阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种阵列基板，具有呈矩阵排布的多个像素单元，每个像素单元均设有依次层叠设置的公共电极、第一绝缘层、次像素电极、第二绝缘层以及导电片，导电片电连接公共电极，公共电极与次像素电极之间形成第一正对面积，导电片与次像素电极之间形成第二正对面积，以使公共电极与次像素电极之间及导电片与次像素电极之间共同形成存储电容。上述阵列基板的存储电容较大。本发明专利技术还公开一种显示面板。

Array substrate and display panel

The invention discloses an array substrate having a plurality of pixels arranged in matrix unit, each unit pixel are provided which are sequentially overlapped a common electrode, a first insulating layer, a pixel electrode, a second insulating layer and a conductive film, conductive film is electrically connected with the common electrode is formed between the first area of public electric pole and the second pixel electrode second, is the area formed between the conductive film and the second pixel electrode, so that the storage capacitor formed between the common electrode and the pixel electrode and the conductive film and the second pixel electrode. The storage capacitance of the above array substrate is large. The invention also discloses a display panel.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
液晶显示面板行业已经历了数十年的发展，垂直配向(verticalalignment，VA)显示模式以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配相等优势，成为大尺寸电视机(Television，TV)用薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)的常见显示模式。液晶显示器像素(pixel)结构一般由一个薄膜晶体管器件、几个电容以及信号线构成，其中存储电容(Cst)的作用在于降低像素的跳变电压ΔV，维持液晶两端的电压稳定。通常情况下，跳变电压ΔV＝(Voff–Von)×Cgs/Ctotal，其中Voff及Von是扫描线的关闭电压和开启电压，Ctotal为像素电极的其他电容，一般包含三个电容，Ctotal＝Cgs(薄膜晶体管的寄生电容)+Cst(存储电容)+Clc(液晶电容)。从上述公式中可以看出，存储电容越大跳变电压的数值越小，如何增加存储电容以降低跳变电压为业内难题。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储电容较大的阵列基板及显示面板。本专利技术实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种阵列基板，具有呈矩阵排布的多个像素单元，每个所述像素单元均设有依次层叠设置的公共电极、第一绝缘层、次像素电极、第二绝缘层以及导电片，所述导电片电连接所述公共电极，所述公共电极与所述次像素电极之间形成第一正对面积，所述导电片与所述次像素电极之间形成第二正对面积，以使所述公共电极与次像素电极之间及所述导电片与所述次像素电极之间共同形成存储电容。其中，所述第一绝缘层设第一通孔以露出部分所述公共电极，所述次像素电极与所述第一通孔间隔设置，所述第二绝缘层设连通所述第一通孔的第二通孔，所述导电片通过所述第二通孔和所述第一通孔连接至所述公共电极。其中，每个所述像素单元均具有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述次像素电极同层设置，且所述漏极连接所述次像素电极。其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述公共电极同层设置。其中，每个所述像素单元均具有透光区和设于所述透光区周边的遮光区，所述次像素电极位于所述遮光区，所述阵列基板还包括位于所述透光区的主像素电极，所述主像素电极电连接所述次像素电极。其中，所述第二绝缘层设第三通孔以露出部分所述次像素电极，所述主像素电极通过所述第三通孔连接所述次像素电极。其中，所述导电片与所述主像素电极同层设置，所述导电片与所述主像素电极之间彼此绝缘。其中，所述导电片的材料与所述主像素电极的材料相同。其中，所述公共电极在所述主像素电极上的正投影位于所述主像素电极的周边区域。另一方面，还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。在本专利技术实施例所述的阵列基板中，所述次像素电极作为所述存储电容的一个电极片，所述导电片和所述公共电极共同作为所述存储电容的另一个电极片，所述公共电极与所述次像素电极之间形成第一正对面积，所述导电片与所述次像素电极之间形成第二正对面积，则所述存储电容的总正对面积为所述第一正对面积和所述第二正对面积的和。由于所述存储电容的电容值与其两个电极片的正对面积成正比，而本实施例所述像素单元通过增设所述导电片，使得所述存储电容的所述总正对面积相较于现有技术至少增加了所述第二正对面积，因此所述像素单元显著地增大了所述存储电容的电容值，所述阵列基板和所述显示面板的所述存储电容的电容值较大，使得所述显示面板在显示时的均一性变好，并能有效的降低跳变电压，避免引起残像(Imagesticking)等显示异常。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。图2是图1所示显示面板的阵列基板的结构示意图。图3是图2所示阵列基板的像素单元的结构示意图。图4是图3所示像素单元的A处结构的放大示意图。图5是图4中沿B-B处结构的示意图。图6是图4中沿C-C处结构的示意图。图7是图3所示像素单元的另一示意图。图8是图4中沿D-D处结构的示意图。图9是图2所示阵列基板的另一种像素单元的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本专利技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置在……上”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。请一并参阅1至图6，本专利技术实施例提供一种显示面板100，所述显示面板100包括阵列(Array)基板1。所述显示面板100可应用于各种显示设备中，例如手机、电视、电脑等。所述显示面板100还包括与所述阵列基板1相对设置的彩膜(ColorFilter，CF)基板2和位于所述阵列基板1与所述彩膜基板2之间的液晶(LiquidCrystal，LC)层3。所述阵列基板1具有呈矩阵排布的多个像素单元10。所述阵列基板1包括衬底11及形成在所述衬底11上的多条栅极线12和多条数据线13，所述多条栅极线12和所述多条数据线13彼此交叉以围设出所述多个像素单元10。每个所述像素单元10均设有依次层叠设置在所述衬底11上的公共电极14、第一绝缘层15、次像素电极16、第二绝缘层17以及导电片18。所述第一绝缘层15使得所述公共电极14与所述次像素电极16彼此绝缘。所述第二绝缘层17使得所述次像素电极16与所述导电片18彼此绝缘。所述导电片18电连接所述公共电极14，使得所述导电片18与所述公共电极14的电压一致。所述公共电极14与所述次像素电极16之间形成第一正对面积S1，所述导电片18与所述次像素电极16之间形成第二正对面积S2，以使所述公共电极14与次像素电极16之间及所述导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，具有呈矩阵排布的多个像素单元，每个所述像素单元均设有依次层叠设置的公共电极、第一绝缘层、次像素电极、第二绝缘层以及导电片，所述导电片电连接所述公共电极，所述公共电极与所述次像素电极之间形成第一正对面积，所述导电片与所述次像素电极之间形成第二正对面积，以使所述公共电极与次像素电极之间及所述导电片与所述次像素电极之间共同形成存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，具有呈矩阵排布的多个像素单元，每个所述像素单元均设有依次层叠设置的公共电极、第一绝缘层、次像素电极、第二绝缘层以及导电片，所述导电片电连接所述公共电极，所述公共电极与所述次像素电极之间形成第一正对面积，所述导电片与所述次像素电极之间形成第二正对面积，以使所述公共电极与次像素电极之间及所述导电片与所述次像素电极之间共同形成存储电容。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层设第一通孔以露出部分所述公共电极，所述次像素电极与所述第一通孔间隔设置，所述第二绝缘层设连通所述第一通孔的第二通孔，所述导电片通过所述第二通孔和所述第一通孔连接至所述公共电极。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元均具有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述次像素电极同层设置，且所述漏极连接所述次像素电极。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：安立扬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44