一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明专利技术的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。

A GeSb based nitrogen doped nano thin film for phase change memory and its preparation method

The invention discloses a method for GeSb based nitrogen doped nanometer film material and its preparing method of phase-change memory material, the chemical composition of the general formula (Ge10Sb90) xN1 x, x=0.68, 0.63, 0.60. The preparation method of the invention controls the nitrogen content in the GeSb based nitrogen doped nano film material by controlling the nitrogen flow rate controlled by magnetron sputtering, and the content of nitrogen element can be accurately controlled.

【技术实现步骤摘要】
一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法本申请是申请号为201510067700.7，申请日为2015年2月9日，专利技术创造名称为“用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种相变存储材料，具体涉及一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
相变存储器（PCRAM）是一种新型非易失性存储器，它基于硫族化合物材料的晶态与非晶态两相的转换来存储信息。当相变材料处于非晶态时具有高电阻，晶态时具有低电阻，利用电脉冲产生的焦耳热实现高阻态与低阻态之间的重复转换，达到信息存储的目的。相变存储器具有功耗低、读取速度快、稳定性强、存储密度高、与传统的CMOS工艺兼容等优点，因而受到越来越多的研究者的关注（KunRen等，AppliedPhysicsLetter,104（173102）,2014）。目前研究和使用较多的相变材料是Ge-Sb-Te三元合金，特别是Ge2Sb2Te5，该材料是利用可逆相变前后电阻的差异实现数据存储的。虽然Ge2Sb2Te5在热稳定性、读写速度上有着比较突出的性能，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、 0.63、0.60。

【技术特征摘要】
1.一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.68、0.63、0.60。2.一种如权利要求1所述的用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；②磁控溅射的准备，在磁控溅射镀膜系统中，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Ge10Sb90合金靶材安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空；③（Ge10Sb90）xN1-x纳米薄膜材料的制备，向溅射腔室通入高纯氩气和高纯氮气作为溅射气体，高纯氩气和高纯氮气的总流量为30sccm，溅射气压为0.15Pa～0.35Pa；首先清洁Ge10Sb90靶材表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小芹，潘佳浩，吴小丽，胡益丰，薛建忠，袁丽，吴卫华，张建豪，江向荣，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32