高性能Sm‑Co纳米永磁薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及稀土永磁技术领域，公开了一种高性能Sm‑Co纳米永磁薄膜。该SmCo纳米永磁薄膜的结构从上至下依次包括：MgO基片、Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层，其中Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层的尺寸均为纳米等级。还公开了其制备方法，包括(1)Sm‑Co合金的制备；(2)靶材制备；(3)先在MgO基片上沉积Cr缓冲层，再溅射沉积Sm‑Co层，最后沉积Cr覆盖层。本发明专利技术提供一种制备高纯度无氧化，抗氧化性优异，易于调控的薄膜及其制备方法，解决了尺寸精度要求高、温度要求高的问题，更加符合电子工业生产所需要求。

【技术实现步骤摘要】
高性能Sm-Co纳米永磁薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种高性能Sm-Co纳米永磁薄膜及其制备方法，属于稀土永磁

技术介绍
随着电子器件的小型化、微型化的发展要求，高性能稀土永磁材料应来越广泛，数量不断增加，在一些应用领域正逐步取代一般永磁材料。Sm-Co永磁因其磁性能高、居里温度高、剩磁温度系数低、耐蚀性及热稳定性好而在永磁材料中具有不可替代的作用，它的出现极大地改善了永磁材料适应工作环境的能力，在高温领域及要求低温度系数领域有着广泛的应用。尽管其原材料加工成本昂贵，但是Sm-Co永磁材料的年生产量还是在稳步增长。从1990～2000年，我国Sm-Co磁体产量年增长率为9％。最近，在国防和军工领域提出了要求工作温度在400～500℃的高温磁体以及低温度系数的磁体。Sm-Co永磁体因其具有的优异性能，而成为首选材料，因此在20世纪90年代末再次掀起了Sm-Co永磁体的研究热潮。然而大部分永磁主要靠传统的机械加工工艺进行切削和加工，操作难度大，定位准确度低，尺寸精度差，很难满足电子工业高性能化、小型化、集成化的发展。薄膜材料，在纳米尺度更容易调控结构性能以及尺寸。因此，如何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能Sm‑Co纳米永磁薄膜，其结构从上至下依次包括：MgO基片、Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层，其中Cr缓冲层、Sm‑Co层以及Cr覆盖层的尺寸均为纳米等级。

【技术特征摘要】
1.一种高性能Sm-Co纳米永磁薄膜，其结构从上至下依次包括：MgO基片、Cr缓冲层、Sm-Co层以及Cr覆盖层，其中Cr缓冲层、Sm-Co层以及Cr覆盖层的尺寸均为纳米等级。2.根据权利要求1所述的高性能Sm-Co纳米永磁薄膜，其特征是，所述Cr缓冲层厚度为50nm，Cr覆盖层厚度为50nm，Sm-Co层厚度为15-50nm。3.一种高性能Sm-Co纳米永磁薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)：Sm-Co合金的制备：将Sm金属和Co金属按照原子比例1:5进行配比，在高纯度惰性气体氛围中进行电弧熔炼；(2)：靶材制备：将熔炼好的Sm-Co合金通过感应熔炼炉熔炼在一起浇铸成靶材，并切割成圆饼型薄皮靶材；(3)：在MgO基片上沉积Cr缓冲层，再溅射沉积Sm-Co层，最后沉积Cr覆盖层。4.根据权利要求3所述的高性能Sm-Co纳米永磁薄膜的制备方法，其特征是，所述MgO基片预先在500℃进行20min高温退火，Cr缓冲层在400℃沉积，Sm-Co层在600℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：任瀚洋，
申请(专利权)人：任瀚洋，
类型：发明
国别省市：浙江,33