表面增强拉曼散射基底的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，基底包括导电衬底、二维贵金属微纳结构阵列和金纳米星；本发明专利技术的表面增强拉曼散射基底的制备方法首先利用光刻技术，在平整的导电衬底材料上，制备一层二维贵金属微纳结构阵列，阵列单元为星形，阵列单元尺寸范围在150nm～1000nm，间距为10nm～500nm；然后通过电泳法，把金纳米星颗粒沉积在二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端附近区域；由于二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端电场极大的特征，电泳过程中金纳米星颗粒优先吸附到尖端位置，金纳米星颗粒与二维贵金属微纳结构阵列中各星形单元的尖端间距可达10nm以下。

Preparation of surface enhanced Raman scattering substrate

The invention discloses a method for preparing a surface enhanced Raman scattering substrate, the substrate includes a conductive substrate, Er Weigui metal micro nano structure array and nano gold star; first use of lithography technology, the invention with the surface enhanced Raman scattering substrate preparation method, in the formation of conductive backing material, preparing a layer of two-dimensional expensive the metal micro nano structure array, the array elements for star array element size in the range of 150nm ~ 1000nm, the spacing is 10nm ~ 500nm; then by electrophoresis, the tip region of gold nano particle deposition in a two-dimensional star noble metal structure of each star unit in the array of micro nano; because the tip electric field of each star element in two noble metal micro nano structure array of great features, gold nano particles was preferentially adsorbed to the star tip position, gold nano particles and the two-dimensional star noble metal micro nano structure array The tip spacing of each star element is less than 10nm.

【技术实现步骤摘要】
表面增强拉曼散射基底的制备方法本申请是申请号为201510177664.X，申请日为2015年4月15日，专利技术创造名称为“表面增强拉曼散射基底及其制备方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及光谱分析技术，具体涉及一种表面增强拉曼散射基底的制备方法。
技术介绍
拉曼光谱可广泛应用于分子识别领域，但是普通拉曼散射信号微弱，探测难度大，限制了其实际应用。表面增强拉曼散射（SurfaceenhancedRamanscattering，SERS）光谱技术通过构造特殊表面的基底，对普通拉曼信号进行极大的增强，从而有效地进行低浓度分子探测，成为物质分子微量检测的重要工具。近年来，贵金属纳米材料由于其独特的光学、电学、力学和催化作用以及生物相容等特性在纳米科技领域引起了广泛的兴趣，特别是在以表面增强拉曼散射为基础的物质分析检查技术，有着巨大的应用前景。金属纳米颗粒的表面等离激元效应是由于纳米颗粒表面电子云受入射电磁波（或入射光）中电场激励，而产生相互作用，形成表面等离激元。这种表面等离激元可产生电场幅度高于入射电磁波～倍的局域电场强度。在纳米
，称之为热点。这种热点可极大提高拉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述拉曼散射基底包括导电衬底（1）、二维贵金属微纳结构阵列（2）和金纳米星（3），二维贵金属微纳结构阵列（2）单元为星形贵金属薄膜，金纳米星（3）通过电泳沉积在二维贵金属微纳结构阵列（2）的各星形单元的尖端；制备方法包括以下步骤：①在导电衬底（1）上制备含有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层；对导电衬底（1）进行清洗、烘干、旋涂一层光刻胶（11）；对光刻胶（11）进行软烘；将掩模板对准导电衬底（1），进行曝光；曝光后进行后烘，后烘结束后进行显影，从而导电衬底（1）的表面具有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层（12）；所述掩模版上设有呈阵型排列的星状微...

【技术特征摘要】
1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述拉曼散射基底包括导电衬底（1）、二维贵金属微纳结构阵列（2）和金纳米星（3），二维贵金属微纳结构阵列（2）单元为星形贵金属薄膜，金纳米星（3）通过电泳沉积在二维贵金属微纳结构阵列（2）的各星形单元的尖端；制备方法包括以下步骤：①在导电衬底（1）上制备含有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层；对导电衬底（1）进行清洗、烘干、旋涂一层光刻胶（11）；对光刻胶（11）进行软烘；将掩模板对准导电衬底（1），进行曝光；曝光后进行后烘，后烘结束后进行显影，从而导电衬底（1）的表面具有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层（12）；所述掩模版上设有呈阵型排列的星状微纳结构，星状微纳结构为透光区域，掩模版的其余部分为非透光区域；各个星状微纳结构的尺寸为150nm～1000nm，相邻的两个星状微纳结构之间的间距为10nm～500nm；②在导电衬底（1）上制备二维贵金属微纳结构阵列；将步骤①制备的具有二维星状微纳结构阵列图案的光刻层（12）的导电衬底（1）转移到真空热蒸发镀膜设备的镀膜室镀膜，选择金为蒸发源材料，镀膜后在光刻层（12）和二维星状微纳结构阵列图案上形成一层极薄的金纳米薄膜（13）；蒸镀时控制金纳米薄膜（13）的厚度小于光刻胶（11）的厚度；将镀膜后的导电衬底（1）放置在剥离溶液中，去除导电衬底（1）上剩余的光刻胶，在去除这部分光刻胶时，沉积在其上的金纳米薄膜也被去除，最终在导电衬底（1）的表面留下二维贵金属微纳结构阵列（2）；③制备含有金纳米星颗粒的溶液；向浓度为0.08～0.12mol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液中添加0.008～0.012mol/L的金氯酸溶液和0.008～0.012mol/L的硼氢化钠溶液，得到金种子溶液待用，其中十六烷基三甲基溴化铵溶液∶金氯酸溶液∶硼氢化钠溶液的体积比为7.5～8.5∶0.1～0.3∶0.4～0.6；在烧杯中依次添加0....

【专利技术属性】
技术研发人员：朱圣清，周健，杨润苗，周仕龙，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32