画素结构及阵列基板制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种画素结构及阵列基板，该画素结构包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线。所述TFT开启后，所述数据线对所述像素电极进行充电，在充电的过程中，所述第二扫描线上的驱动电压从第一电压调整为第二电压。实施本发明专利技术实施例，可改善充电性能，提高显示效果。

Pixel structure and array substrate

The embodiment of the invention discloses a pixel structure and array substrate including the pixel structure: pixel unit, data lines and the first scan line; the pixel unit includes a thin film transistor and the pixel electrode TFT; the gate of the TFT with the first scanning line is electrically connected; the drain and source TFT in the end is connected with the data line, the other end is connected with the pixel electrode; a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode and the common electrode; a storage capacitor is formed between the pixel electrode and the second scanning lines, the second scanning lines under a scanning line to the first scan line. After the TFT is opened, the data line charges the pixel electrode. During the charging process, the driving voltage of the second scanning line is adjusted from the first voltage to the second voltage. The implementation of the invention can improve the charging performance and improve the display effect.

【技术实现步骤摘要】
画素结构及阵列基板
本专利技术涉及液晶显示
，具体涉及一种画素结构及阵列基板。
技术介绍
在当今信息社会，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFTLCD)已经广泛应用于我们生活的各个方面，从小尺寸的手机、摄像机、数码相机，中尺寸的笔记本电脑、台式机，大尺寸的家用电视到大型投影设备等，TFTLCD在轻、薄优势的基础上，加上完美的画面及快速的响应特性，确保其在显示器市场上独占鳌头。在主动矩阵式液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)中，每个像素都具有一个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，其栅极连接至水平方向的扫描线，漏极连接至垂直方向的数据线，而源极则连接至像素电极。在水平方向的同一条扫描线上，因为所有TFT的栅极都连接在一起，所以施加的电压是连动的；若某一条扫描线上施加足够大的正电压，则这条扫描线上所有的TFT皆会被打开；此时该条扫描线上的像素电极，会与垂直方向的数据线连接，经由数据线送入对应的视频信号，以将像素电极充电至适当的电压；接着施加足够大的负电压，关闭TFT，直到下次再重新写入信号，其间使得电荷保存在液晶电容上。此时再启动下一条水平扫描线，送入其对应的视频信号。如此依序将整个画面的视频数据写入，再重新自第一条重新写入信号，液晶面板中的像素阵列如图1所示。全高清液晶面板的分辨率通常为1920*1080，在画面刷新频率为60Hz的情况下，每一行扫描线的开启时间约为1/(60*1080)≈15.4ms。随着液晶面板的尺寸越多越大，分辨率越做越高，每一行扫描线的开启时间会被进一步压缩，由此可能会引发液晶面板充电不足情况的发生。事实上，为了避免像素电位错充，像素信号的写入时间通常会比扫描线的开启时间更短，这将加剧液晶面板充电不足情况的发生，如图2所示，其中，t1为扫描线的开启时间，t2为像素信号的写入时间。解决上述问题的通常手段是增加扫描线和数据线的线宽以改善充电不足的情况，但是这种做法会损失画素的开口率，降低液晶面板的穿透率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种画素结构及阵列基板，可改善充电性能，提高显示效果。本专利技术实施例第一方面提供了一种画素结构，包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线；在所述第一扫描线施加在所述TFT的电压超过起始电压后，所述TFT的源极和所述TFT的漏极之间形成导通的通道；所述数据线在所述通道形成后的第一时长内通过所述通道对所述像素电极进行充电；所述第一时长按照时间顺序分为第二时长和第三时长，在所述第二时长内所述第二扫描线保持在第一电压，在所述第三时长内所述第二扫描线保持在第二电压，所述第一电压低于或高于所述第二电压，所述第二电压为关闭所述TFT的电压；所述起始电压为所述TFT的源极和漏极导通所需的最低电压。本专利技术实施例第二方面提供了一种阵列基板，包括第一方面所述的画素结构。本专利技术实施例第三方面提供了一种充电方法，所述方法应用于画素结构，所述画素结构包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT、像素电极、液晶电容和储存电容；所述TFT的栅极与所述第一扫描线相连，所述TFT的漏极与所述数据线相连，所述TFT的源极与所述像素电极相连；所述液晶电容的一端连接所述像素电极，另一端连接公共电极；所述储存电容的一端连接所述像素电极，另一端连接第二扫描线，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线；所述充电方法包括：在所述第一扫描线施加在所述TFT的电压超过起始电压后，所述TFT的源极和所述TFT的漏极之间形成导通的通道；所述数据线在所述通道形成后的第一时长内通过所述通道对所述像素电极进行充电；所述第一时长按照时间顺序分为第二时长和第三时长，在所述第二时长内所述第二扫描线保持在第一电压，在所述第三时长内所述第二扫描线保持在第二电压，所述第一电压低于或高于所述第二电压，所述第二电压为关闭所述TFT的电压；所述起始电压为所述TFT的源极和漏极导通所需的最低电压。本专利技术实施例中，将第N+1条扫描线作为第N条扫描线上的储存电容的极板，通过控制第N+1条扫描线施加在TFT的电压，可以提高TFT开启状态时的充电电流，改善充电性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例公开的一种像素阵列的结构示意图；图2是本专利技术实施例公开的一种扫描线开启时间和像素写入时间的示意图；图3是现有技术中公开的一种画素结构的等效电路图；图4是本专利技术实施例公开的一种画素结构的等效电路图；图5是本专利技术实施例公开的一种扫描线上的驱动电压的波形图；图6是本专利技术实施例公开的另一种扫描线上的驱动电压的波形图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属于本专利技术保护的范围。此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本专利技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要能实现上述工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。本专利技术实施例提供一种画素结构，可以改善充电性能，提高显示效果。以下分别进行详细说明。请参阅图3，图3是现有技术中的一种画素结构的等效电路图。如图3所示，本实施例中所描述的画素结构，包括：像素单元30、数据线31以及扫描线32；上述像素单元30包含薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，其特征在于，包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线；在所述第一扫描线施加在所述TFT的电压超过起始电压后，所述TFT的源极和所述TFT的漏极之间形成导通的通道；所述数据线在所述通道形成后的第一时长内通过所述通道对所述像素电极进行充电；所述第一时长按照时间顺序分为第二时长和第三时长，在所述第二时长内所述第二扫描线保持在第一电压，在所述第三时长内所述第二扫描线保持在第二电压，所述第一电压低于或高于所述第二电压，所述第二电压为关闭所述TFT的电压；所述起始电压为所述TFT的源极和漏极导通所需的最低电压。

【技术特征摘要】
1.一种画素结构，其特征在于，包括：像素单元、数据线以及第一扫描线；所述像素单元包含薄膜晶体管TFT和像素电极；所述TFT的栅极与所述第一扫描线电连接；所述TFT的漏极和源极中的一端与所述数据线电连接，另一端与所述像素电极电连接；所述像素电极与公共电极之间形成液晶电容；所述像素电极与第二扫描线之间形成储存电容，所述第二扫描线为所述第一扫描线的下一条扫描线；在所述第一扫描线施加在所述TFT的电压超过起始电压后，所述TFT的源极和所述TFT的漏极之间形成导通的通道；所述数据线在所述通道形成后的第一时长内通过所述通道对所述像素电极进行充电；所述第一时长按照时间顺序分为第二时长和第三时长，在所述第二时长内所述第二扫描线保持在第一电压，在所述第三时长内所述第二扫描线保持在第二电压，所述第一电压低于或高于所述第二电压，所述第二电压为关闭所述TFT的电压；所述起始电压为所述TFT的源极和漏极导通所需的最低电压。2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，在所述像素电极的电压低于所述公共电极的电压的情况下，所述第一电压低于所述第二电压。3.根据权利要求2所述的画素结构，其特征在于，在所述通道形成之前，所述第二扫描线施加在所述TFT的电压从所述第二电压调整为所述第一电压。4.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44