蚀刻设备制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻设备，包括蚀刻腔室，以及收容所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；下电极板设于所述承载平台上，上电极板设于所述蚀刻腔室顶部，两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对承载平台移动，两个遮挡板以所述承载平台的轴线对称设置，每一遮挡板在承载平台的表面的正投影由承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸，遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等，所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区，通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度或者/和承载平台旋转的旋转角速度以使位于基板的中心区和边缘区被蚀刻深度相同。

etcher

The invention provides an etching apparatus including an etching chamber, and the surface containing the etch chamber can rotate the bearing platform, and bearing platform parallel to the electrode plate and the lower electrode plate two and a baffle plate; a lower electrode plate is arranged on the bearing platform, the upper electrode plate is arranged in the etching chamber at the top and between the two baffle plate is arranged on the upper plate electrode and the lower electrode plate and the baffle plate is relatively mobile bearing platform, two baffle plate with the axis of symmetry of the bearing platform set, each baffle plate is in the projection surface of the bearing platform by the axial bearing platform along the rotation trajectory of the bearing platform. The radius extends down the block projection length and the radius equal to the length of the substrate outwards from the axes including center and edge region, by changing the baffle plate perpendicular to the direction of the radius The rotary angular velocity of the width or / and the bearing platform rotates so that the etching depth is the same in the center and the edge area of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻设备
本专利技术涉及蚀刻
，特别涉及一种蚀刻设备。
技术介绍
当前很多公益都用到蚀刻技术来实现图案或者结构轮廓的形成，比如液晶面板会使用干蚀刻来在基板上形成线路图案。现有技术中，干刻蚀机台在从中心到四周的径向上存在刻蚀速率梯度，而在基板进行干蚀刻过程中，会导致基板不同位置存在刻蚀不均问题。如反应离子刻蚀机台由于中心区域活性自由基浓度较高，对于基板的中心区域刻蚀速率大于四周的蚀刻速率，蚀刻机的加速电压不稳容易导致基板蚀刻不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蚀刻设备，提高蚀刻的均匀性。本专利技术提供一种蚀刻设备，用于蚀刻一基板，包括蚀刻腔室，以及收容所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与所述承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；所述下电极板设于所述承载平台上，所述上电极板设于所述蚀刻腔室顶部位于下电极板正上方，所述两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对所述承载平台移动，所述两个遮挡板与所述承载平台的表面平行相对，并且以所述承载平台的轴线对称设置，每一所述遮挡板在所述承载平台的表面的正投影由所述承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻设备，用于蚀刻一基板，其特征在于，包括蚀刻腔室，以及收容所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与所述承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；所述下电极板设于所述承载平台上，所述上电极板设于所述蚀刻腔室顶部位于下电极板正上方，所述两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对所述承载平台移动，所述两个遮挡板与所述承载平台的表面平行相对，并且以所述承载平台的轴线对称设置，每一所述遮挡板在所述承载平台的表面的正投影由所述承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸，所述遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等，所述两个遮挡板的正投影位于同一条直径所在直线上；所述基板放置于所述承...

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻设备，用于蚀刻一基板，其特征在于，包括蚀刻腔室，以及收容所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与所述承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板；所述下电极板设于所述承载平台上，所述上电极板设于所述蚀刻腔室顶部位于下电极板正上方，所述两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对所述承载平台移动，所述两个遮挡板与所述承载平台的表面平行相对，并且以所述承载平台的轴线对称设置，每一所述遮挡板在所述承载平台的表面的正投影由所述承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸，所述遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等，所述两个遮挡板的正投影位于同一条直径所在直线上；所述基板放置于所述承载平台上，所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区，通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度或者/和所述承载平台旋转的旋转角速度以使位于所述基板的中心区和边缘区被蚀刻深度相同。2.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述承载平台旋转的旋转角速度不变时，所述中心区的蚀刻速率小于边缘区的蚀刻速率，所述遮挡板的宽度由边缘区向中心区方向逐渐减小。3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，在所述承载平台旋转的旋转角速度不变时，所述中心区的蚀刻速率大于边缘区的蚀刻速...

【专利技术属性】
技术研发人员：何敏博，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44