充电元件、处理盒以及图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种充电元件、处理盒以及图像形成装置，该充电元件包括支架、设置在所述支架上的导电弹性层以及设置在所述导电弹性层上的表面层。在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大约为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。

Charging element, processing box and image forming device

The invention discloses a charging element, a processing box and an image forming device. The charging element comprises a bracket, a conductive elastic layer arranged on the bracket, and a surface layer arranged on the conductive elastic layer. In the current value of 2.5pA as a current threshold to create two value image in the current value of the average size of 2.5pA over the area of approximately 300nm below the current threshold voltage by the tip diameter of the outer surface of the conical contact probe 20nm with the surface layer and in the process of moving the cone shaped probe in between the tapered probe with the support of 3V applied and measured.

【技术实现步骤摘要】
充电元件、处理盒以及图像形成装置
本专利技术涉及一种充电元件、处理盒以及图像形成装置。
技术介绍
用于电子照相图像形成装置的充电元件，已知的有至少包括设置在支架上的导电弹性层的充电元件。例如，已知有下列充电元件。在日本专利文献特开2009-145665号公报中公开了一种弹性元件，其包括由硫化橡胶制成的弹性层。硫化橡胶通过使包含N-叔丁基-2-苯并噻唑次磺酰胺的半导电未硫化橡胶组合物交联获得。弹性层的体积电阻率为1×103至1×1010Ω·cm。在日本专利文献特开2008-256908号公报中公开了一种导电橡胶辊，用于对包括导电橡胶层的充电元件进行充电。导电橡胶层包含极性橡胶、平均一次粒径为31至50nm且DBP吸收值为90至180cm3/100g的炭黑(CB-A)以及平均一次粒径为90至300nm且DBP吸收值为20至80cm3/100g的炭黑(CB-B)。CB-A与CB-B的重量比(CB-A/CB-B)为0.67至3.00。每100重量份的橡胶组分中CB-A的含量为30至60重量份。每100重量份的橡胶组分中CB-B的含量为20至45重量份。在日本专利文献特开2007-065320号公报中公开了一种包括最外层的充电元件，该最外层至少包含导电颗粒和酞菁化合物。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种充电元件，其在接触充电式图像形成装置中使用时所产生的小色线少于在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大于300nm的充电元件，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。根据本专利技术的第一方面，提供一种充电元件，其包括：支架；导电弹性层，其设置在所述支架上；以及表面层，其设置在所述导电弹性层上。在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大约为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。根据本专利技术的第二方面，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸大约为200nm以下。根据本专利技术的第三方面，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸大约为50nm以下。根据本专利技术的第四方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约30nA以上的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第五方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约35nA以上的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第六方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约45nA以上的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第七方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约150nA以下的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第八方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约100nA以下的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第九方面，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有大约55nA以下的电流流经50μm的方形区域。根据本专利技术的第十方面，所述导电弹性层的外表面的10点平均粗糙度Rz(JISB0601:1994)为大约3.0至大约7.0μm。根据本专利技术的第十一方面，提供一种处理盒，可在所述图像形成装置上进行装拆。所述处理盒包括：电子照相感光体；以及充电装置，其包括根据第一方面至第十方面中任一项所述的充电元件并通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电。根据本专利技术的第十二方面，提供一种图像形成装置，其包括：电子照相感光体；充电装置，其包括根据第一方面至第十方面中任一项所述的充电元件并通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电；潜像形成装置，其在所述已充电的电子照相感光体的表面形成潜像；显影装置，其使用包含色调剂的显影剂对所述电子照相感光体的所述表面形成的所述潜像进行显影以在所述电子照相感光体的所述表面形成色调剂图像；以及转印装置，其将所述色调剂图像从所述电子照相感光体的所述表面转印到记录介质上。根据本专利技术的第十三方面，对所述充电装置的所述充电元件只施加直流电压以通过接触充电对所述电子照相感光体进行充电。根据本专利技术的第一、第二或第三方面，提供一种充电元件，其在接触充电式图像形成装置中使用时所产生的小色线少于在二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大于300nm的充电元件。根据本专利技术的第四、第五、第六、第七、第八或第九方面，提供一种充电元件，其在接触充电式图像形成装置中使用时所产生的小色线少于总共有小于30nA的电流流经50μm的方形区域的充电元件。根据本专利技术的第十方面，提供一种充电元件，其在接触充电式图像形成装置中使用时所产生的小色线少于包括如下导电弹性层的充电元件，该导电弹性层的外表面的10点平均粗糙度Rz(JISB0601:1994)小于3.0μm或大于7.0μm。根据本专利技术的第十一方面，提供一种处理盒，其在接触充电式图像形成装置中使用时所产生的小色线少于包括如下充电元件的处理盒，该充电元件在二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大于300nm。根据本专利技术的第十二或十三方面，提供一种接触充电式图像形成装置，其产生的小色线少于包括如下充电元件的接触充电式图像形成装置，该充电元件在二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸大于300nm。附图说明将基于下列附图详细说明本专利技术的示例性实施例，其中：图1是根据一种示例性实施例的示例充电元件的示意图；图2A是示例二值图像的示意图；图2B是示例二值图像的示意图；图2C是示例二值图像的示意图；图3是根据一种示例性实施例的示例图像形成装置的示意图；图4是根据一种示例性实施例的示例图像形成装置的示意图；图5是根据一种示例性实施例的示例图像形成装置的示意图；以及图6是根据一种示例性实施例的示例处理盒的示意图。具体实施方式以下对本专利技术的示例性实施例进行说明。这里描述的示例性实施例和示例仅作说明用途，不限制本专利技术的范围。在本说明书中，如果有多种材料与组合物中任何类型的成分相对应，则该组合物中此类成分的含量指组合物中相应材料的总含量，除非另有规定。在本说明书中，“电子照相感光体”可以简称为“感光体”。在本说明书中，充电元件的“轴向”指充电元件的旋转轴的方向。在本说明书中，“小色线”指半色调图像上出现的毫本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电元件，其特征在于，包括：支架；导电弹性层，其设置在所述支架上；以及表面层，其设置在所述导电弹性层上，其中，在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。

【技术特征摘要】
2016.07.07 JP 2016-1352521.一种充电元件，其特征在于，包括：支架；导电弹性层，其设置在所述支架上；以及表面层，其设置在所述导电弹性层上，其中，在采用电流值2.5pA作为电流阈值创建的二值图像中电流值为2.5pA以上的区域的平均尺寸为300nm以下，该电流阈值通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得。2.根据权利要求1所述的充电元件，其中，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸为200nm以下。3.根据权利要求1所述的充电元件，其中，在所述二值图像中电流值为2.5pA以上的所述区域的平均尺寸为50nm以下。4.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有30nA以上的电流流经50μm的方形区域。5.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有35nA以上的电流流经50μm的方形区域。6.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面相接触并在移动所述锥形探头的过程中在所述锥形探头与所述支架之间施加3V的电压而测得，总共有45nA以上的电流流经50μm的方形区域。7.根据权利要求1所述的充电元件，其中，通过使头端直径为20nm的锥形探头与所述表面层的所述外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：成田幸介，三浦宏之，小川徹，铃木友子，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP