发光元件、发光装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供明亮且可靠性品质优异的发光元件、发光装置以及电子设备。有机EL元件(30)具备：像素电极(31)；发光功能层(32)，其形成于像素电极(31)上；电子注入层(33)，其形成于发光功能层(32)上；以及对置电极(35)，其形成于电子注入层(33)上且具有半透过反射性，对置电极(35)包括对电子注入层(33)的材料进行还原的还原性材料和在原子数比中为75％以上的Ag，在对置电极(35)上形成有吸附层(37)。

Light emitting elements, light emitting devices, and electronic devices

The invention provides bright and reliable light emitting elements, light emitting devices, and electronic devices. Organic EL element (30) includes a pixel electrode (31); light-emitting layer (32), which is formed on the pixel electrode (31); the electron injection layer (33), which formed in the light-emitting layer (32); and a counter electrode (35), which is formed on the electron injection layer (33) and has a transparent reflection of the counter electrode (35) including the electron injection layer (33) of the material reducing material and reduction in atomic ratio is more than 75% Ag, the counter electrode (35) is formed on the adsorption layer (37).

【技术实现步骤摘要】
发光元件、发光装置以及电子设备
本专利技术涉及发光元件、发光装置以及电子设备。
技术介绍
因为作为发光元件的有机EL元件与LED(LightEmittingDiode：发光二极管)相比能够实现小型化、薄型化，所以在头戴式显示器(HMD)、电子取景器(EVF)等微型显示器中的应用备受关注。在这样的微型显示器中，为了提高亮度，提出了使将光导出一侧的电极(第二电极)的主成分为Ag的构成(例如，参照专利文献1)。另一方面，存在如下担忧，即，若使用以Ag为主成分的第二电极，则因Ag原子彼此的凝集，在第二电极产生凹凸部，由于来自形成于上层的无机化合物膜的载荷对凹凸部施加应力，从而第二电极破损。因此，提出在以Ag为主成分的第二电极与无机化合物膜之间配置用于缓和向第二电极的应力的应力缓解层的构成(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本专利第5411469号公报专利文献2：日本专利第5613998号公报然而，由于Ag极富反应性，所以若存在于发光装置内的水分、氧侵入第二电极，则第二电极所含有的Ag与该水分、氧发生反应。例如，若水分、氧从像素的外周部侵入第二电极扩散至发光区域，则由于Ag发生反应，有机EL元件的发光面积减小，其结果是，导致亮度的降低。由于发光装置越是小型高清晰度化，水分、氧越容易扩散至发光区域，所以容易引起这样的随时间推移的亮度的降低。即，存在如下课题：若为了提高有机EL元件的亮度而提高第二电极所含有的Ag的含有率，则容易受到Ag与水分、氧反应所带来的影响，存在导致发光特性的劣化、发光寿命的可靠性品质降低的担忧。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题的至少一部分完成的，能够作为以下的方式或者应用例实现。[应用例1]本应用例的发光元件的特征在于，具备：第一电极；发光功能层，其形成于上述第一电极上；电子注入层，其形成于上述发光功能层上；以及第二电极，其形成于上述电子注入层上且具有半透过反射性，上述第二电极包括对上述电子注入层的材料进行还原的还原性材料和在原子数比中为75％以上的Ag，在上述第二电极上形成有吸附层。根据本应用例的发光元件的构成，由于第二电极在原子数比中含有75％以上的Ag，所以光的导出效率提高，并且电子注入性被改善。而且，由于第二电极不仅包括Ag，还包括还原性材料，所以能够抑制Ag原子彼此凝集而膜质降低所导致的供电性能的劣化。因此，在第二电极中，能够兼得作为用于提高亮度的半透过反射膜的光学特性的提高、以及作为电极的电特性的提高。另外，通过利用形成于第二电极上的吸附层吸附从发光元件的外部侵入的水分、氧而能够抑制水分、氧向含有Ag的第二电极的侵入。这些结果能够提高发光元件的亮度与可靠性品质。[应用例2]优选，在上述应用例的发光元件中，上述吸附层的材料是与上述还原性材料相同的材料。根据本应用例的构成，能够利用更少的材料构成发光元件。[应用例3]优选，在上述应用例的发光元件中，上述吸附层的材料为Mg或者Al。根据本应用例的构成，由于吸附层的材料为容易与水分、氧反应的Mg或者Al，所以能够利用吸附层有效地抑制来自外部的水分、氧向第二电极侵入。另外，通过将Mg或者Al作为还原性材料包含于第二电极，能够抑制Ag原子彼此的凝集。[应用例4]优选，在上述应用例的发光元件中，上述吸附层的光吸收率为30％以下。根据本应用例的构成，通过使吸附层的光吸收率为30％以下，能够将设置吸附层所引起的光的导出效率降低抑制为较小。[应用例5]优选，在上述应用例的发光元件中，上述吸附层的膜厚为1nm以上。根据本应用例的构成，通过使吸附层的膜厚为1nm以上，能够更加可靠地抑制来自发光元件的外部的水分、氧向第二电极侵入。[应用例6]优选，在上述应用例的发光元件中，上述吸附层的膜厚比上述第二电极的膜厚薄。根据本应用例的构成，通过使吸附层的膜厚比第二电极的膜厚薄，能够抑制从发光元件的外部侵入的水分、氧到达第二电极，并且能够将光的导出效率降低抑制为较小。[应用例7]优选，在上述应用例的发光元件中，上述第二电极所含有的Ag在原子数比中为98％以下。第二电极所含有的Ag越多越能提高发光元件的亮度，但若Ag的含有量过多，则膜质降低，供电性能劣化。根据本应用例的构成，由于第二电极所含有的Ag在原子数比中为98％以下，所以能够在不使第二电极的电气特性劣化的范围内提高光学特性。[应用例8]本应用例的发光装置的特征在于，在每个像素设置有上述所记载的发光元件，并且具备以覆盖上述发光元件的方式形成的密封层。根据本应用例的发光装置的构成，由于利用密封层抑制水分、氧从外部向发光元件侵入，所以能够提供明亮且可靠性品质优异的发光装置。[应用例9]优选，在上述应用例的发光装置中，上述密封层包括：第一密封层；平坦化层，其层叠于上述第一密封层上且由有机材料构成；以及第二密封层，其层叠于上述平坦化层上。根据本应用例的构成，由于密封层由包括平坦化层的三层构成，所以能够更加可靠地抑制水分、氧从外部侵入。此外，如果万一在第一密封层产生龟裂并且平坦化层所含有的水分、氧侵入至发光元件，也能够利用吸附层防止水分、氧到达第二电极。[应用例10]在上述应用例的发光装置中，上述像素的配置间距也可以为10μm以下。在像素的配置间距为10μm以下的高清晰度的发光装置中，与像素的配置间距更大的发光装置相比，各像素的发光区域较小。因此，若水分、氧侵入并与第二电极的Ag反应，则容易产生在发光区域内实际上发光的部分的面积变小变暗的现象。根据本应用例的构成，由于能够利用密封层与吸附层防止来自外部的水分、氧向第二电极侵入，所以即使是像素的配置间距为10μm以下的高清晰度的发光装置，也能够提供明亮且可靠性品质优异的发光装置。[应用例11]本应用例的电子设备的特征在于，具备上述应用例所记载的发光装置。根据本应用例的构成，能够提供具有优异的显示品质与可靠性品质的电子设备。附图说明图1是表示第一实施方式的有机EL装置的构成的简要俯视图。图2是表示第一实施方式的有机EL装置的电气构成的等价电路图。图3是表示子像素的有机EL元件的配置的简要俯视图。图4是表示沿着图3的A-A’线的有机EL元件的构造的简要剖视图。图5是表示第一实施方式的有机EL元件的构造的放大剖视图。图6是表示实施例以及比较例的构成与试验结果的表。图7是对基于吸附层的光吸收率的测定方法进行说明的图。图8是表示吸附层的膜厚与光吸收率的关系的图。图9是表示作为第二实施方式的电子设备的头戴式显示器的构成的简图。图10是表示比较例的有机EL元件的构造的放大剖视图。具体实施方式以下，根据附图对将本专利技术具体化的实施方式进行说明。此外，使用的附图被适当地放大或者缩小，以便将所要说明的部分显示为能够识别的状态。此外，在以下的实施方式中，例如记载为“在基板上”，若没有特别的记载，则包含以在基板上接触的方式配置的情况、或者在基板上隔着其他构成物配置的情况、或者一部分以在基板上接触的方式配置并且一部分隔着其他构成物配置的情况。(第一实施方式)＜发光装置＞首先，参照图1～图3对作为第一实施方式的发光装置的有机EL装置进行说明。图1是表示第一实施方式的有机EL装置的构成的简要俯视图。图2是表示第一实施方式的有机EL装置的电气构成的等价电路图。图3是表示子像素的有机EL元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，其特征在于，具备：第一电极；发光功能层，其形成于所述第一电极上；电子注入层，其形成于所述发光功能层上；以及第二电极，其形成于所述电子注入层上且具有半透过反射性，所述第二电极包括对所述电子注入层的材料进行还原的还原性材料和在原子数比中为75％以上的Ag，在所述第二电极上形成有吸附层。

【技术特征摘要】
2016.03.28 JP 2016-0632571.一种发光元件，其特征在于，具备：第一电极；发光功能层，其形成于所述第一电极上；电子注入层，其形成于所述发光功能层上；以及第二电极，其形成于所述电子注入层上且具有半透过反射性，所述第二电极包括对所述电子注入层的材料进行还原的还原性材料和在原子数比中为75％以上的Ag，在所述第二电极上形成有吸附层。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述吸附层的材料是与所述还原性材料相同的材料。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述吸附层的材料为Mg或者Al。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述吸附层的光吸收率为30％以下。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的发光元...

【专利技术属性】
技术研发人员：白鸟幸也，花村雄基，浅川勉，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP