光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法技术

含有将改性二甲苯甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物的光刻用下层膜形成用材料、含有该材料的组合物、使用该组合物的图案形成方法。

The formation of materials for the lower layer of photolithography, the formation of the lower layer film for photolithography, the formation of the lower film and the pattern formation of the lithography.

A lower layer film forming material for photolithocyanate compounds containing cyanate ester modified by modified xylene formaldehyde resin, and a composition containing the material, and a pattern forming method using the composition.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
本专利技术涉及光刻用下层膜形成用材料、含有该材料的光刻用下层膜形成用组合物、使用该组合物而形成的光刻用下层膜以及使用该组合物的图案形成方法(抗蚀图案方法或电路图案方法)。
技术介绍
半导体器件的制造中，通过使用光致抗蚀材料的光刻进行微细加工。近年来随着LSI的高集成化和高速化，要求根据图案规则的进一步的微细化。而作为目前的通用技术使用的利用曝光的光刻，正逐步接近源自光源波长的固有分辨率的极限。形成抗蚀图案时使用的光刻用光源由KrF准分子激光器(248nm)至ArF准分子激光器(193nm)而被短波长化。然而，抗蚀图案的微细化推进时，出现分辨率的问题或显影后抗蚀图案崩溃的问题，因此需要抗蚀剂的薄膜化。但是，若仅进行抗蚀剂的薄膜化，则在基板加工中难以得到足够的抗蚀图案的膜厚。因此，越来越需要如下工艺：不仅使抗蚀图案具有作为掩模的功能，而且在抗蚀剂与要加工的半导体基板之间制作抗蚀下层膜，使该抗蚀下层膜也具有作为基板加工时的掩模的功能。目前，作为这样的工艺用抗蚀下层膜，已知有各种抗蚀下层膜。例如，作为实现与现有的蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻用下层膜形成用材料，其含有将改性二甲苯甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.07 JP 2015-0785651.一种光刻用下层膜形成用材料，其含有将改性二甲苯甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物。2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述改性二甲苯甲醛树脂为使用下述式(2)所示的酚类使二甲苯甲醛树脂或脱缩醛键合二甲苯甲醛树脂改性而得到的树脂，式(2)中，Ar1表示芳香环结构；R2表示一价取代基，各自独立地为氢原子、烷基或芳基；芳香环的取代基能选择任意位置；a表示羟基的键合个数，为1～3的整数；b表示R2的键合个数，Ar1为苯结构时b为5-a、Ar1为萘结构时b为7-a、Ar1为亚联苯基结构时b为9-a。3.根据权利要求2所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(2)所示的酚类为苯酚或2,6-二甲苯酚。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述氰酸酯化合物含有下述式(1)所示的氰酸酯化合物，式(1)中，Ar1表示芳香环结构；R1各自独立地表示亚甲基、亚甲基氧基、亚甲基氧基亚甲基或氧基亚甲基，它们任选连接；R2表示一价取代基，各自独立地表示氢原子、烷基或芳基；R3各自独立地表示碳数1～3的烷基、芳基、羟基或羟基亚甲基；m表示1以上的整数；n表示0以上的整数；各重复单元的排列任意；k表示氰氧基的键合个数，为1～3的整数；x表示R2的键合个数，为“Ar1的能够键合的个数-(k+2)”；y表示R3的键合个数，表示0～4的整数。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田佳奈，牧野嶋高史，越后雅敏，东原豪，大越笃，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP