一种实时双向高效DC_DC变流转换电路制造技术

一种实时双向高效DC_DC变流转换电路，包括若干个MOS晶体管Q1～Q8、若干个电容C1～C8，两个电解电容E1、E2、隔离变压器T1和线圈L，采用双向桥式(包含全桥、半桥、推挽等双磁路结构)电路的LC谐振电路。其优点是电路结构简捷，驱动控制简单，整体价格成本低廉，重量轻便，易于推广应用。可广泛应用于储能发电、电能双向变换等。

A real-time bidirectional high efficiency DC_DC converter circuit

An efficient real-time bidirectional DC_DC converter circuit, including a plurality of MOS transistors Q1 ~ Q8, C1 ~ C8 of a plurality of capacitors, electrolytic capacitors E1, E2 two, T1 and L isolation transformer coil, using two-way bridge (Bao Hanquan bridge, half bridge, double push-pull circuit structure) LC resonant circuit. Its advantages are simple circuit structure, simple drive control, low overall price, light weight, easy to spread and application. It can be widely used in energy storage power generation and electric energy bidirectional transformation.

【技术实现步骤摘要】
一种实时双向高效DC_DC变流转换电路
本技术涉及直流功率输入变换为直流功率输出，尤指一种实时双向高效DC_DC变流转换电路。
技术介绍
目前的DC_DC变流转换电路都是针对于实现高电压DC到低电DC的单向工作的,所有研究都是围绕这种应用而实现的；经典的电路有移相桥式电路,LLC谐振电路等等；目前已有结合二者的优势设计出了一个新电路“双向全桥LLC谐振变换器的理论分析与仿真”，发表于电源学报[2012年5月第三期]，双向全桥LLC谐振变换器拓扑结构如图1所示，将U_A定义为原边侧电压，U_B定义为二次侧电压，功率从U_A到U_B为正向传输，从U_B到U_A为反向传输。在正向功率传输时,左侧全桥工作在LLC谐振控制策略(即调频模式)，反向功率传输时,该双向全桥LLC谐振变换器采用传统的全桥移相控制策略(即调相模式)，可以说是当前最优的一个设计，但这个设计也有一个缺点是应用了二种工作模式，所以只能分时工作，不能进行实时工作，不能实现真正意义下的实时双向工作。
技术实现思路
针对现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种实时双向高效DC_DC变流转换电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种实时双向高效DC_DC变流转换电路，其特征在于：包括若干个MOS晶体管、若干个电容、两个电解电容、隔离变压器和线圈，第一电解电容正极、第一MOS晶体管漏极、第二MOS晶体管漏极、第一电容第一端及第二电容第一端并接，第一MOS晶体管源极、第五MOS晶体管漏极、第一电容第二端及第五电容第一端接变压器初级第二端，第二MOS晶体管源极、第六MOS晶体管漏极、第一电容第二端及第六电容第一端并接变压器初级第一端，第一电解电容负极、第二MOS晶体管源极、第六MOS晶体管源极、第五电容第二端及第六电容第二端并接；第二电解电容正极、第三MOS晶体管漏极、第四MOS晶体管漏极、第三电容第一端及第四电容第一端并接，第三MOS晶体管源极、第七MOS晶体管漏极、第三电容第二端及第七电容第一端接变压器次级线圈第二端，第四MOS晶体管源极、第八MOS晶体管漏极、第四电容第二端及第八电容第一端并接，第一电解电容负极、第七MOS晶体管源极、第八MOS晶体管源极、第七电容第二端及第八电容第二端并接，第八MOS晶体管漏极接和第九电容第一端，第九电容第二端接变压器次级线圈第一端，线圈接于变压器初级线圈或次级线圈的两端。本技术的有益效果是：电路结构简捷，驱动控制简单，整体价格成本低廉，重量轻便，易于推广应用。可广泛应用于储能发电、电能双向变换等。附图说明下面结合附图对本技术作进一步的描述。图1是现有技术的双向全桥LLC谐振变换器电路结构示意图。图2是本技术第一实施例的电路结构示意图。图3是本技术第二实施例的电路结构示意图。图4是本技术第三实施例的电路结构示意图。图5是本技术第四实施例的电路结构示意图。具体实施方式参见附图，本技术一种实时双向高效DC_DC变流转换电路，其特征在于：包括若干个MOS晶体管Q1～Q8、若干个电容C1～C8，两个电解电容E1、E2、隔离变压器T1和线圈L，第一电解电容E1正极、第一MOS晶体管Q1漏极、第二MOS晶体管Q2漏极、第一电容C1第一端及第二电容C2第一端并接，第一MOS晶体管Q1源极、第五MOS晶体管Q5漏极、第一电容C1第二端及第五电容C5第一端接变压器T1初级第二端2，第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6漏极、第一电容C1第二端及第六电容C6第一端并接变压器T1初级第一端1，第一电解电容E1负极、第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6源极、第五电容C5第二端及第六电容C6第二端并接；第二电解电容E2正极、第三MOS晶体管Q3漏极、第四MOS晶体管Q4漏极、第三电容C3第一端及第四电容C4第一端并接，第三MOS晶体管Q3源极、第七MOS晶体管Q7漏极、第三电容C3第二端及第七电容C7第一端接变压器T1次级线圈第二端4，第四MOS晶体管Q4源极、第八MOS晶体管Q8漏极、第四电容C4第二端及第八电容C8第一端并接，第一电解电容E1负极、第七MOS晶体管Q7源极、第八MOS晶体管Q8源极、第七电容C7第二端及第八电容C8第二端并接，第八MOS晶体管Q8漏极接和第九电容C9第一端，第九电容C9第二端接变压器T1次级线圈第一端3，线圈L接于变压器T1初级线圈或次级线圈的两端。本技术采用双向桥式(包含全桥、半桥、推挽等双磁路结构；单磁路结构不适用，如反激电路)基本电路上构成LC谐振电路。在隔离变压器T双则并联谐振电感L分别与左右则MOS管的寄生电容C(视实际情况要求可人为再并联电容以达到实际的谐振要求)在功率管开通/关断过程中完成谐振，以达到零电压开通或关断，降低了功率管在开通或关断过程中的损耗，同时也降低了功率管的电应力，使得器件无特殊条件需求，电路结构简捷，驱动控制简单，整体价格成本低廉，重量轻便，易于推广应用。可广泛应用于储能发电、电能双向变换等。参见图2，在本技术的第一实施例中，谐振电感L装在电压高的一侧。参见图3，在本技术的第二实施例中，谐振电感L装在电压低的一侧。参见图4，在本技术的第三实施例中，低压侧采用推挽电路结构。参见图5，在本技术的第四实施例中，高压侧采用半桥结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实时双向高效DC_DC变流转换电路，其特征在于：包括若干个MOS晶体管Q1～Q8、若干个电容C1～C8，两个电解电容E1、E2、隔离变压器T1和线圈L，第一电解电容E1正极、第一MOS晶体管Q1漏极、第二MOS晶体管Q2漏极、第一电容C1第一端及第二电容C2第一端并接，第一MOS晶体管Q1源极、第五MOS晶体管Q5漏极、第一电容C1第二端及第五电容C5第一端接变压器T1初级第二端(2)，第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6漏极、第一电容C1第二端及第六电容C6第一端并接变压器T1初级第一端(1)，第一电解电容E1负极、第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6源极、第五电容C5第二端及第六电容C6第二端并接；第二电解电容E2正极、第三MOS晶体管Q3漏极、第四MOS晶体管Q4漏极、第三电容C3第一端及第四电容C4第一端并接，第三MOS晶体管Q3源极、第七MOS晶体管Q7漏极、第三电容C3第二端及第七电容C7第一端接变压器T1次级线圈第二端(4)，第四MOS晶体管Q4源极、第八MOS晶体管Q8漏极、第四电容C4第二端及第八电容C8第一端并接，第一电解电容E1负极、第七MOS晶体管Q7源极、第八MOS晶体管Q8源极、第七电容C7第二端及第八电容C8第二端并接，第八MOS晶体管Q8漏极接和第九电容C9第一端，第九电容C9第二端接变压器T1次级线圈第一端(3)，线圈L接于变压器T1初级线圈或次级线圈的两端。...

【技术特征摘要】
1.一种实时双向高效DC_DC变流转换电路，其特征在于：包括若干个MOS晶体管Q1～Q8、若干个电容C1～C8，两个电解电容E1、E2、隔离变压器T1和线圈L，第一电解电容E1正极、第一MOS晶体管Q1漏极、第二MOS晶体管Q2漏极、第一电容C1第一端及第二电容C2第一端并接，第一MOS晶体管Q1源极、第五MOS晶体管Q5漏极、第一电容C1第二端及第五电容C5第一端接变压器T1初级第二端(2)，第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6漏极、第一电容C1第二端及第六电容C6第一端并接变压器T1初级第一端(1)，第一电解电容E1负极、第二MOS晶体管Q2源极、第六MOS晶体管Q6源极、第五电容C5第二端及第六电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾冬平，
申请(专利权)人：曾冬平，
类型：新型
国别省市：广东,44