同步整流电路制造技术

技术编号:16816999 阅读:25 留言:0更新日期:2017-12-16 10:29
本实用新型专利技术公开了一种同步整流电路,包括变压器、专用功率MOSFET、滤波电容、整流驱动模块和待机控制模块;所述变压器的整流输入端与所述专用功率MOSFET的漏极连接,所述专用功率MOSFET的源极通过所述滤波电容与所述变压器的整流输出端连接,所述专用功率MOSFET的栅极与所述整流驱动模块的驱动输出端连接,所述整流驱动模块的驱动检测端与所述变压器的整流输入端连接,所述整流驱动模块的电源输入端与所述待机控制模块的开关输出端连接,所述待机控制模块的开关输入端与直流电源连接。采用本实用新型专利技术,能够在系统待机时确保采用MOSFET的体二极管进行整流的前提下,控制整流驱动模块不工作,降低待机功耗。

Synchronous Rectifier

The utility model discloses a synchronous rectifier circuit comprises a transformer, filter capacitor, power MOSFET, special rectification drive module and the standby control module; the input end of the rectifier transformer and the special power MOSFET drain connected rectifier, output of the special power source of MOSFET is through the filter capacitor and the the transformer is connected to the power grid for MOSFET and the rectifier drive output module is connected with the input rectifier rectifier drive detection end module and the transformer is connected with the whole current drive power input module and the standby control module switch output connect the switch, the input end of the standby control module and a DC power supply connection. By adopting the utility model, it is possible to control the rectifier driving module without working and reducing standby power consumption on the premise that the MOSFET diode is rectified.

【技术实现步骤摘要】
同步整流电路
本技术涉及同步整流
,具体涉及一种同步整流电路。
技术介绍
同步整流电路一般是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管),来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术,如图1所示,是使用专业控制芯片的同步整流电路。在电源待机时,芯片通过检测VS1点的电压,使得控制芯片停止发送驱动,整流电路中的MOSFET的栅极没有驱动,MOSFET不导通,通过MOSFET的体二极管进行整流,此时MOSFET的同步整流损耗较小,但是由于控制芯片仍处于工作状态,仍占用功耗。
技术实现思路
本技术的目的是,提供一种同步整流电路,在系统待机时确保采用MOSFET的体二极管进行整流的前提下,控制整流驱动模块不工作,降低同步整流电路的待机功耗。为解决以上技术问题,本技术提供一种同步整流电路,包括变压器、专用功率MOSFET、滤波电容、整流驱动模块和待机控制模块;所述变压器包括副边和用于与供电电源连接的原边,所述变压器的副边包括整流输入端和整流输出端;所述整流驱动模本文档来自技高网...
同步整流电路

【技术保护点】
一种同步整流电路,其特征在于,包括变压器、专用功率MOSFET、滤波电容、整流驱动模块和待机控制模块;所述变压器包括副边和用于与供电电源连接的原边,所述变压器的副边包括整流输入端和整流输出端;所述整流驱动模块包括驱动检测端、驱动输出端和电源输入端;所述待机控制模块包括开关输入端、开关输出端和用于接收外部控制信号的开关控制端;所述变压器的整流输入端与所述专用功率MOSFET的漏极连接,所述专用功率MOSFET的源极通过所述滤波电容与所述变压器的整流输出端连接,所述专用功率MOSFET的栅极与所述整流驱动模块的驱动输出端连接,所述整流驱动模块的驱动检测端与所述变压器的整流输入端连接,所述整流驱动模...

【技术特征摘要】
1.一种同步整流电路,其特征在于,包括变压器、专用功率MOSFET、滤波电容、整流驱动模块和待机控制模块;所述变压器包括副边和用于与供电电源连接的原边,所述变压器的副边包括整流输入端和整流输出端;所述整流驱动模块包括驱动检测端、驱动输出端和电源输入端;所述待机控制模块包括开关输入端、开关输出端和用于接收外部控制信号的开关控制端;所述变压器的整流输入端与所述专用功率MOSFET的漏极连接,所述专用功率MOSFET的源极通过所述滤波电容与所述变压器的整流输出端连接,所述专用功率MOSFET的栅极与所述整流驱动模块的驱动输出端连接,所述整流驱动模块的驱动检测端与所述变压器的整流输入端连接,所述整流驱动模块的电源输入端与所述待机控制模块的开关输出端连接,所述待机控制模块的开关输入端与直流电源连接。2.如权利要求1所述的同步整流电路,其特征在于,所述整流驱动模块包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;所述第一三极管的发射极与所述整流驱动模块的驱动检测端连接,所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接,所述整流驱动模块的电源输入端通过所述第一电阻与所述第一三极管的基极连接,所述整流驱动模块的电源输入端还通过所述第二电阻与所述第二三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极与地连接;所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接,所述第三三极管的集电极与所述整流驱动模块的电源输入端连接,所述第三三极管的发射极与所述第四三极管的发射极连接,所述第四三极管的基极与所述第三三极管的基极连接,且所述第四三极管的基极通过所述第四电阻与地连接,所述第四三极管的集电极与地连接,所述第三三极管的发射极通过所述第三电阻与地连接,所述第三三极管的发射极还与所述整流驱动模块的驱动输出端连接。3.如权利要求2所述的同步整流电路,其特征在于,所述整流驱动模块还包括连接于所述第一三极管的发射极与所述整流驱动模块的驱动检测端之间的第一二极管和第五电阻;其中,所述第一三极管的发射极与所述第一二极管的正极连接,所述第一二极管的负极通...

【专利技术属性】
技术研发人员:温益军
申请(专利权)人:广州视源电子科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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