一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法和二硫化钒、二硒化钒纳米薄片技术

本发明专利技术公开了一种利用化学气相沉积制备金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，包括：1)在相对于基底的气流上游依次放置三氯化钒粉末和硫属单质，后去除残留的空气；2)通入气体，在气流稳定后，将硫属单质、三氯化钒和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片。本发明专利技术的方法还可以实现这两种材料的纳米级厚度薄片的可控合成。本发明专利技术还公开了利用前述方法制备得到的具有特定厚度和尺寸的纳米薄片。

【技术实现步骤摘要】
一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法和二硫化钒、二硒化钒纳米薄片
本专利技术属于材料领域，具体地涉及利用常压化学气相沉积的方法，在硅片或云母实现高效、低能耗的可控制备厚度在纳米尺寸的金属性的过渡金属硫属化合物，如二硫化钒和二硒化钒纳米薄片。
技术介绍
过渡金属硫属化合物(MX2,M＝过渡金属；X＝S,Se,Te)是类石墨烯二维层状材料中重要的一个类，不同副族的过渡金属原子和不同的硫属原子组合成了一个结构相似、性质各异的过渡金属硫属化合物大家族。其中第六副族金属(Mo,W)的硫属化合物通常为半导体，能够弥补零带隙的半金属性石墨烯在电子器件应用上的不足。其在可见光范围类的直接带隙、强的光-物相互作用和优异的柔韧性使其在柔性电子学器件和光电子学器件方面有广阔的应用前景。除此之外，第五副族的过渡金属(V,Nb,Ta)硫属化合物为金属性，因其丰富的物理性质如磁性、电荷密度波、超导等而引起了人们的广泛关注。二硫化钒，拥有不同于半导体性二硫化钼或二硫化钨的金属性能带结构，是一种典型的金属性过渡金属硫属化合物，其金属性的特征使其在超级电容器和湿度传感器等方面有巨大的应用价值。更重要的是，这种金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，包括以下步骤：1)在相对于基底的气流上游依次放置过渡金属所成盐的粉末和硫属单质，后去除残留的空气；2)通入载流气体，在气流稳定后，将硫属单质、过渡金属所成盐和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片。

【技术特征摘要】
1.一种制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，包括以下步骤：1)在相对于基底的气流上游依次放置过渡金属所成盐的粉末和硫属单质，后去除残留的空气；2)通入载流气体，在气流稳定后，将硫属单质、过渡金属所成盐和基底分别加热至不同温度，之后恒温，在基底上生长得到金属性过渡金属硫属化合物纳米薄片。2.根据权利要求1所述的制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，其特征在于：所述基底为硅片或云母片。3.根据权利要求2所述的制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，其特征在于：所述硅片表面有300纳米厚的二氧化硅层，尺寸为1厘米×1厘米，所述云母为氟晶云母，尺寸为1厘米×1厘米，厚度为25微米。4.根据权利要求2所述的制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，其特征在于，所述硅片按照如下的方式处理：硅片依次置于去离子水、丙酮和异丙醇中进行超声清洗，随后用氮气吹干，完成硅片的清洗；所述云母片采用两面均为新解离面的云母。5.根据权利要求1所述的制备过渡金属硫属化合物纳米薄片的方法，其特征在于：硫属单质距离过渡金属所成盐3～5厘米，过渡金属所成盐距离基底6～9厘米或12～...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳锋，张哲朋，纪清清，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11