本发明专利技术提供一种在高频熔接中，使熔接强度稳定的技术。阻抗匹配电路(E)连接在用于对筒状体(F2)进行高频熔接的密封电极(8a)与向密封电极以及接地电极(8b)之间供给高频功率的高频输出部(A)之间，在与高频输出部的设计频率相对应的频率fc下高频功率的信号电平为峰值，阻抗匹配电路(E)具有半辐值为所述频率fc的0.15倍以上的通过特性。
Impedance matching circuit, high frequency welding device and continuous filling device
The invention provides a technique for stabilizing the bonding strength in high frequency welding. The impedance matching circuit (E) connected to the cylindrical body for sealing electrode (F2) of the high frequency fusion (8a) and a ground electrode is connected to the sealing electrode (8B) and high-frequency output between the high frequency power supply (A), the corresponding design frequency and high-frequency output frequency of the signal the level of high frequency power FC of the peak, the impedance matching circuit (E) with half amplitude for the frequency of FC is more than 0.15 times by characteristics.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻抗匹配电路、高频熔接装置以及连续填充装置
本专利技术涉及一种连接在用于对被熔接物进行高频熔接的高频电极与向该高频电极供给高频功率的高频输出部之间的阻抗匹配电路、具备该阻抗匹配电路的高频熔接装置、以及具备该高频熔接装置的连续填充装置。
技术介绍
填充有香肠(sausage)或者奶酪棒(stickcheese)等内容物的包装体通过在形成为筒状的筒状体中填充内容物，将两端结扎而制成。该筒状体通过将一个带状的膜卷成筒状，使该膜的两侧端部重合来进行熔接而形成。涉及作为像这样将膜熔接的方法之一的高频熔接的技术正在被开发。例如，在专利文献1中，公开了一种高频熔接装置：将高频功率从高频输出部经由阻抗匹配电路供给至一对高频电极间，对该高频电极所夹持的膜的重叠部进行高频介质加热来进行熔接。该高频熔接装置具备检测电路，该检测电路具有：耦合部，与一对高频电极的高压侧电极电容耦合；以及整流电路，对从该耦合部获得的信号进行整流。然后，该检测电路对提供给高频熔接装置的高频电极的高频电压进行检测。在专利文献1中，记载有：在该高频熔接装置中，通过一边监控该检测电路所检测到的高频电压，一边进行阻抗匹配调整，能得到高质量的膜包装体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开专利公报“特开平6-238754号公报(1994年8月30日公开)”
技术实现思路
专利技术要解决的问题在一边进给被熔接物、一边对其进行高频熔接的高频熔接装置的情况下，该高频熔接装置启动之后不久，被熔接物的进给速度缓慢，从该状态起逐渐提速，达到规定的速度。然而，在现有技术中，由于在被熔接物的进给速度慢的情况下和进给速度快的情况下，熔接强度的变化大，因此，存在难以使熔接强度稳定的问题。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种在高频熔接中，与以往相比熔接强度稳定的技术。技术方案为了解决上述问题，本专利技术的一个方案的阻抗匹配电路为，连接在用于对被熔接物进行高频熔接的高频电极与向该高频电极供给高频功率的高频输出部之间的阻抗匹配电路，在与所述高频输出部的设计频率相对应的频率fc下高频功率的信号电平为峰值，所述阻抗匹配电路具有半辐值为所述频率fc的0.15倍以上的通过特性。而且，根据本专利技术的一个方案的阻抗匹配电路，其为连接在用于对被熔接物进行高频熔接的高频电极与向该高频电极供给高频功率的高频输出部之间的阻抗匹配电路，具备绕组为管状的线圈。专利技术效果根据本专利技术的一个方案，能够提供一种在高频熔接中，与以往相比熔接强度稳定的技术。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1的高频熔接装置的框图。图2是本专利技术的实施方式1的具备密封电极以及接地电极的筒状体制造装置的构成图。图3是本专利技术的实施方式1的电感元件以及阻抗匹配电路部的外观图。图4是表示实施例1的测定结果的图。图5是在实施例2中制得的筒状体的熔接部的剖面的照片以及表面的照片。图6是表示实施例3的测定结果的图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。(高频熔接装置100的构成)图1是表示本专利技术的实施方式1的高频熔接装置100的框图。如图1所示，高频熔接装置(连续填充装置)100包含：高频输出部A、阻抗匹配电路部E、以及筒状体制造装置1。在高频熔接装置100中，从高频输出部A输出的高频功率经由阻抗匹配电路部E供给至筒状体制造装置1。然后，在筒状体制造装置1中，被熔接物被高频熔接，向熔接后的筒状体中连续填充内容物。对构成高频熔接装置100的各部分进行详细说明。根据具有以下这样的构成的高频熔接装置100，能够实现在与后述高频输出部A的设计频率相对应的频率fc下，高频功率的信号电平为峰值，具有半辐值为上述频率fc的0.15倍以上的通过特性的阻抗匹配电路。需要说明的是，通过特性的半辐值的上限值并不会规定本说明书中所记载的专利技术，但如下所述，会实现半辐值为所述频率fc的0.15倍以上且0.26倍以下的通过特性。此外，还明确了：只要是参考了本说明书的本领域技术人员，就能够实现半辐值的上限值为上述频率fc的0.30倍左右的通过特性。(筒状体制造装置1的构成)图2是本专利技术的实施方式1的具备密封电极8a以及接地电极8b的筒状体制造装置1的构成图。筒状体制造装置1是制造用于填充香肠或者奶酪棒等内容物的筒状体的装置。参照图2，对筒状体制造装置1进行说明。图2的纸面上的上下与实际的铅垂方向的上下相对应，筒状体以在图中从上至下流动的方式被进给。即，图中的上方相当于填充作业中的筒状体的进给方向的上游侧，图中的下方相当于进给方向的下游侧。在筒状体制造装置1中，通过膜坯料卷(原反)2、导辊3A以及导辊3B来供给带状的膜(被熔接物)F。膜F从卷为卷筒状的膜坯料卷2拉出，由导辊3A以及导辊3B引导进给，引导至成形板6。膜F优选由偏二氯乙烯系共聚物树脂构成。成形板6具有上下开口的圆筒形状，在周向的一处具有纵向延伸的圆周方向的间隙。此外，成形板6的上端缘弯曲倾斜，就膜F而言，以使膜F沿着成形板6的内表面的方式被引导，并形成具有使侧缘彼此重合而成的重合部的连续筒状膜F1。在成形板6的下游侧垂下有引导筒7，连续筒状膜F1在保持为筒状形状的状态下被进给至引导筒7。由引导筒7引导的连续筒状膜F1通过作为用于进行高频熔接的高频电极的密封电极8a以及接地电极8b熔接出重合部。在成形板6的上游侧设置有向所形成的连续筒状膜F1中填充内容物C的泵4和喷嘴5。喷嘴5的一方的顶端向引导筒7导入，另一方的顶端与泵4相连。向引导筒7导入的喷嘴5的顶端在密封电极8a以及接地电极8b的下游侧处开口。需要说明的是，泵4的位置不限于成形板6的上方，也可以配置于易于适当补充内容物C的其他位置，可以通过配管与喷嘴5相连。在引导筒7以及喷嘴5的下游侧设置有作为进给装置的进给辊9a以及辊9b。对于连续筒状膜F1内填充有内容物C的筒状体F2而言，在由一对圆柱状的进给辊9a以及辊9b挤压了内容物C的状态下，向下方连续地夹压输送筒状体F2。需要说明的是，被夹压输送的筒状体F2通过挤压装置而成扁平，由此，会形成不存在内容物C的无内容物部。对于筒状体F2而言，对该无内容物部进行密封或者结扎，而将其封闭，利用切刀等进行切割，由此切割(dicing)成包装体。(高频功率供给路径)对作为向筒状体制造装置1的密封电极8a以及接地电极8b之间供给高频功率的路径的高频功率供给路径进行说明。在高频功率供给路径设置有高频输出部A以及阻抗匹配电路部E。高频输出部A包含：作为高频振荡电路的晶体振荡电路A1和其后段的功率放大电路A2。晶体振荡电路A1是与晶体振子11的固有振动频率同步地进行发送的电路。作为晶体振子11的固有振动频率，一般将13.56MHz、27.12MHz或者40.68MHz等、工业科学医疗用频段(ISM频段)的频率选作设计频率。作为能够产生固有振动频率的振动的振动元件，除了晶体振子11以外，例如可以使用利用了表面声波的SAW元件等。功率放大电路A2将来自晶体振荡电路A1的高频输出信号放大至高频熔接所需的功率。通过功率放大电路A2放大后的高频输出信号供给至阻抗匹配电路E。作为功率放大电路A2，优选使用利用了公知的FET的推挽放大电路。阻抗匹配电路部E进行基于在一对熔接用的密封电极8a以及接地电极8b之间夹持有连续筒状膜F1的重本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阻抗匹配电路，连接在用于对被熔接物进行高频熔接的高频电极与向所述高频电极供给高频功率的高频输出部之间，在与所述高频输出部的设计频率相对应的频率fc下高频功率的信号电平为峰值，所述阻抗匹配电路具有半辐值为所述频率fc的0.15倍以上的通过特性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.23 JP 2015-0883471.一种阻抗匹配电路，连接在用于对被熔接物进行高频熔接的高频电极与向所述高频电极供给高频功率的高频输出部之间，在与所述高频输出部的设计频率相对应的频率fc下高频功率的信号电平为峰值，所述阻抗匹配电路具有半辐值为所述频率fc的0.15倍以上的通过特性。2.根据权利要求1所述的阻抗匹配电路，其中，具有半辐值为所述频率fc的0.21倍以上的通过特性。3.根据权利要求1或2所述的阻抗匹配电路，其特征在于，在所述高频输出部的设计频率下，高频功率的信号电平为-18dB以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻抗匹配电路，其特征在于，具备绕组为管...
【专利技术属性】
技术研发人员：瀬谷清美，
申请(专利权)人：株式会社吴羽，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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