显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置。该显示装置包括：基底；栅导体，直接设置在基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在栅导体上并包括交叠栅导体的交叠部分以及连接到交叠部分、不交叠栅导体并与基底间隔开的非交叠部分；以及半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极，其中栅绝缘层的边缘比栅导体的边缘和半导体图案的边缘进一步突出。

display device

The present invention provides a display device. The display device includes: a substrate; a gate conductor, directly disposed on the substrate and includes a gate line and a gate electrode; a gate insulating layer arranged on the gate conductor and includes overlapping part overlapping the gate conductor and connected to the overlapping and non overlapping gate conductor and substrate spaced non overlapping part; and a semiconductor pattern provided on the gate insulating layer and overlap the gate electrode, the gate insulating layer edge than the edge of the gate conductor and the semiconductor pattern edge further highlights.

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本公开涉及一种显示装置。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置(其是最广泛使用的平板显示装置之一)施加电压到电极从而使液晶层中的液晶分子重新排列并因此调整透过其的光的量。LCD装置可以包括诸如像素电极和公共电极的场产生电极，并且还可以包括液晶层。LCD装置通过施加电压到场产生电极而产生电场，并通过使用该电场控制液晶层中的液晶分子的排列而显示图像。在LCD装置中，像素电极和公共电极中的至少之一包括多个切口和由切口限定的多个分支电极。在如上所述的其中两个不同类型的场产生电极提供在LCD装置中的情形下，需要不同的光掩模来形成两个不同类型的场产生电极。此外，LCD装置另外需要用于在基板上形成栅线和数据线以及用于形成连接到栅线、数据线和像素电极的薄膜晶体管(TFT)的多个光掩模。因此，LCD装置的制造成本增加。同时，TFT可能由于从其下面提供的光(例如从背光单元提供的光)而引起泄漏电流，在这种情况下，LCD装置的显示品质会变差。
技术实现思路
本公开的示范性实施方式提供一种能够防止其制造成本增加的显示装置。本公开的示范性实施方式还提供一种能够防止泄漏电流在薄膜晶体管(TFT)中产生的显示装置。然而，本公开的示范性实施方式不限于这里阐述的那些。通过参照以下给出的本公开的详细描述，对于本公开所属的领域的普通技术人员，本公开的以上和其它的示范性实施方式将变得更加明显。根据本公开的一示范性实施方式，提供一种显示装置。该显示装置包括：基底；栅导体，直接设置在基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在栅导体上并包括交叠栅导体的交叠部分以及连接到交叠部分、不交叠栅导体并与基底间隔开的非交叠部分；以及半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极，其中栅绝缘层的边缘比栅导体的边缘和半导体图案的边缘进一步突出。在显示装置中，栅绝缘层的边缘的形状可以与栅导体的边缘的形状基本上相同。在显示装置中，栅导体的边缘可以比半导体图案的边缘进一步突出。在显示装置中，半导体图案的边缘的形状可以与栅电极的边缘的形状基本上相同。在显示装置中，半导体图案可以与由同一半导体层形成的其它部件隔离。在显示装置中，半导体图案可以交叠栅导体。显示装置还可以包括：数据导体，设置在基底上并包括与栅线绝缘的数据线、连接到数据线和半导体图案的源电极、以及连接到半导体图案并与源电极间隔开的漏电极；其中漏电极包括第一部分以及连接到第一部分并设置在栅绝缘层上的第二部分，该第一部分设置在基底上，不交叠栅绝缘层，并与栅电极间隔开且空间提供在第一部分与栅电极之间。在显示装置中，第一部分可以直接设置在基底上。在显示装置中，第二部分可以包括第一子部分和第二子部分，第一子部分交叠非交叠部分并且不交叠栅电极和半导体图案，第二子部分连接到第一子部分，交叠该交叠部分和栅电极，并且不交叠半导体图案。在显示装置中，第二部分还可以包括第三子部分，第三子部分连接到第二子部分并交叠栅电极、交叠部分和半导体图案。显示装置还可以包括：第一钝化层，设置在源电极、漏电极和半导体图案上；第一电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在第二钝化层上。在显示装置中，第二电极的厚度可以大于第一电极的厚度。在显示装置中，第一钝化层可以包括暴露漏电极的部分的接触孔；第一电极可以包括交叠接触孔的电极开口；第二钝化层可以包括交叠电极开口的钝化开口；第二电极可以通过接触孔、电极开口和钝化开口连接到漏电极；并且钝化开口的尺寸可以小于电极开口的尺寸。显示装置还可以包括：有机层，设置在第一钝化层和第二钝化层之间；其中第一电极设置在有机层上，接触孔形成在第一钝化层和有机层中。在显示装置中，数据导体还可以包括设置在基底上的栅信号传输焊盘部分；栅导体还可以包括直接设置在基底上并连接到栅线的栅焊盘部分；以及栅信号传输焊盘部分和栅焊盘部分可以经由连接构件电连接。在显示装置中，栅绝缘层和第一钝化层可以包括暴露栅焊盘部分的第一焊盘接触孔；第一钝化层可以包括暴露栅信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔；以及连接构件可以经由第一焊盘接触孔连接到栅焊盘部分并且可以经由第二焊盘接触孔连接到栅信号传输焊盘部分。在显示装置中，连接构件可以包括与第一电极相同的材料。显示装置还可以包括：绝缘构件，设置在连接构件上并包括与第二钝化层相同的材料，其中绝缘构件的边缘比连接构件的边缘进一步突出。在显示装置中，数据导体还可以包括设置在基底上并连接到数据线的数据焊盘部分；第一钝化层可以包括暴露数据焊盘部分的第三焊盘接触孔；连接到数据焊盘部分的接触辅助构件可以设置在第一钝化层上。在显示装置中，接触辅助构件可以包括与第二电极相同的材料。根据本公开的另一示范性实施方式，提供一种显示装置。该显示装置包括：基底；栅电极，直接设置在基底上；栅绝缘层，设置在栅电极上；半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极；源电极，连接到半导体图案；以及漏电极，连接到半导体图案并与源电极和栅电极间隔开，其中漏电极包括第一部分和第二部分，第一部分设置在基底上，不交叠栅绝缘层并与栅电极间隔开且空间提供在第一部分与栅电极之间，第二部分连接到第一部分并设置在栅绝缘层上。在显示装置中，第一部分可以直接设置在基底上。在显示装置中，第二部分可以包括第一子部分和第二子部分，第一子部分交叠非交叠部分并且不交叠栅电极和半导体图案，第二子部分连接到第一子部分，交叠该交叠部分和栅电极，并且不交叠半导体图案。在显示装置中，第二部分还可以包括第三子部分，第三子部分连接到第二子部分并交叠栅电极、交叠部分和半导体图案。在显示装置中，栅电极的边缘可以比半导体图案的边缘进一步突出。在显示装置中，半导体图案的边缘的形状可以与栅电极的边缘的形状基本上相同。在显示装置中，半导体图案可以与由同一半导体层形成的其它部件隔离。在显示装置中，半导体图案可以交叠栅电极。根据示范性实施方式，可以提供一种能够防止其制造成本增加的显示装置。此外，可以提供一种能够防止泄漏电流在TFT中产生的显示装置。其它的特征和方面将从以下的详细描述、附图和权利要求变得明显。附图说明图1是根据本公开的一示范性实施方式的显示装置的示意性布局图。图2是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线A-A'截取的截面图。图3是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线B-B'截取的截面图。图4是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线C-C'截取的截面图。图5是根据图1的示范性实施方式的显示装置的沿图1的线D-D'截取的截面图。图6是示出根据图1的示范性实施方式的显示装置的薄膜晶体管(TFT)的放大图。图7是图6中示出的TFT的沿图6的线Aa-Aa'截取的截面图。图8是示出图6的区域P的放大截面图。图9是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的布局图。图10是沿图9的线A-A'截取的截面图。图11是沿图9的线B-B'截取的截面图。图12是沿图9的线C-C'截取的截面图。图13是沿图9的线D-D'截取的截面图。图14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32和33是示出制造根据图1的示范性实施方式的显示装置的方法的步骤的截面图，具体地，用于形成图9、10、11、12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：基底；栅导体，直接设置在所述基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在所述栅导体上并包括交叠部分和非交叠部分，该交叠部分交叠所述栅导体，该非交叠部分连接到所述交叠部分，不交叠所述栅导体并且与所述基底间隔开；以及半导体图案，设置在所述栅绝缘层上并交叠所述栅电极，其中所述栅绝缘层的边缘比所述栅导体的边缘和所述半导体图案的边缘进一步突出。

【技术特征摘要】
2016.06.13 KR 10-2016-00729921.一种显示装置，包括：基底；栅导体，直接设置在所述基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在所述栅导体上并包括交叠部分和非交叠部分，该交叠部分交叠所述栅导体，该非交叠部分连接到所述交叠部分，不交叠所述栅导体并且与所述基底间隔开；以及半导体图案，设置在所述栅绝缘层上并交叠所述栅电极，其中所述栅绝缘层的边缘比所述栅导体的边缘和所述半导体图案的边缘进一步突出。2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述栅绝缘层的所述边缘的形状与所述栅导体的所述边缘的形状基本上相同。3.如权利要求1所述的显示装置，其中所述栅导体的所述边缘比所述半导体图案的所述边缘进一步突出。4.如权利要求3所述的显示装置，其中所述半导体图案的所述边缘的形状与所述栅电极的所述边缘的形状基本上相同。5.如权利要求3所述的显示装置，其中所述半导体图案与由同一层形成的其它部件隔离。6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体图案交叠所述栅导体。7.如权利要求1所述的显示装置，还包括：数据导体，设置在所述基底上并包括与所述栅线绝缘的数据线、连接到所述数据线和所述半导体图案的源电极以及连接到所述半导体图案并与所述源电极间隔开的漏电极，其中所述漏电极包括第一部分以及连接到所述第一部分并设置在所述栅绝缘层上的第二部分，所述第一部分设置在所述基底上，不交叠所述栅绝缘层并与所述栅电极间隔开，空间提供在所述第一部分与所述栅电极之间。8.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第一部分直接设置在所述基底上。9.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分交叠所述非交叠部分并且不交叠所述栅电极和所述半导体图案，所述第二子部分连接到所述第一子部分，交叠所述交叠部分和所述栅电极并且不交叠所述半导体图案。10.如权利要求9所述的显示装置，其中所述第二部分还包括第三子部分，所述第三子部分连接到所述第二子部分并交叠所述栅电极、所述交叠部分和所述半导体图案。11.如权利要求7所述的显示装置，还包括：第一钝化层，设置在所述源电极、所述漏电极和所述半导体图案上；第一电极，设置在所述第一钝化层上；第二钝化层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述第二钝化层上。12.如权利要求11所述的显示装置，其中所述第二电极的厚度大于所述第一电极的厚度。13.如权利要求11所述的显示装置，其中：所述第一钝化层包括暴露所述漏电极的部分的接触孔；所述第一电极包括交叠所述接触孔的电极开口；所述第二钝化层包括交叠所述电极开口的钝化开口；所述第二电极通过所述接触孔、所述电极开口和所述钝化开口连接到所述漏电极；以及所述钝化开口的尺寸小于所述电极开口的尺寸。14.如权利要求13所述的显示装置，还包括：有机层，设置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：全映宰，刘一，金承来，金春燕，朴钒首，朴宰贤，李尚柱，玄慧媛，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR