吸湿性，同时也对陶瓷材料具有增强作用，具有较大的实际应用价值。具体实施方式一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤一，对多孔陶瓷材料进行干燥处理；步骤二，将多孔陶瓷材料进行抽真空处理；步骤三，通过蒸发镀膜、溅射镀膜或离子镀膜的方式进行表面封孔。本专利技术所述的多孔陶瓷材料为多孔石英陶瓷，多孔氮化硅陶瓷，多孔氧化铝陶瓷，多孔碳化硅陶瓷，多孔氧化铍陶瓷，多孔微晶玻璃，多孔氧化锆陶瓷，多孔堇青石陶瓷，多孔氮化硼陶瓷，以及采用玻璃纤维、石英纤维、氮化硼纤维、氮化硼纤维、氧化铝纤维增强的上述陶瓷材料的复合陶瓷。本专利技术所述的蒸发材料可以为二氧化硅，二氧化钛，二氧化锆，二氧化铪，三氧化二铝，五氧化二钽，五氧化二铌，三氧化钨，三氧化二钪，三氧化二铟，氮化铝，氮化硅，碳化硅，氧化镁。对多孔陶瓷材料进行抽真空处理后，可根据需要向真空环境内充入为氧气、氮气，或不充入反应气体，充入氩气作为保护气体。一次表面封孔处理，包括多次步骤一、二和三的循环过程。也就是说，可以在一次镀膜后，对其表面进行打磨处理，再次进行镀膜，直至达到设计要求。根据需要，可以同时镀不同材质，也可以分次分别镀不同材质。实施例1：步骤1：多孔氮化硅陶瓷天线罩在200℃温度条件下加热4h进行干燥处理；步骤2：将高纯石英粉(粒径为1mm～2mm，纯度为99.99％)放入蒸发器中，将多孔氮化硅陶瓷天线罩安装到真空镀膜室旋转支架上，对真空镀膜设备进行密封，然后进行抽真空至2.6×10-2Pa并保持此真空12h；步骤3：在真空室内充高纯氧气(纯度为99.995％)，使真空度达到1.8×10-2Pa；步骤4：开启蒸发材料加热电源和天线罩加热电源，将多孔氮化硅陶瓷天线罩温度加热至100℃，将高纯石英温度升高至140℃，使石英以蒸气流的形式附着到多孔氮化硅陶瓷表面，同时以20r/min的速率旋转多孔氮化硅陶瓷天线罩，上述镀膜过程进行30h，镀膜厚度约为0.010mm。实施例2：步骤1：多孔氮化硅陶瓷天线罩在200℃温度条件下加热4h进行干燥处理；步骤2：将高纯氮化硅粉(粒径为2mm～3mm，纯度为99.99％)放入蒸发器中，将多孔氮化硅陶瓷天线罩安装到真空镀膜室旋转支架上，对真空镀膜设备进行密封，然后进行抽真空至2.3×10-2Pa并保持此真空12h；步骤3：在真空室内充高纯氮气(纯度为99.995％)，使真空度达到2.0×10-2Pa；步骤4：开启蒸发材料加热电源和天线罩加热电源，将多孔氮化硅陶瓷天线罩温度加热至120℃，将高纯氮化硅温度升高至160℃，使氮化硅以蒸气流的形式附着到多孔氮化硅陶瓷表面，同时以15r/min的速率旋转多孔氮化硅陶瓷天线罩，上述镀膜过程进行40h，镀膜厚度约为0.015mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤一，对多孔陶瓷材料进行干燥处理；步骤二，将多孔陶瓷材料进行抽真空处理；步骤三，通过蒸发镀膜、溅射镀膜或离子镀膜的方式进行表面封孔。

【技术特征摘要】
1.一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：步骤一，对多孔陶瓷材料进行干燥处理；步骤二，将多孔陶瓷材料进行抽真空处理；步骤三，通过蒸发镀膜、溅射镀膜或离子镀膜的方式进行表面封孔。2.根据权利要求1所述的一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征为：对多孔陶瓷材料进行抽真空处理后，向真空环境内充入氧气或氮气。3.根据权利要求1所述的一种多孔陶瓷材料表面封孔方法，其特征为：对多孔陶瓷材...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾顺利，周凯运，王志强，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司济南特种结构研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37