具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料以及连接碳化硅陶瓷的方法技术

本发明专利技术提供了一种具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，该连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米。将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面将待连接的SiC材料连接在一起，降低了外部热源的热量供给，具有连接温度低的优点，有利于节约成本，降低工业化生产难度；同时，利用该连接材料在该低连接温度条件下连接后的碳化硅陶瓷具有界面弯曲强度高的优点。

Silicon carbide ceramic bonding materials with low junction temperature and high bending strength and a method to connect SiC ceramics

The invention provides a silicon carbide ceramic connection material with low connection temperature and high flexural strength, and the connecting material is titanium film, and the thickness of the titanium film is less than 1 microns. The connecting material is sandwiched between silicon carbide ceramic materials to be connected, will be connected by an external heat source heating interface of SiC materials are connected together, reducing the external heat source of the heat supply, has the advantages of low temperature connection, can save the cost, reduce the production difficulty; at the same time, the use of the material in the low connection connect the temperature of silicon carbide ceramics after the connection of the interface has the advantages of high bending strength.

【技术实现步骤摘要】
具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料以及连接碳化硅陶瓷的方法
本专利技术涉及碳化硅陶瓷材料
，具体涉及一种用于碳化硅陶瓷的连接材料，具有连接温度低以及连接后的碳化硅陶瓷弯曲强度高的优点，还涉及利用该连接材料连接碳化硅陶瓷材料的方法。
技术介绍
碳化硅陶瓷(SiC)具有低中子活性、耐中子辐照能力强、密度低、耐高温、抗氧化、耐磨损等一系列优点，是新一代核燃料包壳材料的优选材料之一。但是，碳化硅陶瓷材料在块体制造过程中存在固有缺陷，易产生气孔裂纹，陶瓷材料的本征脆性和不可变形性以及零部件加工修复等方面的问题，使得制造形状复杂的陶瓷结构件非常困难，因此在实际制造中通常需要连接技术来制造形状复杂的陶瓷件，例如核燃料包壳管和端塞间的密封就需要通过连接来实现。因此，碳化硅陶瓷及其复合材料的连接是十分关键的问题。然而，SiC本身具有的一些性质，如共价键、扩散系数小、惰性等，使得它的连接也存在一定的难度。目前，SiC的连接方法如图1所示，采用连接层，将其夹置在待连接的SiC材料之间，通过外部热源加热使连接界面达到一定温度(即连接温度)，从而将待连接的SiC材料连接在一起，主要有活性金属钎本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面将待连接的SiC材料连接在一起，其特征是：所述的连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米。

【技术特征摘要】
1.具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面将待连接的SiC材料连接在一起，其特征是：所述的连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米。2.如权利要求1所述的具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：所述的钛膜厚度为100nm～500nm。3.如权利要求1所述的具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：所述的连接温度低于1000℃。4.如权利要求1所述的具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：所述的连接温度为600℃～900℃。5.如权利要求1所述的具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：所述的碳化硅陶瓷材料包括纯碳化硅陶瓷材料以及以纯碳化硅陶瓷材料为基体的复合材料；作为优选，所述复合材料包括碳纤维增强碳化硅复合材料以及碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。6.如权利要求1所述的具有低连接温度高弯曲强度的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：待连接碳化硅陶瓷材料的连接面粗糙度Ra小于0.1μm。7.如权利要求1至6中任一权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆，杨辉，周小兵，黄峰，都时禹，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33