制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备光刻胶‑石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其包括：1)提供包含石墨烯量子点和光刻胶的混合物；2)采用掩模图形版对由步骤1)得到的混合物进行曝光；和3)用显影液处理由步骤2)得到的曝光的材料以除去未交联部分，得到光刻胶‑石墨烯量子点的发光复合体系。本发明专利技术还涉及由该方法得到的光刻胶‑石墨烯量子点的发光复合体系及其用途。

【技术实现步骤摘要】
制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法
本专利技术涉及一种制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法。本专利技术还涉及光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系。
技术介绍
目前制备得到的石墨烯量子点大多分散在溶剂中，而分散在固态聚合物材料中的石墨烯量子点很难加工成型以满足各领域应用。CN104193991A公开了一种石墨烯量子点聚苯胺复合材料及其制备方法，其中用反相乳液聚合法制备该复合材料。所述专利技术工艺复杂并且该专利技术也未提及聚合物-量子点材料的微加工工艺。
技术实现思路
鉴于现有技术中制备得到的石墨烯量子点多分散在溶剂中，而分散在固态聚合物材料中的石墨烯量子点很难加工成型以满足各领域应用等问题，本专利技术的专利技术人在石墨烯量子点领域进行了广泛而又深入的研究。本专利技术的专利技术人发现，通过巧妙地将石墨烯量子点引入光刻胶中，然后曝光并显影，可以非常简便地制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系。所得发光复合体系具有良好的发光性能，在发光显示领域有积极应用前景。本专利技术正是基于以上发现得以完成。本专利技术的目的是提供一种工艺简单地制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，所得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备光刻胶‑石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其包括：1)提供包含石墨烯量子点和光刻胶的混合物；2)采用掩模图形版对由步骤1)得到的混合物进行曝光；和3)用显影液处理由步骤2)得到的曝光的材料以除去未交联部分，得到光刻胶‑石墨烯量子点的发光复合体系。

【技术特征摘要】
1.一种制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其包括：1)提供包含石墨烯量子点和光刻胶的混合物；2)采用掩模图形版对由步骤1)得到的混合物进行曝光；和3)用显影液处理由步骤2)得到的曝光的材料以除去未交联部分，得到光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系。2.根据权利要求1的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中所述石墨烯量子点通过自上而下的方法如水热切割法、电化学法、化学氧化(如强酸氧化)剥离法、有机溶剂剥离法或微波切割法，或自下而上的方法如溶液化学法或催化富勒烯C60开笼法制备。3.根据权利要求1或2的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中石墨烯量子点按如下制备：a)通过Brodie法、Staudenmaier法或Hummers法，优选通过Hummers法制备石墨烯片；b)将所述石墨烯片在惰性气氛下加热还原为石墨烯；c)将还原的石墨烯用强酸酸化并氧化；和d)最后将由步骤c)得到的酸化并氧化的产物水热还原切割。4.根据权利要求1-3中任一项的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中所述石墨烯量子点的片径为0.5-30nm，优选1-15nm。5.根据权利要求1-4中任一项的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中在将石墨烯量子点和光刻胶混合之前，首先将石墨烯量子点分散于溶剂中。6.根据权利要求5的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中所述溶剂选自C1-C6链烷醇、具有2-6个碳原子的二醇、具有2-6个碳原子的二醇的单-或二-C1-C4烷基醚、具有2-6个碳原子的二醇的单-C1-C4烷基醚C1-C4羧酸酯、具有3-7个碳原子的酮类、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯、四氢呋喃和N-甲基吡咯烷酮，优选γ-丁内酯、环戊酮和二甲亚砜。7.根据权利要求1-6中任一项的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中步骤1)中的光刻胶为环氧光刻胶，优选阳离子环氧光刻胶，更优选所述阳离子环氧光刻胶包含一种或多种选自下列的可光聚合单体：双酚A二缩水甘油醚(I)、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯(II)、4,4’－二氨基二苯甲烷四缩水甘油环氧单体(III)、己二酸双(3,4-环氧环己基甲基)酯(IV)：8.根据权利要求1-7中任一项的制备光刻胶-石墨烯量子点的发光复合体系的方法，其中步...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹应全，薛兵，
申请(专利权)人：北京师范大学，
类型：发明
国别省市：北京,11