在逻辑芯片中基于电压对比的错误及缺陷推导制造技术

本发明专利技术揭示一种电压对比成像缺陷检测系统，其包含电压对比成像工具及耦合到所述电压对比成像工具的控制器。所述控制器经配置以：针对样本上的一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量；基于所述一或多个电压对比成像度量而确定所述样本上的一或多个目标区域；从所述电压对比成像工具接收所述样本上的所述一或多个目标区域的电压对比成像数据集；以及基于所述电压对比成像数据集而检测一或多个缺陷。

Error and defect derivation based on voltage contrast in logic chips

The invention discloses a voltage contrast imaging defect detection system, which comprises a voltage contrast imaging tool and a controller coupled to the voltage contrast imaging tool. The controller is configured to: according to the sample of one or more of the structure to produce one or more voltage contrast imaging measurement; determine the sample on one or more of the target area of the one or more voltage measurement based on contrast imaging; from the voltage contrast imaging tool receives the sample on the the one or more target area voltage contrast imaging data set; and the voltage contrast imaging data set based on the detection of one or more defects.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在逻辑芯片中基于电压对比的错误及缺陷推导相关申请案的交叉参考本申请案根据35U.S.C.§119(e)规则主张2015年5月20日申请的以名为布莱恩·达菲(BrianDuffy)为专利技术者的标题为“在随机逻辑产品芯片中的基于电压对比的故障及缺陷干扰的方法及设备(METHODSANDAPPARATUSFORVOLTAGECONTRASTBASEDFAULTANDDEFECTINFERENCEINRANDOMLOGICPRODUCTCHIPS)”的第62/164,081号美国临时申请案的权利，所述临时申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及缺陷检测，且更特定来说，本专利技术涉及使用电压对比成像的目标缺陷检测。
技术介绍
检验系统识别并分类半导体晶片上的缺陷以在晶片上产生缺陷群体。给定半导体晶片可包含数百个芯片，每一芯片含有所关注的数千个组件，且所关注的每一组件可在芯片的给定层上具有数百万个例子。因此，检验系统可在给定晶片上产生大量数据点(例如用于一些系统的数千亿个数据点)。此外，对不断缩小装置的需求导致对检验系统的增加需求。需求包含：需要在不牺牲检验速率或准确度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压对比成像缺陷检测系统，其包括：电压对比成像工具；及控制器，其耦合到所述电压对比成像工具，其中所述控制器包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以执行经配置以致使所述一或多个处理器进行以下操作的程序指令：针对样本上的一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量；基于所述一或多个电压对比成像度量而确定所述样本上的一或多个目标区域；从所述电压对比成像工具接收所述样本上的所述一或多个目标区域的电压对比成像数据集；以及基于所述电压对比成像数据集而检测一或多个缺陷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.20 US 62/164,081;2016.04.22 US 15/136,6801.一种电压对比成像缺陷检测系统，其包括：电压对比成像工具；及控制器，其耦合到所述电压对比成像工具，其中所述控制器包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以执行经配置以致使所述一或多个处理器进行以下操作的程序指令：针对样本上的一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量；基于所述一或多个电压对比成像度量而确定所述样本上的一或多个目标区域；从所述电压对比成像工具接收所述样本上的所述一或多个目标区域的电压对比成像数据集；以及基于所述电压对比成像数据集而检测一或多个缺陷。2.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个电压对比成像度量包含所述一或多个结构的一或多个电压对比图像的预测信号强度。3.根据权利要求2所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个电压对比成像信号的所述预测信号强度包括：灰阶电压对比图像的灰阶值。4.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个电压对比成像度量包含使用电压对比成像来检测所述一或多个结构上的缺陷的可能性。5.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个电压对比成像度量包含与所述一或多个结构相关联的预测缺陷机制。6.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个电压对比成像度量包含与所述一或多个结构相关联的预测错误机制。7.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于所述一或多个结构的物理布局而产生一或多个电压对比成像度量。8.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于包含所述一或多个结构的接线对照表而产生一或多个电压对比成像度量。9.根据权利要求8所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中基于包含所述一或多个结构的接线对照表而产生一或多个电压对比成像度量包括：识别与所述接线对照表的一或多个接线网相关联的一或多个子电路；基于所述一或多个子电路而产生一或多个电压对比成像度量。10.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于所述一或多个结构的一或多个电性质而产生一或多个电压对比成像度量。11.根据权利要求10所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个结构的所述电性质包括：电阻、阻抗或电容中的至少一者。12.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于与所述电压对比成像工具相关联的电压对比成像条件而产生一或多个电压对比成像度量。13.根据权利要求12所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中与所述电压对比成像工具相关联的所述电压对比成像条件包含以下中的至少一者：分辨率、扫描束相对于电接地的电压、所述扫描束的速度、含有所述一或多个结构的腔室的压力。14.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于与所述一或多个结构相关联的一或多个电路的模拟而产生一或多个电压对比成像度量。15.根据权利要求14所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述模拟包含数值模拟或基于规则的模拟中的至少一者。16.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于所述一或多个结构的一或多个预期电功能而产生一或多个电压对比成像度量。17.根据权利要求1所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个结构包含所述样本的一或多个层内的一或多个结构。18.根据权利要求17所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中所述一或多个层包含绝缘体、导体、半导体、阱或衬底中的至少一者。19.根据权利要求17所述的电压对比成像缺陷检测系统，其中针对样本上的所述一或多个结构产生一或多个电压对比成像度量包括：基于所述样本上的所述一或多个层的一或多个特性而产生一或多个电压对比成像度量。20.根据权利要求19所述的电压对比成像缺陷检测系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·达菲，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US