一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路制造技术

本发明专利技术公开了一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路，该电路是在传统的功率半导体器件并联电路的基础上进行改进的。具体在每个功率半导体器件源极侧添加反向耦合且电感值相同的电感。当并联功率半导体器件开通时两个反向耦合的电感会感应出方向相反大小近似相同的电压降并反馈到驱动单元，降低开关速度较快的功率半导体器件的速度，加快开关速度较慢的功率半导体器件的速度；另外，还在每个功率半导体器件的源极和驱动单元负极之间插入一个阻值相同的电阻，避免电压降在源极引线上产生过高的瞬态补偿电流。因此，本发明专利技术提供的电路，能够有效降低并联的功率半导体器件之间瞬态电流分布不均衡度，避免功率半导体器件因承受较大电流而直接损坏。

A circuit to improve the distribution of parallel current in power semiconductor devices

The invention discloses a circuit for improving the parallel current distribution of the power semiconductor device, which is improved on the basis of the traditional power semiconductor device parallel circuit. The inductor with the same inductance value is added to the source side of each power semiconductor device. When the parallel inductance of power semiconductor devices when opening two reverse coupling induction will be approximately the same size in the opposite direction of voltage drop and feedback to the driver unit, lower power semiconductor devices faster switching speed speed, speed up the power semiconductor switch at a slower speed; in addition, in each power semiconductor device and driving source the unit is inserted between a negative resistance of the same resistance, avoid the voltage drop generated transient high current compensation in source lead. Therefore, the circuit provided by the invention can effectively reduce the imbalance degree of transient current distribution between the parallel power semiconductor devices, and avoid the direct damage of the power semiconductor devices because of the large current.

【技术实现步骤摘要】
一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路
本专利技术涉及功率半导体并联领域，特别是涉及一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路。
技术介绍
在大功率电力电子应用场合，通过并联方式实现功率需求的主要原因有三个。第一，电流等级的限制，功率半导体器件(包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)、IGBT等)自身电流等级无法满足系统开发者的需求，而在更高电流等级器件产品还未推出的特殊时期内，并联方式是解决这一需求的主要途径。第二，经济成本约束，即使更大电流的器件开始进入市场，但其成本和价格往往比较高，因此采用中小功率等级的器件并联是较为经济的做法。第三，可靠性要求，纵观功率半导体器件的发展历史，人们总是最先掌握较低电流等级的器件技术，在大电流等级器件可靠性还未得到充分论证的情况下，下游应用则优先应用成本较低且可靠性较高的低电流等级器件并联方式来实现功率需求、性能要求以及成本控制。因此，功率半导体器件并联是特殊时期内需求、技术以及成本之间博弈所产生的最优选择。目前，由于功率半导体器件材料的制造工艺不够成熟，使得功率半导体器件参数分散性的问题很难在短时间内得到较好的解决，且功率半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路，其特征在于，所述电路与外接电路连接；所述电路包括：驱动单元、第一功率半导体器件、与所述第一功率半导体器件并联的第二功率半导体器件、耦合单元、第一电阻以及第二电阻；所述耦合单元为反向耦合的第一电感和第二电感；所述驱动单元的正极分别与所述第一功率半导体器件的栅极、所述第二功率半导体器件的栅极连接；所述耦合单元中相互连接的一对异名端与所述外接电路的负极连接；所述耦合单元中未相互连接的一对异名端分别与所述第一功率半导体器件的源极、所述第二功率半导体器件的源极连接；所述外接电路的正极分别与所述第一功率半导体器件的漏极、所述第二功率半导体器件的漏极连接；所述第一功...

【技术特征摘要】
1.一种改善功率半导体器件并联电流分布的电路，其特征在于，所述电路与外接电路连接；所述电路包括：驱动单元、第一功率半导体器件、与所述第一功率半导体器件并联的第二功率半导体器件、耦合单元、第一电阻以及第二电阻；所述耦合单元为反向耦合的第一电感和第二电感；所述驱动单元的正极分别与所述第一功率半导体器件的栅极、所述第二功率半导体器件的栅极连接；所述耦合单元中相互连接的一对异名端与所述外接电路的负极连接；所述耦合单元中未相互连接的一对异名端分别与所述第一功率半导体器件的源极、所述第二功率半导体器件的源极连接；所述外接电路的正极分别与所述第一功率半导体器件的漏极、所述第二功率半导体器件的漏极连接；所述第一功率半导体器件的源极与所述第一电阻的一端连接；所述第二功率半导体器件的源极与所述第二电阻的一端连接；所述驱动单元的负极分别与所述第一电阻的另一端、所述第二电阻的另一端连接。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯俊吉，孙鹏，黄华震，邹琦，赵志斌，崔翔，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京,11