【技术实现步骤摘要】
图案式防护结构
本专利技术涉及一种集成电路,且特别是涉及一种应用于集成电路中的电感,其图案式防护结构。
技术介绍
随着科技的进步,集成电路(integratedcircuit)的工艺已朝向28纳米(nm)及20纳米发展。在此微型尺寸下,存在诸多因微型尺寸所致的负面影响,例如,因集成电路内之氧化层厚度较薄,而导致电容值较高,且氧化层较薄之故,也会在基板(substrate)产生的涡电流,这些状况皆会对电感的品质因素产生影响。由此可见,上述现有的方式,显然仍存在不便与缺陷,而有待改进。为了解决上述问题,相关领域无不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路
本
技术实现思路
的一目的是在提供一种图案式防护结构,由此改善现有技术的问题。为达上述目的,本
技术实现思路
的一技术方式系关于一种图案式防护结构,其应用于集成电路中。图案式防护结构位于集成电路的电感与基板之间。图案式防护结构包含中央结构单元、第一图案化结构单元及第二图案化结构单元。中央结构单元包含第一次中央结构单元及第二次中央结构单元。第二次中央结构单元以中央结构单元的中央为基准而与第一次中央结构单元对称配置。第一图案化结构单元配置于中央结构单元的一侧。第二图案化结构单元配置于中央结构单元的另一侧,且第二图案化结构单元以中央结构单元为基准而与第一图案化结构单元对称配置。因此,根据本专利技术的
技术实现思路
,本专利技术实施例通过提供一种图案式防护结构,其可应用于集成电路内以改善电感的品质因素下降的问题。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下: ...
【技术保护点】
一种图案式防护结构,应用于一集成电路中,其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间,其中该图案式防护结构包含:一中央结构单元,包含:一第一次中央结构单元;以及一第二次中央结构单元,该第二次中央结构单元以该中央结构单元的中央为基准而与该第一次中央结构单元对称配置;一第一图案化结构单元,配置于该中央结构单元的一侧;以及一第二图案化结构单元,配置于该中央结构单元的另一侧,且该第二图案化结构单元以该中央结构单元为基准而与该第一图案化结构单元对称配置。
【技术特征摘要】
1.一种图案式防护结构,应用于一集成电路中,其中该图案式防护结构位于该集成电路的一电感与一基板之间,其中该图案式防护结构包含:一中央结构单元,包含:一第一次中央结构单元;以及一第二次中央结构单元,该第二次中央结构单元以该中央结构单元的中央为基准而与该第一次中央结构单元对称配置;一第一图案化结构单元,配置于该中央结构单元的一侧;以及一第二图案化结构单元,配置于该中央结构单元的另一侧,且该第二图案化结构单元以该中央结构单元为基准而与该第一图案化结构单元对称配置。2.如权利要求1所述的图案式防护结构,其中该中央结构单元还包含:一第一骨干,配置于该中央结构单元的中央;其中该第一次中央结构单元包含:多条第一支干,多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧,并往该第一骨干的反方向向外延伸配置;其中该第二次中央结构单元包含:多条第二支干,多个所述第二支干的一端耦接于该第一骨干的另一侧,并往该第一骨干的反方向向外延伸配置。3.如权利要求2所述的图案式防护结构,其中该第一图案化结构单元包含:一第二骨干,配置一第一方向上,并位于该第一图案化结构单元的中央;一第三骨干,配置约垂直于该第一方向的一第二方向上,并位于该第一图案化结构单元的一侧,其中该第二骨干与该第三骨干的接点耦接于该中央结构单元的该第一骨干;多条第三支干,部分多个所述第三支干的一端耦接于该第二骨干的一侧,并往该第二骨干的反方向向外延伸配置,且多个所述第三支干与该第二骨干的夹角为一锐角;以及多条第四支干,部分多个所述第四支干的一端耦接于该第二骨干的另一侧,并往该第二骨干的反方向向外延伸配置,且多个所述第四支干与该第二骨干的夹角为锐角。4.如权利要求1所述的图案式防护结构,其中该第一次中央结构单元包含:多条第一条状部,配置于一第一方向;以及一第二条状部,配置于约垂直于该第一方向的一第二方向,且该第二条状部耦接于多个所述第一条状部的一端;其中该第二次中央结构单元包含:多条第三条状部,配置于该第一方向;以及一第四条状部,配置于该第二方向,且该第四条状部耦接于多个所述第三条状部的一端。5.如权利要求4所述的图案式防护结构,其中多个所述第一条状部每一者对应耦接于多个所述第三条状部每一者。6.如权利要求4所述的图案式防护结构,其中该第一图案化结构单元包含:一第一骨干,配置一第一方向上,并位于该第一图案化结构单元的中央;一第二骨干,配置约垂直于该第一方向的一第二方向上,并位于该第一图案化结构单元的一侧,其中该第二骨干耦接于该中央结构单元的该第二条状部与该第四条状部的一端;多条第一支干,部分多个所述第一支干的一端耦接于该第一骨干的一侧,并往该第一骨干的反方向向外延伸配置,且多个所述第一支干与该第一骨干的夹角为锐角;以及多条第二支干,部分多个所述第二支干的一端耦接于该第一骨干的另一侧,并往该第一骨干的反方向向外延伸配置,且多个所述第二支干与该第一骨干的夹角为锐角。7.如权利要求1所述的图案式防护结构,其中该中央结构单元还包含:一第一骨干,配置于该中...
【专利技术属性】
技术研发人员:颜孝璁,罗正玮,简育生,叶达勋,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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