制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列制造技术

一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。通过采用本发明专利技术的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。

【技术实现步骤摘要】
制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列
本专利技术涉及一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列。
技术介绍
本申专利技术是申请号为CN201510766400.8的分案申请。在文献CN103880078A中，我们已经公开了一种采用化学溶液旋涂法制备BiGaO3薄膜材料的方法。然而，在制备大面积高厚度均匀性、厚度纳米级精确可控性方面，化学溶液旋涂法实在无能为力，与半导体制造工艺也难以集成、兼容。
技术实现思路
为了解决现有技术问题，本专利技术的目的在于提供一种可精确控制薄膜厚度的时空分离式自限制性表面吸附反应制备的BiGaO3薄膜材料的方法。实现本专利技术目的具体技术方案是：一种BiGaO3薄膜材料的制备方法，采用专门设计的装置来完成，所述装置具有如下的特征：包括有铋前驱体源1、铋前驱体管路手动阀K1、铋前驱体管路自动阀AK1、铋前驱体载气管路质量流量控制器MFC1、镓前驱体源2、镓前驱体管路手动阀K2、镓前驱体管路自动阀AK2、镓前驱体载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源3、氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、惰性气体源4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，所述的BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）；所述BiGaO3薄膜材料采用前驱体时间分隔式的自限制性的表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应；其特征在于：所述气体脉冲序列由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成；铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中，化学吸附反应在真空反应腔中进行；所...

【技术特征摘要】
1.一种制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，所述的BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，所述的BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）；所述BiGaO3薄膜材料采用前驱体时间分隔式的自限制性的表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应；其特征在于：所述气体脉冲序列由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成；铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中，化学吸附反应在真空反应腔中进行；所述铋前驱体为三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)；所述镓前驱体为三甲基镓；所述氧前驱体气体可以是H2O、O2、O3其中任意一种，也可以是其中任意两种或三种的混合气体；所述“惰性气体”指在整个薄膜制备过程中不会与前驱体发生化学反应的气体；所述气体脉冲序列由惰性气体脉冲、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)或其他铋前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲以及三甲基镓气体或其他镓前驱体气体脉冲组成，分别以N、B、O、G来代表惰性气体脉冲、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)或其他铋前驱体气...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋长青，尹海宏，王志亮，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32