具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料以及连接碳化硅陶瓷的方法技术
A high corrosion resistant silicon carbide ceramic bonding material and a method to connect SiC ceramics
The invention provides a connecting material with silicon carbide ceramics with high corrosion resistance, the connecting material is less than 1 micron for titanium film thickness, the connecting material is sandwiched between silicon carbide ceramic materials to be connected, through the interface to connect an external heat source heating temperature of 1000 DEG C to be connected on SiC materials together after the connection, the connection position of silicon carbide ceramics with high corrosion resistance.
【技术实现步骤摘要】
具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料以及连接碳化硅陶瓷的方法
本专利技术涉及碳化硅陶瓷材料
，具体涉及一种用于碳化硅陶瓷的连接材料，具有高耐腐蚀性、弯曲强度高的优点，还涉及利用该连接材料连接碳化硅陶瓷材料的方法。
技术介绍
碳化硅陶瓷(SiC)具有低中子活性、耐中子辐照能力强、密度低、耐高温、抗氧化、耐磨损等一系列优点，是新一代核燃料包壳材料的优选材料之一。但是，陶瓷材料的本征脆性和不可变形性以及零部件加工修复等方面的问题，使得生产形状复杂的碳化硅陶瓷材料非常困难，因此在实际制造中通常需要连接技术来制造形状复杂的陶瓷件，例如核燃料包壳管和端塞间的密封需要通过连接来实现。因此，碳化硅陶瓷及其复合材料的连接是十分关键的问题。然而，SiC本身具有的一些性质，如共价键、扩散系数小、惰性等，使得它的连接也存在一定的难度。出于安全性和极端事故环境考虑，对碳化硅陶瓷及其复合材料的连接提出了更为严苛的要求，不仅其要求具有一定的高温连接强度和气密性，连接材料还需要抗高温高压，耐腐蚀。目前，SiC的连接方法如图1所示，采用连接层，将其夹置在待连接的SiC材料之间，通过外部热源加热...
【技术保护点】
具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面至连接温度将待连接的SiC材料连接在一起，其特征是：所述的连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米，所述的连接温度为1000℃以上。
【技术特征摘要】
1.具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，将该连接材料夹置在待连接碳化硅陶瓷材料之间，通过外部热源加热连接界面至连接温度将待连接的SiC材料连接在一起，其特征是：所述的连接材料为钛膜，并且所述的钛膜厚度小于1微米，所述的连接温度为1000℃以上。2.如权利要求1所述的具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：钛膜厚度为100nm～400nm，连接温度在1000℃以上。3.如权利要求1所述的具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：钛膜厚度为500nm～900nm，连接温度在1300℃以上。4.如权利要求1所述的具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：钛膜厚度为900nm～1μm时，连接温度在1400℃以上。5.如权利要求1所述的具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：所述的碳化硅陶瓷材料包括纯碳化硅陶瓷材料以及以纯碳化硅陶瓷材料为基体的复合材料；作为优选，所述复合材料包括碳纤维增强碳化硅复合材料以及碳化硅纤维增强碳化硅复合材料。6.如权利要求1所述的具有高耐腐蚀性的碳化硅陶瓷连接材料，其特征是：待连接碳化硅陶瓷材料的连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆，杨辉，周小兵，黄峰，都时禹，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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