发光装置制造方法及图纸

提供了一种发光装置。所述装置包括第一电极、第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区。所述空穴传输区可以包括空穴传输层，所述空穴传输层进而包括具有中性缺陷的第一钙钛矿化合物[A

【技术实现步骤摘要】
发光装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年6月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0068850号的权益，所述申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
本申请的一个或多个实施方式涉及发光装置。
技术介绍
发光装置基于将电能转化为光能而操作。发光装置可以包括，例如，在发光层中使用有机材料的有机发光装置，和在发光层中使用量子点的量子点发光装置。这些发光装置的发光特性可能被环境氧气或水分破坏。可以用具有高化学稳定性的材料改善发光装置的这种发光特性。钙钛矿化合物是指具有与钛钙酸(CaTiO3)(理想地具有立方晶体结构)相同的三维晶体结构的材料。钙钛矿化合物具有简单的结构和良好的化学稳定性，因此可用于各种电子装置，如发光装置。
技术实现思路
本申请的一个或多个实施方式包括高质量发光装置。另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分通过该描述将是明显的，或者可以通过实施所提出的实施方式来了解。根据一个或多个实施方式，发光装置包括：第一电极；与第一电极相对的第二电极；在第一电极和第二电极之间的发光层；在第一电极和发光层之间的空穴传输区；以及在发光层和第二电极之间的电子传输区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述空穴传输区包括空穴传输层，所述空穴传输层包括具有中性缺陷的第一钙钛矿化合物，在25℃，所述第一钙钛矿化合物的空穴浓度为1.0×10

【技术特征摘要】
2016.06.02 KR 10-2016-00688501.一种发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述空穴传输区包括空穴传输层，所述空穴传输层包括具有中性缺陷的第一钙钛矿化合物，在25℃，所述第一钙钛矿化合物的空穴浓度为1.0×1016cm-3至9×1018cm-3，并且所述第一钙钛矿化合物由式1表示：<式1>[A1]l[B1]m[X1]n其中，在式1中，A1为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子或其任意组合，B1为La2+、Ce2+、Pr2+、Nd2+、Pm2+、Eu2+、Gd2+、Tb2+、Ho2+、Er2+、Tm2+、Yb2+、Lu2+或其任意组合，X1为至少一种单价阴离子，l、m和n各自独立地为大于0且小于或等于10的实数，并且l+2m＝n。2.一种发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述电子传输区包括电子传输层，所述电子传输层包括具有中性缺陷的第二钙钛矿化合物，在25℃，所述第二钙钛矿化合物的电子浓度为1.0×1016cm-3至9×1018cm-3，并且所述第二钙钛矿化合物由式2表示：<式2>[A2]o[B2]p[X2]q其中，在式2中，A2为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子或其任意组合，B2为La2+、Ce2+、Pr2+、Nd2+、Pm2+、Eu2+、Gd2+、Tb2+、Ho2+、Er2+、Tm2+、Yb2+、Lu2+或其任意组合，X2为至少一种单价阴离子，o、p和q各自独立地为大于0且小于或等于10的实数，并且o+2p＝q。3.一种发光装置，包括：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区；以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述空穴传输区包括空穴传输层，所述电子传输区包括电子传输层，所述空穴传输层包括具有中性缺陷的第一钙钛矿化合物，所述电子传输层包括具有中性缺陷的第二钙钛矿化合物，在25℃，所述第一钙钛矿化合物的空穴浓度为1.0×1016cm-3至9×1018cm-3，所述第一钙钛矿化合物由式1表示，在25℃，所述第二钙钛矿化合物的电子浓度为1.0×1016cm-3至9×1018cm-3，并且所述第二钙钛矿化合物由式2表示：<式1>[A1]l[B1]m[X1]n<式2>[A2]o[B2]p[X2]q其中，在式1和2中，A1和A2各自独立地为至少一种单价有机阳离子、至少一种单价无机阳离子或其任意组合，B1和B2各自独立地为La2+、Ce2+、Pr2+、Nd2+、Pm2+、Eu2+、Gd2+、Tb2+、Ho2+、Er2+、Tm2+、Yb2+、Lu2+或其任意组合，X1和X2各自独立地为至少一种单价阴离子，l、m、n、o、p和q各自独立地为大于0且小于或等于10的实数，l+2m＝n，并且o+2p＝q。4.如权利要求1或3所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括空穴控制层。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述空穴控制层在所述第一电极和所述空穴传输层之间，或所述空穴传输层和所述发光层之间。6.如权利要求1或3所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括：在所述第一电极和所述空穴传输层之间的第一空穴控制层；以及在所述空穴传输层和所述发光层之间的第二空穴控制层。7.如权利要求4所述的发光装置，其中所述空穴控制层包括选自碱金属卤化物、碱土金属卤化物和稀土金属卤化物中的至少一种。8.如权利要求2或3所述的发光装置，其中所述电子传输区进...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东赞，徐东揆，李炳德，赵尹衡，朱容赞，韩沅锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR