电源处理电路制造技术

本实用新型专利技术一种电源处理电路，其特征在于，包括：防反接模块；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻。上述电源处理电路，在电源极性正确时，电流起始时通过N沟道增强型MOS场效应管内的二极管导通，源极电压接近0V；两个电阻分压后，为栅极提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把场效应管内部的二极管给替代了，从而产生的压降也很小，发热小，损耗也小；电源反接时，场效应管内的二极管未到击穿电压不导通；分压电阻无电流流过无法提供栅极电压，也不导通；从而起到保护作用。

【技术实现步骤摘要】
电源处理电路
本技术涉及电源领域，特别是涉及一种电源处理电路。
技术介绍
对于设备使用时有可能发生电源反接的情况，以前常常采用二极管进行防反接保护，其电路简单，成本较低，适用于小电流，对成本要求比较严的产品。但是二极管导通时会存在一定的压降，当电路有较大的电流时，会有一定的发热量。
技术实现思路
基于此，有必要针对二极管防反接电路在导通时的压降和发热问题，提供一种电源处理电路。一种电源处理电路，包括：防反接模块；所述防反接模块设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块的接地端用于接地；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端对应为所述防反接模块的输入端和第一输出端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端接在一起，所述第二电阻的第二端对应为所述防反接模块的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管的漏极对应为所述防反接模块的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管的源极接所述第二电阻的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管的栅极与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源处理电路，其特征在于，包括：防反接模块；所述防反接模块设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块的接地端用于接地；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端对应为所述防反接模块的输入端和第一输出端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端接在一起，所述第二电阻的第二端对应为所述防反接模块的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管的漏极对应为所述防反接模块的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管的源极接所述第二电阻的第二端；所...

【技术特征摘要】
1.一种电源处理电路，其特征在于，包括：防反接模块；所述防反接模块设有输入端、接地端、第一输出端和第二输出端；所述防反接模块的输入端用于连接输入电源；所述防反接模块的接地端用于接地；所述防反接模块的第一输出端和第二输出端分别用于连接电源负载；所述防反接模块包括N沟道增强型MOS场效应管、第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的第一端对应为所述防反接模块的输入端和第一输出端；所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端接在一起，所述第二电阻的第二端对应为所述防反接模块的第二输出端；所述N沟道增强型MOS场效应管的漏极对应为所述防反接模块的接地端；所述N沟道增强型MOS场效应管的源极接所述第二电阻的第二端；所述N沟道增强型MOS场效应管的栅极与所述第一电阻的第二端接在一起。2.根据权利要求1所述的电源处理电路，其特征在于，还包括电流保护模块；所述电流保护模块具有第一端和第二端；所述防反接模块的输入端通过所述电流保护模块接所述输入电源；所述电流保护模块的第一端接所述输入电源；所述电流保护模块的第二端接所述防反接模块的输入端。3.根据权利要求2所述的电源处理电路，其特征在于，所述电流保护模块包括保险丝，所述保险丝的两端对应为所述电流保护模块的第一端和第二端。4.根据权利要求3所述的电源处理电路，其特征在于，所述保险丝是自恢复保险丝。5.根据权利要求1所述的电源处理电路，其特征在于，还包括电压保护模块；所述电压保护模...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱纯鑫，刘乐天，
申请(专利权)人：深圳市速腾聚创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44