像素结构和包括其的显示装置制造方法及图纸

公开了像素结构和包括像素结构的显示装置。所述像素结构包括：基体基底；第一电极，布置在基体基底的上部中；第二电极，具有围绕第一电极沿圆周方向延伸的圆形形状；多个极小尺寸发光二极管(LED)元件，连接至第一电极和第二电极。

Pixel structure and display device including it

The pixel structure and the display device including the pixel structure are disclosed. The pixel structure includes: base substrate; a first electrode disposed on the substrate in the upper part of the substrate; the second electrode has a first electrode extending around the circular shape along the circumferential direction; a plurality of small size light emitting diode (LED) device connected to the first electrode and a second electrode.

【技术实现步骤摘要】
像素结构和包括其的显示装置此申请要求于2016年6月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0073837号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及像素结构、包括像素结构的显示装置和制造像素结构的方法。
技术介绍
发光二极管(LED)元件具有高光电转换效率、低能耗和半永久使用寿命，并且也对环境友好。因此，LED元件已经用于信号灯、移动电话、汽车车灯、户外电子计分板、液晶显示器(LCD)背光单元(BLU)、室内/室外照明装置等。为了在照明装置或显示器中使用LED元件，LED元件需要连接至能够向LED元件供电的电极。因此，已经关于使用的目的、电极空间的减少和制造电极的方法对LED元件和电极的布置进行了各种研究。布置LED元件和电极的方法可以被分类为直接在电极上生长LED元件的方法和在单独生长LED元件之后将LED元件布置在电极上的方法。在后一种情况下，可以在使常规的三维(3D)LED元件在竖直位置上直立之后将其连接到电极。然而，当LED元件具有极小纳米尺寸时，难以使LED元件在电极上沿竖直位置直立。
技术实现思路
一个或更多个实施例包括像素结构、包括该像素结构的显示装置和制造该像素结构的方法，从而可以通过使独立制造的多个极小纳米尺寸发光二极管(LED)元件在两个电极之间对准并连接来防止LED元件的异常对准偏差。附加方面将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地，从该描述中将是清楚的，或者可以通过实施本实施例而了解。根据一个或更多个实施例，像素结构包括：基体基底；第一电极，布置在基体基底的上部中；第二电极，具有围绕第一电极沿圆周方向延伸的圆形形状；多个极小尺寸LED元件，连接至第一电极和第二电极。像素结构还可以包括电连接至第一电极的驱动晶体管以及电连接至第二电极的电源布线。第一电极可以包括多个第一电极，第二电极可以包括多个第二电极，像素结构还可以包括被配置为使多个第二电极彼此连接的电极线。第一电极和第二电极之间的分离距离可以为大约1μm或更多并且大约7μm或更少。第二电极可以包括具有半圆形状的第二-1电极和第二-2电极，第二-1电极和第二-2电极可以彼此分隔开。像素结构还可以包括电连接到第一电极的驱动晶体管，电源布线分别电连接至第二-1电极和第二-2电极。第一电极可以包括多个第一电极，第二电极可以包括多个第二电极，像素结构还可以包括被配置为将多个第二-1电极彼此连接的第一电极线，以及被配置为将多个第二-2电极彼此连接的第二电极线。第二-1电极和第一电极之间的第一-1分离距离可以与第二-2电极和第一电极之间的第一-2分离距离不同。第一-1分离距离和第一-2分离距离可以均为大约1μm或更多并且大约7μm或更少。根据一个或更多个实施例，显示装置包括上述像素结构中的任意一种以及连接至像素结构的驱动电路。根据一个或更多个实施例，制造像素结构的方法包括：将多个极小尺寸LED元件和溶剂施加到具有围绕第一电极沿圆周方向延伸的圆形形状的第一电极和第二电极上；分别向第一电极和第二电极施加不同的电压；使极小尺寸LED元件在第一电极和第二电极之间对准。第一电极和第二电极之间的分离距离可以为大约1μm或更多并且大约7μm或更少，第一电极和第二电极之间的电压差可以为大约10V或更多并且大约50V或更少。当施加到第一电极和第二电极中的每个的电力电压彼此不同时，可以在第一电极和第二电极之间围绕第一电极径向地产生第一电场。第一电极可以包括多个第一电极，第二电极可以包括多个第二电极，可以向第一电极和第二电极中的每个施加相同的电压。第二电极可以包括具有半圆形状的第二-1电极和第二-2电极，第二-1电极和第二-2电极可以彼此分隔开。第一电极可以包括多个第一电极，第二-1电极可以包括多个第二-1电极并且第二-2电极可以包括多个第二-2电极，当向第一电极和第二电极施加电压时，可以向第一电极、第二-1电极和第二-2电极施加相同的电压，可以分别向第二-1电极和第二-2电极施加不同的电压。可以在第一电极和第二-1电极之间产生第一-1电场，可以在第一电极和第二-2电极之间产生第一-2电场，可以围绕第一电极径向地产生作为第一-1电场和第一-2电场的组合的第一电场。可以在第二-1电极和第二-2电极之间布置朝向第二-1电极和第二-2电极中的一个的第二电场。第二-1电极和第一电极之间的第一-1分离距离可以与第二-2电极和第一电极之间的第一-2分离距离不同。第一-1分离距离和第一-2分离距离可以均为大约1μm或更多并且大约7μm或更少，第一电极和第二-1电极之间的电压差以及第一电极和第二-2电极之间的电压差可以为大约10V或更多并且大约50V或更少。附图说明通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得清楚并且更加容易理解，在附图中：图1是根据实施例的像素结构的透视图；图2A和图2B是沿图1的像素结构的线A-A'截取的剖视图；图3是根据实施例的极小尺寸LED元件的透视图；图4A是根据实施例的像素结构的透视图；图4B是根据实施例的像素结构的透视图；图4C是根据实施例的像素结构的透视图；图4D是根据实施例的像素结构的透视图；图5A是根据另一实施例的像素结构的透视图；图5B是沿图5A的像素结构的线B-B'截取的剖视图；图6A是根据另一实施例的像素结构的透视图；图6B是根据另一实施例的像素结构的透视图；图6C是根据另一实施例的像素结构的透视图；图6D是根据另一实施例的像素结构的透视图；图7是根据实施例的显示装置的概念图。具体实施方式现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为受限于在此阐述的描述。因此，通过参照附图在下面仅描述实施例以说明本说明书的各方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表达出现在一列元件之后时，修饰整列元件而不是修饰该列中的单个元件。在下文中，将参照附图详细描述示例性实施例。相同的附图标记用于表示相同的元件，并将省略对其的重复描述。将理解的是，虽然可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开来。以单数形式使用的表达包含复数形式的表达，除非其在上下文具有明显不同的含义。还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所述特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。为便于说明，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于附图中元件的尺寸和厚度是为了说明的方便而任意示出的，因此下面的实施例不限于此。图1是根据实施例的像素结构1的透视图。图2A和图2B是沿图1的像素结构1的线A-A'截取的剖视图。图3是根据实施例的极小尺寸LED元件40的透视图。参照图1至图3，根据实施例的像素结构1可以包括基体基底10、布置在基体基底10的上部中的第一电极21和第二电极22、极小尺寸LED元件40以及溶剂50。多个像素结构1可以布置在随后将描述的显示装置1000(见图7)的显示区域上。其上布置有第一电极21和第二电极22的基体基底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，所述像素结构包括：基体基底；至少一个第一电极，布置在所述基体基底的上部中；至少一个第二电极，具有围绕所述至少一个第一电极沿圆周方向延伸的圆形形状；多个LED元件，连接至所述第一电极和所述第二电极。

【技术特征摘要】
2016.06.14 KR 10-2016-00738371.一种像素结构，所述像素结构包括：基体基底；至少一个第一电极，布置在所述基体基底的上部中；至少一个第二电极，具有围绕所述至少一个第一电极沿圆周方向延伸的圆形形状；多个LED元件，连接至所述第一电极和所述第二电极。2.根据权利要求1所述的像素结构，所述像素结构还包括：驱动晶体管，电连接至所述至少一个第一电极；电源布线，电连接至所述至少一个第二电极。3.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述像素结构包括：多个所述第一电极；多个所述第二电极，电极线，将所述多个所述第二电极彼此连接。4.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的分离距离为1μm至7μm。5.根据权利要求1所述的像素结构，其中：所述至少一个第二电极包括第一子第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵显敏，金大贤，任铉德，姜钟赫，朴哉柄，李周悦，曹治乌，洪性珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR