显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及显示装置及其制造方法。一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；第一基板与第二基板之间的液晶层；第一基板上的第一像素电极；第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在第一绝缘层上，并且在与其中设置第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
示例性实施方式涉及显示装置以及制造显示装置的方法，更具体地，涉及超高分辨率显示装置以及制造超高分辨率显示装置的方法。
技术介绍
显示装置基于其发光方案被分类为液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置、电泳显示(“EPD”)装置等。在各种各样类型的显示装置中，LCD装置通常包括两个基板以及插置在所述两个基板之间的液晶层，所述两个基板包括分别形成在其上的像素电极和公共电极。在向像素电极和公共电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新排列，从而被透射的光的量可以被控制。近来，对具有大尺寸和高分辨率的显示装置的需求正在增长。尤其，对具有约2000像素每英寸(ppi)或更高的超高分辨率(超过约300ppi或更高的高分辨率)的显示装置的需求正在增长。随着显示装置的分辨率增大，单元像素电极的尺寸以及单元像素电极之间的距离应该减小。然而，由于将像素电极图案化的曝光的分辨率极限，像素电极可以不彼此间隔开成小于预定距离，因此在实现超高分辨率显示装置方面存在困难。将理解，此技术背景部分旨在为理解技术提供有用的背景，并且如在此公开那样，技术背景部分可以包括不属于本文公开的主题的相应有效提交日之前被相关领域的技术人员所知晓或理解的内容的想法、构思或认识。
技术实现思路
示例性实施方式针对显示装置和制造该显示装置的方法，该显示装置包括以小于或等于曝光的分辨率极限的距离彼此间隔开的像素电极。根据一示例性实施方式，一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶层；在第一基板上的第一像素电极；在第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在第一绝缘层上，并且在与其中设置第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。第一像素电极和第二像素电极可以具有基本上相同的形状。显示装置还可以包括在第一方向上延伸的栅线以及在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线。在第一方向上，第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以小于数据线的宽度。第一像素电极的至少一部分和第二像素电极的至少一部分可以重叠数据线。第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。显示装置还可以包括在第一基板上的公共电极，公共电极与第一像素电极和第二像素电极绝缘。显示装置还可以包括在第二基板上的公共电极。显示装置还可以包括：在第二像素电极上的第二绝缘层；以及在第二绝缘层上的第三像素电极，第三像素电极设置在与其中设置第一像素电极和第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。显示装置还可以包括沿着栅线延伸的第一黑矩阵。显示装置还可以包括沿着数据线延伸的第二黑矩阵。第二黑矩阵可以具有比数据线的宽度更小的宽度。根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构中限定第一接触孔，第一接触孔暴露薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分；形成通过第一接触孔连接到第一薄膜晶体管的第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第一绝缘层；在膜结构和第一绝缘层中限定第二接触孔，第二接触孔暴露薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；以及形成通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极。第一像素电极形成在与其中形成第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构上形成第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第一绝缘层；在膜结构和第一绝缘层中限定第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔穿过第一像素电极并且暴露薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分，第二接触孔暴露薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；形成通过第一接触孔将第一薄膜晶体管和第一像素电极连接的桥电极；以及形成通过第二接触孔连接到第二薄膜晶体管的第二像素电极。第一像素电极形成在与其中形成第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。桥电极的形成以及第二像素电极的形成基本上被同时执行。根据一示例性实施方式，一种显示装置包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶层；以及在第一基板上的第一像素电极和第二像素电极。第一像素电极包括与形成第二像素电极的材料不同的材料。第一像素电极和第二像素电极可以设置在基本上相同的层上。第一像素电极可以具有与第二像素电极的蚀刻率不同的蚀刻率。第一像素电极可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)组成的组中选择的至少一种。显示装置还可以包括：在第一方向上延伸的栅线以及在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线。在第一方向上，第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以小于数据线的宽度。第一像素电极的至少一部分和第二像素电极的至少一部分可以重叠数据线。第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。根据一示例性实施方式，一种制造显示装置的方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在第一基板上形成膜结构，膜结构包括多个薄膜晶体管；在膜结构上涂覆第一像素电极形成材料；使用第一掩模来图案化第一像素电极形成材料以形成第一像素电极；在其上形成第一像素电极的第一基板上涂覆第二像素电极形成材料；以及使用第二掩模来图案化第二像素电极形成材料以形成第二像素电极。第一像素电极形成材料包括与形成第二像素电极形成材料的材料不同的材料。第一像素电极和第二像素电极可以形成在基本上相同的层上。第一像素电极形成材料可以具有与第二像素电极形成材料的蚀刻率不同的蚀刻率。第一像素电极可以包括从由晶态铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)和非晶铟锡氧化物(a-ITO)组成的组中选择的至少一种。第一像素电极与第二像素电极之间的距离可以在约0.3μm到约1.0μm的范围内。前述内容仅是说明性的，并且不旨在以任何方式进行限制。除了上述的说明性的方面、实施方式和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，进一步的方面、实施方式和特征将变得明显。附图说明由以下结合附图的详细描述，本公开的以上和另外的特征及方面将被更清楚地理解，附图中：图1是示出显示装置的一示例性实施方式的示意俯视图；图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图；图3和4是示出显示装置的替代示例性实施方式的剖视图；图5、6A、6B、6C、6D、6E和6F是示出制造显示装置的方法的一示例性实施方式的视图；图7A、7B、7C、7D和7E是示出制造显示装置的方法的一替代示例性实施方式的视图；图8是示出显示装置的另一替代示例性实施方式的示意俯视图；图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图；以及图10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G和10H是示出制造显示装置的方法的另一替代示例性实施方式的视图。具体实施方式由以下参照附图详细描述的示例性实施方式，本专利技术构思的特征以及用于实现它们的方法将变得清楚。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式被具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；在所述第一基板上的第一像素电极；在所述第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在所述第一绝缘层上，并且在与其中设置所述第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。

【技术特征摘要】
2016.06.16 KR 10-2016-00750231.一种显示装置，包括：包括多个像素区域并彼此对立的第一基板和第二基板；在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；在所述第一基板上的第一像素电极；在所述第一像素电极上的第一绝缘层；以及第二像素电极，其在所述第一绝缘层上，并且在与其中设置所述第一像素电极的像素区域不同的像素区域中。2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极具有相同的形状。3.如权利要求1所述的显示装置，还包括在第一方向上延伸的栅线以及在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，其中在所述第一方向上，所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的距离小于所述数据线的宽度。4.如权利要求3所述的显示装置，其中所述第一像素电极的至少一部分和所述第二像素电极的至少一部分重叠所述数据线。5.如权利要求3所述的显示装置，其中所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的所述距离在0.3μm到1.0μm的范围内。6.如权利要求1所述的显示装置，还包括在所述第一基板上的公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极和所述第二像素电极绝缘。7.如权利要求1所述的显示装置，还包括在所述第二基板上的公共电极。8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：在所述第二像素电极上的第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层上的第三像素电极，所述第三像素电极设置在与其中设置所述第一像素电极和所述第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。9.如权利要求3所述的显示装置，还包括沿着所述栅线延伸的第一黑矩阵。10.如权利要求9所述的显示装置，还包括沿着所述数据线延伸的第二黑矩阵。11.如权利要求10所述的显示装置，其中所述第二黑矩阵具有比所述数据线的所述宽度更小的宽度。12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在所述第一基板上形成膜结构，所述膜结构包括多个薄膜晶体管；在所述膜结构中限定第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述多个薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分；形成通过所述第一接触孔连接到所述第一薄膜晶体管的第一像素电极；在其上形成所述第一像素电极的所述第一基板上涂覆第一绝缘层；在所述膜结构和所述第一绝缘层中限定第二接触孔，所述第二接触孔暴露所述多个薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的一部分；以及形成通过所述第二接触孔连接到所述第二薄膜晶体管的第二像素电极，其中所述第一像素电极形成在与其中形成所述第二像素电极的像素区域不同的像素区域中。13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：制备包括多个像素区域的第一基板；在所述第一基板上形成膜结构，所述膜结构包括多个薄膜晶体管；在所述膜结构上形成第一像素电极；在其上形成所述第一像素电极的所述第一基板上涂覆第一绝缘层；在所述膜结构和所述第一绝缘层中限定第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔穿过所述第一像素电极并且暴露所述多个薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：具本龙，蔡钟哲，李柔辰，许龙九，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR